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H26M41208HPR

产品分类: eMMC
厂牌: SK HYNIX
产品描述: 2.7V 3.6V Parallel VFBGA 贴片安装 13mm*11.5mm*800μm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
SK HYNIX eMMC H26M41208HPR

H26M41208HPR概述

    SK hynix e-NAND Product Family: Technical Overview

    1. 产品简介


    SK hynix e-NAND是NAND闪存与MMC控制器的结合体,内建智能控制器负责管理接口协议、磨损均衡、坏块管理和垃圾收集等任务。该产品与JEDEC标准eMMC5.1规范兼容,具备向后兼容eMMC4.5及eMMC5.0的能力。此外,它还提供多种配置,包括1bit(默认)、4bits和8bits的数据总线宽度,最高可达400MB/s的数据传输速率。工作电压范围为Vcc(NAND)2.7V至3.6V,Vccq(控制器)1.7V至1.95V或2.7V至3.3V。温度适应性方面,其操作温度范围为-25℃至+85℃,存储温度范围则为-40℃至+85℃。该产品符合RoHS指令,确保环保合规。

    2. 技术参数


    - 性能指标:
    - 序列写入速度:8GB(SDP)35MB/s,16GB(DDP)70MB/s,32GB(QDP)140MB/s,64GB(ODP)140MB/s
    - 序列读取速度:8GB(SDP)200MB/s,16GB(DDP)280MB/s,32GB(QDP)280MB/s,64GB(ODP)280MB/s
    - 电源参数:
    - 在操作状态下,峰值电流:8GB(SDP)230mA(HS400模式),16GB(DDP)230mA(HS400模式),32GB(QDP)300mA(HS400模式),64GB(ODP)300mA(HS400模式)
    - 在低功耗模式(CMD5睡眠状态),典型值电流消耗:8GB(SDP)150uA(HS400模式),16GB(DDP)300uA(HS400模式),32GB(QDP)400uA(HS400模式),64GB(ODP)500uA(HS400模式)
    - 工作环境:
    - 操作温度范围:-25℃至+85℃
    - 存储温度范围:-40℃至+85℃


    3. 产品特点和优势


    SK hynix e-NAND具备多个独特的优势,如HS400模式、HS200模式、高优先级中断处理(HPI)、BKOPS控制、分区管理、可靠的写入保护、安全擦除等功能。这些特性使其在市场上具有较高的竞争力,并适用于多种嵌入式系统和移动设备中。

    4. 应用案例和使用建议


    SK hynix e-NAND广泛应用于智能手机、平板电脑、车载娱乐系统等领域。例如,在智能手机中,它可以作为内部存储解决方案,支持高速数据传输和高效能的读写操作。建议在设计时考虑其最佳工作温度范围,以避免极端条件下的性能下降。同时,确保电源稳定,以保持其高效运行。

    5. 兼容性和支持


    SK hynix e-NAND兼容eMMC5.1接口规范,因此能够无缝集成到现有的嵌入式系统中。厂商提供了详细的技术文档和支持服务,帮助用户解决可能遇到的问题并优化其使用体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确设置初始电源?
    - 解决办法:确保Vcc和Vccq电压范围正确设置,参照手册中的规定。
    - 问题2:在高速模式下,如何调整采样点以可靠接收数据?
    - 解决办法:依据手册中的指导,合理调整采样点位置。
    - 问题3:如何执行固件更新?
    - 解决办法:参照手册中的“Field firmware update”章节,按步骤操作。

    7. 总结和推荐


    综上所述,SK hynix e-NAND是一款高性能、高可靠性且广泛兼容的嵌入式存储解决方案。其支持HS400模式、多样化的数据总线宽度和广泛的温度适应性使其成为众多应用场景的理想选择。强烈推荐在需要高性能存储解决方案的项目中使用该产品。

H26M41208HPR参数

参数
读取速度 -
写入速度 -
配置 -
接口类型 Parallel
存储容量 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
长*宽*高 13mm*11.5mm*800μm
通用封装 VFBGA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

H26M41208HPR厂商介绍

SK hynix是一家总部位于韩国的全球领先的半导体制造商,专注于存储器半导体的生产和销售。公司主要产品包括DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存,这些产品广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备、汽车和工业设备等领域。

1. DRAM:用于临时存储数据,广泛应用于个人电脑、服务器等设备。
2. NAND闪存:用于存储数据,广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘等设备。

SK hynix的优势:
1. 技术领先:SK hynix在半导体技术方面具有领先地位,不断推出高性能、低功耗的产品。
2. 规模优势:作为全球最大的存储器制造商之一,SK hynix拥有庞大的生产规模和市场份额。
3. 客户资源:SK hynix与全球多家知名企业建立了合作关系,拥有丰富的客户资源。
4. 研发投入:SK hynix持续加大研发投入,以保持技术领先和市场竞争力。

H26M41208HPR数据手册

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H26M41208HPR封装设计

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