处理中...

首页  >  产品百科  >  K4A4G085WE-BITD

K4A4G085WE-BITD

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: SAMSUNG
产品描述: 512MB 512Mx8 1.14V 99mA 1.26V 2.666GHz POD 8bit FBGA-78
供应商型号: K4A4G085WE-BITD
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) K4A4G085WE-BITD

K4A4G085WE-BITD概述

    高质量电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    K4A4G085WE 和 K4A4G045WE 是三星公司推出的DDR4 SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)电子元器件。这些元器件具有高密度和高性能的特点,适用于广泛的应用场景,包括服务器、工作站和个人电脑等。
    产品主要功能包括:
    - 双倍数据速率传输:最高可达2666 Mb/s。
    - 1.2V供电电压范围。
    - 支持多种速度等级(1600Mbps至2666Mbps)。
    - 内置自校准功能,通过ZQ引脚实现阻抗校准。
    - 双向差分数据选通信号(DQS)支持读写操作。
    - 支持多用途寄存器、温度控制刷新等功能。
    应用领域涵盖高性能计算、网络设备、移动设备以及工业自动化等。

    2. 技术参数


    供电条件
    - VDD: 1.14V 至 1.26V
    - VDDQ: 1.14V 至 1.26V
    - VPP: 2.375V 至 2.75V
    电气特性
    - 供电电流:最大值(IDD)涵盖各种操作模式下的电流需求。
    - 工作温度范围:商业温度(0°C 至 85°C)和工业温度(-40°C 至 95°C)。
    - 时钟周期(tCK):最小1.25ns至20ns,平均值(tCK(avg))取决于速度等级。
    物理封装
    - 78球FBGA封装(78-ball FBGA Package)
    - 尺寸:7.50mm ± 0.10mm
    存储间隔(tREFI)
    - 在-40°C至85°C之间为7.8μs,在85°C至95°C之间为3.9μs。
    输入/输出参数
    - 数据输入/输出电容:0.55pF 至 1.4pF。
    - 数据选通信号输入/输出电容:最大0.15pF。

    3. 产品特点和优势


    K4A4G085WE 和 K4A4G045WE 产品具备以下几个关键优势:
    - 高数据传输率:支持高达2666Mb/s的数据传输速率,提升系统性能。
    - 低功耗:采用先进的电源管理技术,支持低功耗自刷新模式。
    - 高可靠性:支持温度控制刷新、内置自校准功能,确保长期稳定运行。
    - 灵活性:提供多种配置选项,包括多种速度等级、不同的地址总线配置等。
    - 兼容性强:广泛应用于多种设备和系统,适应性强。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景示例
    - 服务器内存条:集成在服务器内存条上,提升数据处理能力。
    - 工作站存储:用于工作站高速缓存和临时存储。
    - 个人电脑存储:提升个人电脑性能,快速读取和写入数据。
    使用建议
    - 在服务器和工作站中,应确保足够的散热措施以维持最佳工作温度。
    - 在设计个人电脑时,建议使用高速缓存(如DDR4 SDRAM)来提高整体性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 兼容所有符合JEDEC标准的系统板和控制器。
    - 与同系列的其他DDR4 SDRAM产品兼容,便于更换和升级。
    厂商支持
    - 三星电子提供全面的技术支持和客户服务,包括安装指南、故障排查和软件更新。
    - 客户可以联系附近的三星办事处获取最新的产品信息和售后支持。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 供电电压不稳导致系统不稳定。
    - 解决方案:检查供电线路,确保电压稳定在1.14V至1.26V范围内。
    2. 数据传输错误。
    - 解决方案:检查差分信号线路的阻抗匹配,确保信号质量良好。
    3. 系统无法识别内存模块。
    - 解决方案:确认模块正确插入且供电无误,尝试重新插拔或更换新的内存模块。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    K4A4G085WE 和 K4A4G045WE 是高性能、低功耗的DDR4 SDRAM产品,非常适合需要高性能存储的场合。其卓越的性能、可靠性和广泛的应用兼容性使其成为众多系统的理想选择。强烈推荐在服务器、工作站和个人电脑等高性能计算环境中使用这些产品。
    希望以上内容能够帮助您更好地理解和使用K4A4G085WE和K4A4G045WE这两款DDR4 SDRAM电子元器件。如果您有任何进一步的问题或需求,欢迎随时联系我们。

K4A4G085WE-BITD参数

参数
最大工作供电电压 1.26V
最小工作供电电压 1.14V
组织 512Mx8
数据总线宽度 8bit
接口类型 POD
存储容量 512MB
最大供电电流 99mA
最大时钟频率 2.666GHz
通用封装 FBGA-78

K4A4G085WE-BITD厂商介绍

SAMSUNG(三星)是一家总部位于韩国首尔的跨国电子公司,成立于1938年,是全球最大的信息技术公司之一。三星的业务涉及多个领域,包括消费电子、移动通信、半导体和显示器等。

主营产品分类:
1. 消费电子:包括电视、音响、家用电器等。
2. 移动通信:智能手机、平板电脑等。
3. 半导体:存储芯片、处理器等。
4. 显示器:液晶显示器、OLED显示器等。

应用领域:
三星的产品广泛应用于家庭、商业、工业等多个领域,如智能家居、移动办公、数据中心、医疗设备等。

三星的优势:
1. 技术创新:三星在半导体、显示器等领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 品牌影响力:三星是全球知名品牌,拥有广泛的客户基础。
3. 全球布局:三星在全球设有多个生产基地和研发中心,实现全球化运营。
4. 产业链整合:三星在多个领域拥有完整的产业链,实现从原材料到成品的一体化生产。

K4A4G085WE-BITD数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) SAMSUNG K4A4G085WE-BITD K4A4G085WE-BITD数据手册

K4A4G085WE-BITD封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1280+ ¥ 40.0243
12800+ ¥ 38.8235
库存: 1232
起订量: 1280 增量: 1280
交货地:
最小起订量为:1280
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
A3T2GF40CBF-HP ¥ 33.8169
A3T4GF40BBF-HP ¥ 39.4531
AQD-D4U8GR24-HE ¥ 935.6359
AS4C128M8D3LA-12BIN ¥ 0
AS4C16M16MSA-6BIN ¥ 40.1668
AS4C16M32SC-7TIN ¥ 138.0705
AS4C2M32D1A-5BIN ¥ 29.9743
AS4C4M16SA-6TINTR ¥ 16.7637
AS4C4M32D1A-5BINTR ¥ 47.4315
AS4C64M16D2A-25BCNTR ¥ 49.3288