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UML4NTR

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: PNP 150mW 6V 100nA 15V 12V 500mA 贴片安装,黏合安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: CSJ-ST31377182
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) UML4NTR

UML4NTR概述


    产品简介


    UML4N PNP复合晶体管带肖特基势垒二极管
    UML4N 是一款集成了肖特基势垒二极管的PNP复合晶体管,封装为SOT-353(UMT5),适用于通用的小信号放大应用。该晶体管具有紧凑的设计,非常适合用于空间受限的应用场景,例如便携式设备、消费电子、汽车电子及工业控制等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值 (Ta = 25°C)
    - 二极管
    - 平均整流正向电流:IO 200 mA
    - 正向电流峰值(60Hz,1cyc):IFSM 1 A
    - 反向电压:VR 30 V
    - 结温:Tj 125 ℃
    - 晶体管
    - 集电极-基极击穿电压:BVCBO -15 V
    - 集电极-发射极击穿电压:BVCEO -12 V
    - 发射极-基极击穿电压:BVEBO -6 V
    - 集电极截止电流:ICBO -15V - -100 nA
    - 发射极截止电流:IEBO -6V - -100 nA
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) -250 mV (IC = -200mA, IB = -10mA)
    - 直流增益:hFE 270 - 680 (VCE = -2V, IC = -10mA)
    - 转换频率:fT 260 MHz (VCE = -2V, IE = 10mA, f = 100MHz)
    - 功耗:PD 150 mW/Total (每个终端连接参考焊盘)

    电气特性 (Ta = 25°C)
    - 二极管
    - 正向电压:VF IF = 200mA - 0.40 - 0.50 V
    - 反向电流:IR VR = 10V - 4.0 - 30 μA
    - 晶体管
    - 集电极-基极击穿电压:BVCBO -15 V
    - 集电极-发射极击穿电压:BVCEO -12 V
    - 发射极-基极击穿电压:BVEBO -6 V
    - 直流增益:hFE 270 - 680 (VCE = -2V, IC = -10mA)
    - 转换频率:fT 260 MHz (VCE = -2V, IE = 10mA, f = 100MHz)

    产品特点和优势


    UML4N 的主要优势在于其集成度高、体积小且性能稳定。该晶体管内部集成了一个肖特基势垒二极管,使得整体结构更为紧凑,简化了设计复杂度。此外,其具有较高的直流增益和转换频率,使其在高频信号处理中表现出色。结合其较低的功耗和出色的温度稳定性,使其适用于各种苛刻的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 便携式设备:由于其低功耗和小巧体积,UML4N 可以广泛应用于便携式设备中,如音频播放器、数码相机等。
    - 工业控制系统:UML4N 的高可靠性及宽工作温度范围,使其适合于工业控制领域的各种应用场景。
    - 汽车电子:UML4N 的抗干扰能力和良好的散热性能,使它成为汽车电子系统的理想选择。
    使用建议
    - 在高湿度环境中使用时,确保电路板密封良好,避免湿气侵入。
    - 定期进行性能检测,特别是在长期使用后。
    - 设计时需要考虑到热管理,避免长时间高负载运行导致的过热问题。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UML4N 与常见的表面贴装设备兼容,易于在各种电路板上安装。其标准包装尺寸为SOT-353,适合自动化生产流程。
    - 支持:制造商提供详细的技术支持文档和快速响应的服务,确保客户在使用过程中遇到问题能够得到及时帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管出现过热现象
    - 解决办法:检查散热设计,确保足够的散热措施。如采用散热片或散热胶等。
    2. 问题:工作时出现异常噪音
    - 解决办法:检查电路设计,确认没有电磁干扰或其他外部因素影响。
    3. 问题:无法达到预期性能
    - 解决办法:检查电源电压和电流是否符合规定范围,同时验证电路连接正确无误。

    总结和推荐


    综上所述,UML4N 是一款高性能的PNP复合晶体管,具有优良的电气特性和广泛的适用范围。虽然其已不推荐用于新设计,但在现有项目中仍能发挥重要作用。建议在设计时充分考虑其优势,并采取适当的预防措施来延长使用寿命。对于需要高可靠性和宽温度范围的场合,UML4N 是一个值得信赖的选择。

UML4NTR参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 6V
集电极电流 500mA
配置 独立式
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
晶体管类型 PNP
VCEO-集电极-发射极最大电压 12V
集电极截止电流 100nA
最大集电极发射极饱和电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 15V
最大功率耗散 150mW
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
安装方式 贴片安装,黏合安装

UML4NTR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UML4NTR数据手册

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UML4NTR封装设计

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