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SKIIP26GH12T4V11

产品分类: IGBT模块
厂牌: SEMIKRON
产品描述: 1.85V 1.2KV 90mA
供应商型号: SEC-SKIIP26GH12T4V11
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
SEMIKRON IGBT模块 SKIIP26GH12T4V11

SKIIP26GH12T4V11概述

    SKiiP 26GH12T4V11 H-Bridge Inverter 技术手册

    1. 产品简介


    SKiiP 26GH12T4V11 是一款由 SEMIKRON 生产的 MiniSKiiP® 2 模块化 H 桥逆变器。它特别适用于单相逆变器应用。此产品采用沟槽 4 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术和先进的 CAL(碳化硅)反向续流二极管,具备弹簧接触设计,确保了高可靠性。此外,该模块还获得了 UL 认证(文件号:E63532),表明其符合严格的安全标准。

    2. 技术参数


    以下是 SKiiP 26GH12T4V11 的关键技术规格:
    - IGBT 额定电压(VCES):1200 V
    - IGBT 最大连续电流(ICnom):70 A
    - IGBT 峰值电流(ICRM):210 A
    - IGBT 最大峰值电流(IFSM):430 A (10 ms)
    - IGBT 导通压降(VCE(sat)):2.25-2.45 V @ Tj = 150°C
    - IGBT 导通电阻(rCE):22-24 mΩ @ Tj = 150°C
    - IGBT 门极阈值电压(VGE(th)):5-6.5 V
    - 反向续流二极管(Diode)额定电流(IFnom):75 A
    - 反向续流二极管(Diode)最大峰值电流(IFSM):430 A (10 ms)
    - 反向续流二极管(Diode)正向压降(VF):2.1-2.4 V @ Tj = 150°C
    - 工作温度范围(Tj):-40°C 至 +150°C
    - 散热基板最高温度(TC):125°C

    3. 产品特点和优势


    - IGBT 技术:采用先进的沟槽 4 IGBT,提供卓越的导通特性和更低的开关损耗。
    - CAL 反向续流二极管:具有出色的软恢复特性,降低了电磁干扰(EMI)。
    - 弹簧接触设计:确保了高度可靠的电气连接。
    - 高可靠性和安全性:UL 认证,提供了额外的安全保障。
    - 广泛的适用温度范围:可承受极端温度环境,增强了其在工业应用中的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    SKiiP 26GH12T4V11 广泛应用于单相逆变器,适用于各种工业控制系统、电机驱动、光伏逆变器等领域。为了充分发挥其性能,建议在安装时确保良好的散热条件,并选择合适的驱动电路以匹配其快速开关特性。具体如下:
    - 应用案例:在某工业自动化项目中,该模块成功替代了传统的 IGBT 模块,显著提升了系统效率和稳定性。
    - 使用建议:确保模块工作温度不超过 125°C;使用适当的散热器和热界面材料以优化散热效果;选择适合的驱动器以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    SKiiP 26GH12T4V11 模块与市面上多数通用的 H 桥逆变器控制板兼容。SEMIKRON 提供全面的技术支持,包括详细的设计指南、现场调试服务和售后服务热线,确保用户能够顺利集成和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册,常见的问题及其解决办法如下:
    - 问题:模块过热。
    - 解决方案:检查散热器是否安装正确并有足够的散热能力,确保热界面材料良好。
    - 问题:驱动信号不稳定。
    - 解决方案:使用屏蔽线缆传输驱动信号,减少外部干扰的影响。
    - 问题:模块出现短路。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确认外部保护措施(如熔断器)是否正常工作。

    7. 总结和推荐


    总体而言,SKiiP 26GH12T4V11 是一款高性能的 H 桥逆变器模块,具有出色的电气特性和广泛的应用领域。其先进的技术特性和高可靠性使其成为许多工业应用的理想选择。强烈推荐在需要高效率和稳定性的逆变器系统中使用此产品。
    以上是对 SKiiP 26GH12T4V11 技术手册的综合解析。希望对您的应用选择和设计提供有价值的参考。

SKIIP26GH12T4V11参数

参数
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 1.2KV
最大集电极发射极饱和电压 1.85V
配置 -
集电极电流 90mA

SKIIP26GH12T4V11厂商介绍

SEMIKRON(西门康)是一家全球领先的功率电子公司,专注于开发和生产用于电力电子应用的半导体器件和模块。公司成立于1951年,总部位于德国纽堡,在全球设有多个研发中心和生产基地。

SEMIKRON的主营产品包括:

1. 功率模块:包括IGBT模块、MOSFET模块、二极管模块等,广泛应用于工业自动化、可再生能源、电动汽车等领域。

2. 功率集成电路:如驱动IC、保护IC等,用于控制和保护功率模块。

3. 功率半导体器件:如IGBT、MOSFET、二极管等,用于电力电子电路中的关键部件。

4. 功率电子系统:提供定制化的功率电子解决方案,满足特定应用需求。

SEMIKRON的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出高性能、高可靠性的新产品。

2. 产品多样性:提供多种类型的功率电子器件和模块,满足不同应用需求。

3. 定制化服务:可根据客户需求提供定制化的功率电子解决方案。

4. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的高性能和可靠性。

SKIIP26GH12T4V11数据手册

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SKIIP26GH12T4V11封装设计

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