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CPH6603-TL-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: SANYO ELECTRIC
产品描述:
供应商型号: Q-CPH6603-TL-E
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
SANYO ELECTRIC 场效应管(MOSFET) CPH6603-TL-E

CPH6603-TL-E概述


    产品简介


    CPH6603 P-Channel Silicon MOSFET
    CPH6603是一款高性能的P沟道硅MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频率开关应用而设计。该产品具有低导通电阻和超高速切换能力,能够在4V驱动电压下运行。它广泛应用于各种电力电子设备,如电源管理、电机控制和通信系统等。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): -30V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 漏极电流 (DC) (ID): -1.5A
    - 漏极电流 (脉冲) (IDP): -6.0A (脉冲宽度≤10µs, 占空比≤1%)
    - 允许功率耗散 (PD): 0.9W(安装在900mm²✕0.8mm陶瓷板上)
    - 通道温度 (Tch): 150°C
    - 存储温度 (Tstg): -55°C至+150°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): -30V
    - 栅漏泄漏电流 (IGSS): ±10µA
    - 截止电压 (VGS(off)): -1.2V 至 -2.6V
    - 转移导纳 (|yfs|): 1.0S 至 1.5S
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 190mΩ 至 250mΩ
    - 输入电容 (Ciss): 185pF
    - 输出电容 (Coss): 30pF
    - 反向转移电容 (Crss): 20pF
    - 开启延迟时间 (td(on)): 7ns
    - 上升时间 (tr): 4ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 22ns
    - 下降时间 (tf): 8ns
    - 总栅电荷 (Qg): 4.7nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 0.8nC
    - 栅漏“米勒”电荷 (Qgd): 0.7nC
    - 二极管正向电压 (VSD): -0.88V 至 -1.5V

    产品特点和优势


    CPH6603 P-Channel Silicon MOSFET具备以下显著特点:
    - 低导通电阻:典型值为190mΩ,有效降低能耗,提高效率。
    - 超高速切换:快速的开关速度,适用于高频应用,提高系统整体性能。
    - 4V驱动:提供更灵活的应用范围,简化电路设计。
    - 高可靠性:在广泛的温度范围内稳定运行,确保长期可靠性和耐用性。
    这些特性使得CPH6603在电力电子应用中表现优异,特别是在需要高效能和高可靠性的场合,如电源管理和电机控制。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    CPH6603可以应用于多种电力电子设备中,例如:
    - 电源管理:在AC-DC转换器、DC-DC转换器和电池充电器中作为开关元件。
    - 电机控制:用于驱动电机,如风扇、泵和电动机。
    - 通信系统:在电信设备中作为开关和稳压器。
    使用建议
    为了更好地发挥CPH6603的优势,在使用时应注意以下几点:
    - 确保电路设计符合产品的电气特性和额定值要求。
    - 注意散热设计,特别是在高电流和高频率应用中,以防止过热。
    - 结合合适的外围元件,如栅极电阻和电容,优化电路性能。

    兼容性和支持


    CPH6603可与其他标准的P沟道MOSFET兼容,适用于多种电子设备。厂商ON Semiconductor提供全面的技术支持,包括详细的规格说明书、应用指南和技术支持服务。购买者还可以通过官网获得最新的产品信息和更新。

    常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及对应的解决方案:
    - 问题:在高温环境下,器件无法正常工作。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保器件在规定的温度范围内运行。

    - 问题:开关速度较慢,影响整体性能。
    - 解决方案:检查电路设计,确保所有外部元件都满足要求,尤其是栅极电阻和电容。

    总结和推荐


    总体而言,CPH6603 P-Channel Silicon MOSFET凭借其低导通电阻、超高速切换能力和4V驱动电压,成为一款优秀的电力电子元件。它在电源管理、电机控制和通信系统等领域的应用广泛,且表现出色。考虑到其高可靠性和广泛的应用范围,强烈推荐使用CPH6603。
    通过结合上述技术参数和使用建议,设计工程师能够更好地利用这款MOSFET,提升整个系统的性能和可靠性。

CPH6603-TL-E参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
零件状态 在售
包装方式 散装

CPH6603-TL-E厂商介绍

SANYO Electric(三洋电机)是一家日本跨国电子公司,成立于1947年,总部位于大阪。SANYO Electric主要生产和销售各种电子产品,包括家用电器、电池、移动设备、太阳能产品等。其产品广泛应用于家庭、商业、工业和能源领域。

SANYO Electric的产品主要分为以下几个类别:

1. 家用电器:包括空调、洗衣机、冰箱、微波炉等,为家庭提供便利和舒适的生活环境。

2. 电池:SANYO Electric生产各种类型的电池,如镍氢电池、锂电池等,广泛应用于移动设备、电动汽车等领域。

3. 移动设备:包括手机、平板电脑等,为人们提供便捷的通讯和娱乐工具。

4. 太阳能产品:SANYO Electric生产太阳能电池板和相关设备,为可再生能源领域做出贡献。

SANYO Electric的优势在于其强大的研发能力和创新精神,以及对产品质量的严格把控。公司不断推出新技术和新产品,以满足市场需求。此外,SANYO Electric还注重环保和可持续发展,致力于减少生产过程中的能源消耗和废弃物排放。

CPH6603-TL-E数据手册

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SANYO ELECTRIC 场效应管(MOSFET) SANYO ELECTRIC CPH6603-TL-E CPH6603-TL-E数据手册

CPH6603-TL-E封装设计

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