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QS5K2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.25W 12V 2.8nC@ 4.5V 30V 100mΩ@ 4.5V 175pF@ 10V
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
ROHM 场效应管(MOSFET) QS5K2

QS5K2概述

    # QS5K2 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    基本信息
    QS5K2 是一款低导通电阻的硅N沟道MOSFET,采用小表面贴装封装(TSMT5)。该产品适用于开关应用,如音频视频设备、办公自动化设备、通信设备、家用电器和电子玩具等。
    主要功能
    - 低导通电阻:保证了在开关操作中的高效能。
    - 小尺寸封装:适合空间受限的应用场景。
    - 高可靠性:满足普通电子设备的要求,但不适用于极端高可靠性的场合。
    应用领域
    - 开关应用:例如电源转换、驱动电机等。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    ||
    | 栅源电压 | VGSS | - | ±2.0 | ±8.0 | V
    | 漏极电流(连续) | ID | 0.8 1.25 | A
    | 漏极电流(脉冲) | IDP| 0.9 3.2 | A | Pw≤10µs, Duty≤1% |
    | 漏-源电压 | VDSS 30 | V
    | 漏-栅漏电 | IGSS| -10 µA | VGS=12V,VDS=0V |
    | 漏-源击穿电压 | V(BR)DSS| 30 - | V
    | 栅-源电容 | Ciss| 110 175 | pF | VDS=10V |
    | 栅-漏电容 | Coss| 50 100 | pF | VGS=0V |
    | 反向转移电容 | Crss| - 25 | pF | f=1MHz |
    | 导通延迟时间 | td(on)| 10 ns
    | 上升时间 | tr | 8 ns
    | 关断延迟时间 | td(off)| 2.8 ns
    | 下降时间 | tf | 8 ns
    | 总栅电荷 | Qg| 0.6 3.9 | nC | VGS=4.5V |
    | 栅-源电荷 | Qgs| 0.8 nC
    | 栅-漏电荷 | Qgd | nC | ID=2A |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:减少功耗和提高效率,适用于高要求的开关电路。
    - 小尺寸封装:节省电路板空间,适合便携式设备和紧凑设计。
    - 高可靠性:虽然不适合极端高可靠性应用,但在一般电子设备中表现出色。
    - 电气特性曲线:提供详尽的电气特性曲线,便于工程师进行电路设计和性能评估。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换:用于高频开关电源的设计,提高电源转换效率。
    - 电机驱动:在小型电机控制应用中,用于驱动电机,提升电机响应速度。
    使用建议
    - 在使用过程中,确保散热良好,避免长时间过载运行。
    - 设计电路时,注意选择合适的外部元件,以确保整体电路的稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 与其他电子元件兼容性良好,可用于广泛的应用场景。
    - 制造商提供技术支持,可根据客户需求提供定制化服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热问题 | 确保良好的散热设计,使用散热片或风扇。 |
    | 导通电阻异常高 | 检查电路连接是否正确,确认电源电压是否合适。 |
    | 电气特性不满足规范 | 核实是否在额定条件内使用,如温度和电压。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    QS5K2 以其低导通电阻和小尺寸封装在同类产品中脱颖而出。它不仅具备高效能和可靠性,而且适用于多种应用场合。对于需要高效能和紧凑设计的电路来说,QS5K2 是一个理想的选择。
    推荐
    我们强烈推荐 QS5K2 用于开关电源、电机驱动和其他需要高效率和紧凑设计的应用。在使用过程中,建议严格按照制造商的指导进行设计和测试,以确保最佳性能和可靠性。

QS5K2参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 4.5V
最大功率耗散 1.25W
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 175pF@ 10V
栅极电荷 2.8nC@ 4.5V
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
应用等级 工业级

QS5K2厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS5K2数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS5K2 QS5K2数据手册

QS5K2封装设计

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