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UMD4NTR

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 300mV@ 500µA,10mA,300mV@ 250µA,5mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 150mW 500nA 50V 100mA SOT 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: A-UMD4NTR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) UMD4NTR

UMD4NTR概述

    # EMD4 / UMD4N 双数字晶体管技术手册

    产品简介


    EMD4 / UMD4N 是一款通用型双数字晶体管(Dual Digital Transistor),广泛应用于电子设备的设计与制造中。它采用 NPN 和 PNP 晶体管组合的形式,具有体积小、性能稳定的优点,适用于多种电路设计。此产品特别适合用于逆变器(Inverter)、接口电路(Interface)和驱动器(Driver)等领域。
    主要功能
    - 集成了 NPN 和 PNP 晶体管芯片。
    - 两种封装形式:SOT-563 和 SOT-363。
    - 支持广泛的电压范围(VCC:±50V)。
    - 提供高输入电阻(R1:32.9kΩ 至 61.1kΩ)和低输出电流(IO:≤300mA)。
    应用领域
    - 数字逻辑电路。
    - 工业控制与自动化。
    - 家电设备。
    - 通信系统。

    技术参数


    以下是 EMD4 / UMD4N 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | DTr1 (NPN) | DTr2 (PNP) | 单位 |

    | 供电电压 | VCC | ±50 | ±50 | V |
    | 最大集电极电流 | IC(MAX.) | 100 | -100 | mA |
    | 输入电阻 | R1 | 32.9–61.1 | 7–13 | kΩ |
    | 输出电阻比 | R2/R1 | 0.8–1.2 | 3.7–5.7 | - |
    | 开关频率 | fT | - | - | MHz |
    其他特性包括:
    - 绝对最大额定值:工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃。
    - 电气特性:高输入阻抗(典型值 47kΩ),低功耗(PD ≤ 150mW/Total)。

    产品特点和优势


    1. 集成化设计:单一封装内包含两个独立的晶体管,减少了电路设计的空间需求。
    2. 高可靠性:内置保护功能,可有效防止干扰和噪声影响。
    3. 经济高效:支持自动贴片机安装,显著降低生产成本。
    4. 灵活性强:适用多种电压等级及应用环境。

    应用案例和使用建议


    典型应用
    - 逆变器:用于直流到交流电转换的功率管理模块。
    - 驱动器:为电机或其他负载提供稳定的驱动信号。
    - 接口电路:实现不同电压域之间的信号传输。
    使用建议
    1. 确保供电电压在规定范围内(VCC:±50V),避免超载运行。
    2. 在高频应用时注意散热措施,以维持器件长期稳定性。
    3. 配合外围电路时应预留适当裕度,特别是在动态负载条件下。

    兼容性和支持


    EMD4 / UMD4N 可与主流自动贴片机配合使用,包括 EMT3 或 UMT3 型号。此外,罗姆公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户快速上手并解决实际问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 芯片过热 | 检查散热设计,增加外部散热片或风扇。 |
    | 输出电流不稳定 | 检查连接线路是否存在接触不良或短路。 |
    | 晶体管工作异常 | 核对供电电压是否符合要求,检查接线错误。 |

    总结和推荐


    产品综评
    EMD4 / UMD4N 是一款性能优越、适应性强的通用型双数字晶体管,尤其适合对空间和成本敏感的应用场景。其紧凑的设计、高可靠性和经济性使其成为现代电子设计的理想选择。
    推荐使用
    我们强烈推荐 EMD4 / UMD4N 用于需要高性能和多功能的电子系统中。无论是工业控制还是消费电子产品,这款晶体管都能胜任苛刻的工作环境并提供卓越的表现。对于追求稳定性和经济效益的工程师而言,这无疑是一个值得信赖的选择。

UMD4NTR参数

参数
最大功率耗散 150mW
VCBO-最大集电极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 500µA,10mA/0.3 @ 250µA,5mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 500µA,10mA,300mV@ 250µA,5mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
配置
集电极截止电流 500nA
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

UMD4NTR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UMD4NTR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 三极管(BJT) ROHM UMD4NTR UMD4NTR数据手册

UMD4NTR封装设计

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