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JANS2N3637

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: SEMICOA
产品描述: Trans GP BJT PNP 175V 0.001A 3-Pin TO-39
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
SEMICOA 三极管(BJT) JANS2N3637

JANS2N3637概述


    产品简介


    2N3637是一款通用的高增益、低功耗放大晶体管,适用于广泛的工作温度范围。它采用TO-39封装形式,并且可以提供芯片形式的产品。该晶体管符合MIL-PRF-19500/357标准,所有限制条件均达到标准要求。它广泛应用于各类电子产品中,如音频放大器、开关电源、通信设备等领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 175 V
    - 集电极-基极电压:VCBO = 175 V
    - 发射极-基极电压:VEBO = 5.0 V
    - 电流参数
    - 集电极连续电流:IC = 1.0 mA
    - 温度参数
    - 工作结温:TJ = -65°C 至 +200°C
    - 存储温度:TSTG = -65°C 至 +200°C
    - 最大额定值
    - 基极-集电极击穿电压:V(BR)CBO = 175 V
    - 基极-发射极击穿电压:V(BR)EBO = 5.0 V
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = 175 V
    - 最大集电极-发射极截止电流:ICEO ≤ 50 nA
    - 电气特性
    - 正向电流转移比(脉冲测试):
    - IC = 0.1 mA, VCE = 10 V:hFE1 = 55
    - IC = 1.0 mA, VCE = 1.0 V:hFE2 = 90
    - IC = 10 mA, VCE = 10 V:hFE3 = 100
    - IC = 50 mA, VCE = 10 V:hFE4 = 100 至 300
    - IC = 150 mA, VCE = 10 V:hFE5 = 60
    - IC = 50 mA, VCE = 10 V,TA = -55°C:hFE6 = 50
    - 集电极-发射极饱和电压:
    - IC = 10 mA, IB = 1 mA:VCE(sat)1 ≤ 0.3 V
    - IC = 50 mA, IB = 5 mA:VCE(sat)2 ≤ 0.6 V
    - 基极-发射极饱和电压(非饱和状态):
    - IC = 10 mA, IB = 1 mA:VBE(sat)1 ≤ 0.8 V
    - IC = 50 mA, IB = 5 mA:VBE(sat)2 = 0.65 至 0.9 V

    产品特点和优势


    2N3637的主要特点是高增益和低功耗,适用于广泛的温度范围,能够确保在各种恶劣环境下稳定工作。TO-39封装形式使其易于安装和散热,而芯片形式的可选性则提供了更多灵活性。此外,该产品符合军事标准,确保了可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    2N3637常用于音频放大器和开关电源的设计中。例如,在音频放大器设计中,它可以用于提高信号增益,而在开关电源设计中,它可以作为开关管来实现高效的电压转换。使用时需要注意以下几个方面:
    1. 确保工作电压不超过最大额定值,以避免击穿。
    2. 在高功率应用中,确保散热良好,以防止过热损坏。
    3. 调整基极驱动电流以控制集电极电流,从而优化增益和饱和电压。

    兼容性和支持


    2N3637与市面上多数标准电路板设计兼容,适用于广泛的应用场景。厂商通常提供技术支持和维修服务,以帮助用户解决可能遇到的问题。此外,该产品还可以与多种电路设计工具兼容,方便进行电路模拟和设计。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,晶体管出现不稳定现象。
    - 解决方案: 确保工作温度在规定的范围内,并在必要时增加散热措施。

    2. 问题:晶体管在高频率下工作时,增益下降明显。
    - 解决方案: 检查负载阻抗匹配,调整基极驱动电流,或者考虑使用更高频的专用晶体管。

    总结和推荐


    2N3637是一款非常出色的高增益、低功耗晶体管,适用于多种电子设备和系统中。它的广泛温度适应能力和稳定的电气特性使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高可靠性和稳定性设计的工程师来说,这款晶体管是一个不错的选择。

JANS2N3637参数

参数
集电极截止电流 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
晶体管类型 -
集电极电流 -
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
最大集电极发射极饱和电压 -

JANS2N3637厂商介绍

SEMICOA公司是一家领先的半导体材料供应商,专注于为全球半导体行业提供高质量的产品和服务。公司主营产品包括:

1. 硅片:SEMICOA提供多种规格的硅片,包括抛光片、外延片等,广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。

2. 化合物半导体:SEMICOA生产的化合物半导体材料,如砷化镓、磷化铟等,主要用于光电子、微波通信等领域。

3. 特种气体:SEMICOA供应多种高纯度特种气体,如硅源、硼源等,是半导体制造过程中不可或缺的材料。

4. 光刻胶:SEMICOA研发的光刻胶产品,具有高分辨率、高灵敏度等特点,广泛应用于微电子制造领域。

SEMICOA的优势在于:

1. 技术领先:公司拥有先进的研发团队和生产技术,能够不断推出高性能、高可靠性的产品。

2. 质量保证:SEMICOA严格遵循国际质量管理体系,确保产品的稳定性和一致性。

3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和售后服务,满足客户的个性化需求。

4. 供应链管理:SEMICOA拥有完善的供应链体系,能够快速响应市场变化,保证产品的及时供应。

JANS2N3637数据手册

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SEMICOA 三极管(BJT) SEMICOA JANS2N3637 JANS2N3637数据手册

JANS2N3637封装设计

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