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VNN3NV04PTR-E

产品分类: 其他驱动器
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics 开关电源芯片, 3 + Tab引脚
供应商型号: 10Y-VNN3NV04PTR-E
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
STMICROELECTRONICS 其他驱动器 VNN3NV04PTR-E

VNN3NV04PTR-E概述


    产品简介


    产品类型: VNN3NV04P-E 和 VNS3NV04P-E 是专为替换标准功率MOSFET而设计的电子元件。它们采用了STMicroelectronics的VIPower® M0-3技术,适用于直流到50 kHz的应用范围。
    主要功能:
    - 线性电流限制功能
    - 热关断功能
    - 短路保护
    - 集成钳位
    - 低输入引脚电流
    - 通过输入引脚进行故障诊断反馈
    - ESD保护
    - 直接访问功率MOSFET栅极(模拟驱动)
    应用领域:
    这些器件广泛应用于各种工业控制系统、电机驱动、开关电源、新能源汽车等领域,是理想的替代标准功率MOSFET的解决方案。

    技术参数


    基本参数:
    - 型号:VNN3NV04P-E, VNS3NV04P-E
    - 导通电阻(RDS(on)):120 mΩ
    - 最大电流(Ilim):3.5 A
    - 钳位电压(Vclamp):40 V
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):内部钳位,无具体数值
    - 输入电压(VIN):内部钳位,无具体数值
    - 输入电流(IIN):±20 mA
    - 最小输入系列阻抗(RIN MIN):220 Ω
    - 漏极电流(ID):内部限流,无具体数值
    - 反向直流输出电流(IR):-5.5 A
    - 静电放电电压(VESD1, VESD2):4000 V 和 16500 V
    - 总耗散功率(Ptot):7 W(SOT-223)和 8.3 W(SO-8)
    - 工作结温(Tj):内部限流,无具体数值
    - 壳温(Tc):内部限流,无具体数值
    - 存储温度(Tstg):-55°C 到 150°C
    热数据:
    - 结壳热阻(Rthj-case):最大18°C/W
    - 结引线热阻(Rthj-lead):最大15°C/W
    - 结环境热阻(Rthj-amb):最大70°C/W(安装在标准单面FR4板上)
    电气特性:
    - 漏源钳位电压(VCLAMP):最小40 V,典型45 V,最大55 V
    - 钳位阈值电压(VCLTH):36 V
    - 输入阈值电压(VINTH):0.5 V 到 2.5 V
    - 供电电流(IISS):100 μA 到 150 μA
    - 动态参数(例如:反向恢复时间、输出电容等):详细数据参见手册

    产品特点和优势


    这些OMNIFET II器件具有多个显著的优点和特点:
    - 过压保护和鲁棒性:集成的过压钳位保护,确保设备在恶劣环境下也能可靠运行。
    - 电流限制和热保护:内置线性电流限制电路和过温保护,能够有效防止过载。
    - 诊断功能:可以通过监测输入引脚上的电压来检测故障状态,便于维护和故障排除。
    - 高集成度:可以直接访问功率MOSFET的栅极,简化了驱动电路的设计。
    - 兼容性:符合2002/95/EC欧洲指令,易于在现有系统中使用。

    应用案例和使用建议


    这些器件已经在多种应用中得到验证,包括:
    - 工业控制系统:用于实现高效的电机控制和驱动。
    - 开关电源:提供稳定的电源转换能力,适用于各种负载条件。
    - 新能源汽车:适用于电动汽车的电池管理系统。
    使用建议:
    - 在选择合适的封装(SOT-223 或 SO-8)时,应考虑应用的具体要求,如散热需求。
    - 确保输入引脚连接到低阻抗源,以便提供必要的驱动电流。
    - 使用适当的布局和走线策略以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    这些器件与其他标准功率MOSFET兼容,并且可以轻松地替换现有设计中的同类器件。制造商提供了详尽的技术支持文档和在线资源,包括设计指南和应用笔记,帮助用户快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何避免过温关断?
    2. 在应用中如何正确配置输入引脚?
    3. 如何处理反向恢复电流?
    解决方案:
    1. 过温关断:通过监测温度传感器的信号来调整负载电流,或采用更好的散热设计。
    2. 输入引脚配置:将输入引脚连接到低阻抗源,确保能够提供足够的驱动电流。
    3. 反向恢复电流:选择具有较低反向恢复时间的二极管,或使用额外的缓冲电路来减小冲击。

    总结和推荐


    综上所述,VNN3NV04P-E 和 VNS3NV04P-E 器件在设计和性能方面都表现出色。它们具备强大的保护机制、良好的可靠性以及高集成度,适用于多种工业和商业应用。强烈推荐在需要高性能和稳定性的环境中使用这些器件。如果您正在寻找替代标准功率MOSFET的理想选择,这些器件无疑是您的最佳选择。

VNN3NV04PTR-E参数

参数
拓扑 低端
驱动数量 1
长*宽*高 6.5mm(长度)*3.5mm(宽度)
通用封装 SOT-223
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

VNN3NV04PTR-E厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

VNN3NV04PTR-E数据手册

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STMICROELECTRONICS 其他驱动器 STMICROELECTRONICS VNN3NV04PTR-E VNN3NV04PTR-E数据手册

VNN3NV04PTR-E封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 4.094
2000+ ¥ 4.0203
3000+ ¥ 3.9834
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交货地:
最小起订量为:1000
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