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K4B2G0846Q-BCK0

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: SAMSUNG
产品描述: 256MB 256Mx8 1.425V 95mA 1.575V 800MHz SSTL_1.5 8bit BGA 贴片安装 11mm(长度)*7.5mm(宽度)
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标准整包数: 0
SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) K4B2G0846Q-BCK0

K4B2G0846Q-BCK0概述


    产品简介


    K4B2G0446Q 和 K4B2G0846Q DDR3 SDRAM
    K4B2G0446Q 和 K4B2G0846Q 是三星公司生产的2Gb容量的DDR3 SDRAM存储器芯片。这两款产品通过78球FBGA封装提供,支持无铅和无卤素要求(RoHS标准)。
    主要功能
    - 高速双倍数据率传输,最高可达2133Mb/s/引脚(DDR3-2133)
    - 支持多种速度等级,包括DDR3-800到DDR3-2133
    - 兼容JEDEC标准的1.5V ± 0.075V电源供应
    - 8个银行结构
    - 可编程CAS延迟、写入延迟和其他关键参数
    应用领域
    - 服务器和工作站
    - 工业自动化
    - 通信设备
    - 消费电子

    技术参数


    K4B2G0446Q 和 K4B2G0846Q 的技术参数包括:
    | 参数 | DDR3-800 | DDR3-1066 | DDR3-1333 | DDR3-1600 | DDR3-1866 | DDR3-2133 |
    ||
    | tCK(min) | 2.5ns | 1.875ns | 1.5ns | 1.25ns | 1.07ns | 0.938ns |
    | CAS Latency | 6nCK | 7nCK | 9nCK | 11nCK | 13nCK | 14nCK |
    | tRCD(min) | 15ns | 13.125ns | 13.5ns | 13.75ns | 13.91ns | 13.09ns |
    | tRP(min) | 15ns | 13.125ns | 13.5ns | 13.75ns | 13.91ns | 13.09ns |
    | tRAS(min) | 37.5ns | 37.5ns | 36ns | 35ns | 34ns | 33ns |
    | tRC(min) | 52.5ns | 50.625ns | 49.5ns | 48.75ns | 47.91ns | 46.09ns |
    工作环境和特性:
    - 平均刷新周期为7.8μs(温度低于85°C),3.9μs(温度介于85°C至95°C之间)
    - 采用异步复位机制
    - 支持内部自校准(通过ZQ引脚实现)

    产品特点和优势


    - 高传输速率:最高达2133Mb/s/引脚,适用于需要高速数据传输的应用场景。
    - 多速度等级支持:提供多种频率等级,适应不同的系统需求。
    - 高可靠性:支持内部自校准、异步复位等机制,确保数据稳定传输。
    - 多功能性:可编程CAS延迟、写入延迟等参数,便于灵活配置。
    - 环保设计:无铅、无卤素,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在服务器中,用于处理大量并发读写操作。
    - 在工业自动化中,支持实时数据采集和处理。
    使用建议:
    - 系统设计:考虑到其高速度和低延迟特性,在设计系统时应优先考虑这些参数,以确保整体性能。
    - 测试验证:在部署前进行充分的功能和性能测试,确保产品稳定可靠。

    兼容性和支持


    - 兼容性:支持不同频率等级,适用于多种系统架构。
    - 技术支持:三星官方提供详细的文档和技术支持,用户可以联系附近的三星办公室获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:产品未正常工作
    - 解决方法:检查电源电压是否符合规格(1.5V ± 0.075V);重新初始化设备,确保所有控制信号正确设置。
    问题2:传输速度不足
    - 解决方法:确认使用的频率等级是否匹配当前系统的配置;检查系统是否有足够的带宽支持所需的速度。

    总结和推荐


    综合评估:
    - K4B2G0446Q 和 K4B2G0846Q 在性能、可靠性和兼容性方面表现出色,适用于需要高性能、高稳定性的应用场景。
    - 推荐在需要高速数据传输和大容量存储的系统中使用,特别是在服务器、工业自动化等领域。
    综上所述,三星的K4B2G0446Q 和 K4B2G0846Q DDR3 SDRAM 存储器芯片凭借其出色的技术参数和应用优势,值得在相关领域内广泛使用。

K4B2G0846Q-BCK0参数

参数
数据总线宽度 8bit
接口类型 SSTL_1.5
存储容量 256MB
最大供电电流 95mA
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 256Mx8
长*宽*高 11mm(长度)*7.5mm(宽度)
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装

K4B2G0846Q-BCK0厂商介绍

SAMSUNG(三星)是一家总部位于韩国首尔的跨国电子公司,成立于1938年,是全球最大的信息技术公司之一。三星的业务涉及多个领域,包括消费电子、移动通信、半导体和显示器等。

主营产品分类:
1. 消费电子:包括电视、音响、家用电器等。
2. 移动通信:智能手机、平板电脑等。
3. 半导体:存储芯片、处理器等。
4. 显示器:液晶显示器、OLED显示器等。

应用领域:
三星的产品广泛应用于家庭、商业、工业等多个领域,如智能家居、移动办公、数据中心、医疗设备等。

三星的优势:
1. 技术创新:三星在半导体、显示器等领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 品牌影响力:三星是全球知名品牌,拥有广泛的客户基础。
3. 全球布局:三星在全球设有多个生产基地和研发中心,实现全球化运营。
4. 产业链整合:三星在多个领域拥有完整的产业链,实现从原材料到成品的一体化生产。

K4B2G0846Q-BCK0数据手册

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SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) SAMSUNG K4B2G0846Q-BCK0 K4B2G0846Q-BCK0数据手册

K4B2G0846Q-BCK0封装设计

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