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QH8KA1TCR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 2.4W 20V 2.5V@1mA 3nC@ 10V 2个N沟道 30V 73mΩ@ 4.5A,10V 4.5A 125pF@ 15V TSMT-8 贴片安装 800μm(高度)
供应商型号: 4180273
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ROHM 场效应管(MOSFET) QH8KA1TCR

QH8KA1TCR概述

    # QH8KA1 30V Nch+Nch Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    QH8KA1 是一款30V Nch+Nch功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动和其他电力电子应用中。它具备低导通电阻、小表面贴装封装和环保材料等特点,符合RoHS标准且无卤素。

    技术参数


    基本规格
    - 最大漏源电压 (VDSS): 30V
    - 连续漏极电流 (ID): ±4.5A
    - 脉冲漏极电流 (ID, pulse): ±12A
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 热阻 (RthJA): 最大83.3 ℃/W
    绝对最大额定值
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 0.65 mJ
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 3 A
    - 总功耗 (PD): 2.4W
    - 结温 (Tj): 150 ℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55至+150 ℃
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)): 最大73mΩ (VGS=10V, ID=4.5A)
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): 最大1 μA
    - 栅源漏电流 (IGSS): 最大±100 nA
    - 输入电容 (Ciss): 最大125 pF
    - 输出电容 (Coss): 最大20 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 最大15 pF
    开关特性
    - 开通延迟时间 (td(on)): 最大5.0 ns
    - 上升时间 (tr): 最大7.5 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 最大10 ns
    - 下降时间 (tf): 最大3.5 ns

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: 最大值仅为73mΩ (VGS=10V),使得在高电流应用下能有效降低能耗。
    2. 小表面贴装封装: TSMT8 封装使得电路板布局更加紧凑。
    3. 无铅镀层和无卤素: 符合RoHS标准,适合环保要求较高的应用。
    4. 高可靠性: 设计考虑了长期工作的稳定性和安全性,如雪崩电流处理能力。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    QH8KA1 适用于各种开关电源、电机驱动和直流-直流转换器。其低导通电阻和高开关速度使得在高频开关应用中表现出色。
    使用建议
    - 在高频开关应用中,考虑使用更先进的栅极驱动电路以减少开关损耗。
    - 由于其较高的栅极电荷,建议选择合适的驱动电路以提高效率。
    - 严格遵守数据手册中的温度限制,确保在极端条件下依然能够可靠运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品具有良好的兼容性,可与其他标准电子元器件和设备轻松集成。
    - 支持和维护: ROHM提供详尽的技术文档和支持服务,包括安装指南、应用笔记等,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免MOSFET过热?
    - 答:通过合理设计散热结构并保证良好的气流循环来控制温度,同时遵循手册中的热阻和功耗参数进行操作。
    2. 问:如何保护MOSFET免受静电损害?
    - 答:设计ESD(静电放电)保护电路,并采取措施防止静电源的影响,例如使用接地装置和离子发生器。

    总结和推荐


    产品综合评估
    QH8KA1 作为一款高性能的30V Nch+Nch功率MOSFET,具备低导通电阻、小表面贴装封装和环保材料等优点,在开关电源和电机驱动等领域具有显著的应用价值。其优异的电气特性和可靠性使其成为众多应用的理想选择。
    推荐使用
    综合考量其在各类电力电子应用中的性能表现和稳定性,强烈推荐QH8KA1 MOSFET用于需要高效、可靠电力控制的应用场合。

QH8KA1TCR参数

参数
通道数量 2
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 125pF@ 15V
栅极电荷 3nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@ 4.5A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
Id-连续漏极电流 4.5A
配置
最大功率耗散 2.4W
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 800μm(高度)
通用封装 TSMT-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QH8KA1TCR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QH8KA1TCR数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QH8KA1TCR QH8KA1TCR数据手册

QH8KA1TCR封装设计

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5+ ¥ 2.6767
10+ ¥ 2.0278
100+ ¥ 1.8169
500+ ¥ 1.8169
1000+ ¥ 1.7845
5000+ ¥ 1.7845
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