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JANTX1N5639A

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 1.5KW 335A 25.2V 17.1V 通孔安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
SENSITRON SEMICONDUCTOR TVS二极管/ESD抑制器 JANTX1N5639A

JANTX1N5639A概述


    产品简介


    本文档涵盖了由美国国防部标准(MIL-PRF-19500)规范的瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),具体型号包括1N5555到1N5558,1N5907,1N5629A到1N5665A。这些二极管采用硅材料制造,设计用于在电路中提供过压保护,确保系统在面临电压尖峰时保持稳定。主要应用于军事和航空航天等领域,确保关键设备在极端环境下的可靠运行。

    技术参数


    根据MIL-PRF-19500/500E规范,这些瞬态电压抑制二极管的主要技术参数如下:
    | 参数 | 描述 |

    | 最大功率 | 1500瓦,脉冲持续时间tp=1ms |
    | 平均功率(TA>25°C) | 额定值为1.0瓦,温度每升高1°C则减少6.67mW |
    | 峰值脉冲电流(TA=25°C) | 200安培(峰值),脉冲持续时间为8.3毫秒 |
    | 工作温度范围 | 结温(TJ):-55°C至+175°C,存储温度(TSTG):-55°C至+175°C |
    主要额定值(以1N5907为例)
    | 型号 | VBR(最小)| VBR(最大)| VWM | ID(最大)| VC(最大)| IPP(最大)| αVBR | TA=+125°C | TA=-55°C |
    ||
    | 1N5907 | 6.00 V | 6.75 V | 1 | 300 µA | 10.0 V | 1,000 A | 0.057 | 5.63 V | 140.0 µA |
    这些数据来自附录中的表II。

    产品特点和优势


    - 高效保护:该类二极管能在极短的时间内响应并吸收高能量瞬态电压,有效防止电路损坏。
    - 宽温度范围适应性:能够适应-55°C到+175°C的工作温度范围,适用于各种恶劣环境。
    - 高标准认证:通过了严格的军用标准测试,确保其具备高度可靠性。
    - 多种型号选择:提供了从1N5555到1N5665A的一系列型号,满足不同应用场景的需求。

    应用案例和使用建议


    这些瞬态电压抑制二极管广泛应用于雷达系统、通信设备及航空电子系统中。例如,在雷达接收前端,这类二极管可用于防止强电磁干扰导致的前端电路损坏。对于用户而言,建议:
    - 确保正确选择合适的型号,根据实际应用场景确定所需的峰值脉冲电流、击穿电压等参数。
    - 注意散热设计,特别是高功率应用场合,避免因温度过高而导致性能下降。

    兼容性和支持


    这些二极管具有良好的兼容性,可以与其他标准电子元器件和设备无缝集成。制造商提供全面的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中遇到任何问题都能得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确认二极管是否正常工作?
    - 答:可以通过测量二极管的反向击穿电压VBR来判断。如发现异常,可参考MIL-PRF-19500中的测试方法进行进一步诊断。
    2. 问:在高温环境下使用,应该如何保证二极管的稳定性?
    - 答:应采取有效的散热措施,比如加装散热片或增加空气流通。同时注意控制工作电流,避免超过规定的最大功率限制。

    总结和推荐


    综上所述,这些瞬态电压抑制二极管凭借其高效的保护能力、广泛的温度适应性和高可靠性,在军事和航空航天等高要求领域拥有广阔的应用前景。对于需要严格保护关键电路免受瞬态电压影响的用户,强烈推荐选用此类产品。

JANTX1N5639A参数

参数
峰值脉冲功率 1.5KW
极性 -
工作电压 -
箝位电压 25.2V
击穿电压 17.1V
峰值脉冲电流 335A
9.07mm(Max)
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级
零件状态 在售

JANTX1N5639A厂商介绍

Sensitron Semiconductor是一家全球领先的半导体制造商,专注于设计、开发和生产高性能的半导体产品。公司的产品线涵盖了多种半导体器件,包括二极管、晶体管、MOSFET、IGBT等,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制、通信设备等领域。

Sensitron Semiconductor的产品主要分为以下几类:
1. 二极管:包括肖特基二极管、整流二极管、稳压二极管等,广泛应用于电源管理、信号处理等领域。
2. 晶体管:包括双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET),用于放大、开关等应用。
3. MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管,用于电源管理、电机控制等。
4. IGBT:绝缘栅双极晶体管,用于高功率、高频率的应用,如电动汽车、太阳能逆变器等。

Sensitron Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:公司拥有强大的研发团队,不断推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供全方位的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 供应链管理:高效的供应链体系,确保产品的快速交付和成本优势。

JANTX1N5639A数据手册

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