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2SD1767T100Q

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 400mV@ 50mA,500mA NPN 2W 5V 500nA 80V 80V 700mA MPT-3 贴片安装 4.5mm*2.5mm*1.5mm
供应商型号: 11M-D-2SD1767T100Q
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) 2SD1767T100Q

2SD1767T100Q概述

    2SD1767 / 2SD1859 中功率晶体管技术手册

    产品简介


    2SD1767 和 2SD1859 是由 ROHM 生产的中功率晶体管(额定电压为 80V,最大电流为 0.7A)。这些晶体管主要用于音频视频设备、办公自动化设备、通信设备、家用电器及电子玩具等普通电子产品。它们与 2SB1189 / 2SB1238 形成互补,广泛应用于需要高击穿电压和大电流的应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 | BVCBO | - | - | 80 | V |
    | 集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | - | - | 80 | V |
    | 发射极-基极击穿电压 | BVEBO | - | - | 5 | V |
    | 集电极截止电流 | ICBO | - | - | - | µA |
    | 发射极截止电流 | IEBO | - | - | - | µA |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | - | 0.2 | - | V |
    | 直流电流增益 | hFE | 120 | - | 390 | - |
    | 转换频率 | fT | - | 120 | - | MHz |
    | 输出电容 | Cob | - | 10 | - | pF |
    绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压:80V
    - 集电极-发射极电压:80V
    - 发射极-基极电压:5V
    - 集电极电流(直流):0.7A
    - 集电极峰值电流:2A
    - 集电极耗散功率:1W
    - 结温:150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    2SD1767 和 2SD1859 晶体管具有以下显著特点和优势:
    - 高击穿电压:高达 80V,确保在高压环境下稳定运行。
    - 高电流:最大电流可达 0.7A,适合需要较大电流的应用。
    - 宽泛的工作温度范围:适用于广泛的环境温度条件,保证可靠性和稳定性。
    - 与其他设备的互补性:与 2SB1189 / 2SB1238 系列互补,为用户提供更多的选择。

    应用案例和使用建议


    这些晶体管适用于多种应用场合,如音频放大器、电源管理和控制系统等。以下是一些使用建议:
    - 音频放大器:由于其高击穿电压和大电流特性,非常适合用于音频放大器中的驱动级。
    - 电源管理:可以作为开关电源中的关键元件,提供稳定的电流输出。
    - 控制电路:在电机控制、传感器接口等领域也表现出色。
    为了最大化其性能,建议根据具体应用环境优化电路设计和组件选型。例如,在高频应用中考虑其转换频率特性和寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    2SD1767 和 2SD1859 可以与多种其他电子元器件兼容,特别是在需要互补对称电路的应用中。ROHM 提供全面的技术支持,包括详细的使用指南、应用电路示例以及售后技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 高温下晶体管表现如何?
    - A: 在高温环境下,可以通过增加散热措施来保持其正常工作。确保结温不超过 150°C。
    2. Q: 如何选择合适的封装?
    - A: 根据具体应用需求选择合适的封装类型。对于需要良好散热性能的应用,可以选择带有更大热沉面积的封装。
    3. Q: 如何测量晶体管的直流电流增益 (hFE)?
    - A: 使用标准的三极管测试仪或者万用表进行测量。确保在测试过程中满足典型的工作条件。

    总结和推荐


    2SD1767 和 2SD1859 是出色的中功率晶体管,特别适合于需要高击穿电压和大电流的应用场合。它们的设计和性能使其成为许多电子设备的理想选择。鉴于其高可靠性、广泛的适用性和强大的技术支持,强烈推荐在需要中功率晶体管的项目中使用这些产品。
    如果您需要更详细的信息或进一步的技术支持,请联系 ROHM 的销售代表。

2SD1767T100Q参数

参数
集电极截止电流 500nA
晶体管类型 NPN
配置 独立式
最大功率耗散 2W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 400mV@ 50mA,500mA
集电极电流 700mA
VCBO-最大集电极基极电压 80V
最大集电极发射极饱和电压 400mV@ 50mA,500mA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
长*宽*高 4.5mm*2.5mm*1.5mm
通用封装 MPT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

2SD1767T100Q厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

2SD1767T100Q数据手册

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ROHM 三极管(BJT) ROHM 2SD1767T100Q 2SD1767T100Q数据手册

2SD1767T100Q封装设计

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Symbol
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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.4223
10+ ¥ 6.3619
30+ ¥ 5.5667
100+ ¥ 4.6877
500+ ¥ 4.4534
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