处理中...

首页  >  产品百科  >  QS5U34TR

QS5U34TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.25W(Ta) 10V 1.3V@1mA 2.5nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 180mΩ@ 1.5A,4.5V 1.5A 110pF@10V TSMT-5 贴片安装 2.9mm*1.6mm*850μm
供应商型号: A-QS5U34TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QS5U34TR

QS5U34TR概述


    产品简介


    基本介绍
    产品名称:QS5U34
    类型:1/4 晶体管
    描述:1.8V 驱动 N沟道 +肖特基二极管 MOSFET
    封装:TSMT5
    结构:硅 N沟道 MOSFET + 肖特基势垒二极管
    应用领域:负载开关、DC/DC转换
    主要功能
    - 集成N沟道MOSFET与肖特基势垒二极管于一个封装内。
    - 具有低导通电阻及快速开关特性。
    - 适用于低电压驱动(1.8V)的应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 最高反向电压 | VRM | - | - | 20 | V |
    | 最大栅源电压 | VGSS | -10 | - | 10 | V |
    | 连续漏电流 | ID | ±1.5 | - | ±3.0 | A |
    | 脉冲漏电流 | IFSM | - | - | 2.4 | A |
    | 最高结温 | TJ | - | - | 150 | °C |
    | 存储温度范围 | TSTG | -55 | - | 150 | °C |
    | 通道温度 | - | - | - | 150 | °C |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 0.9 | W/元件 |

    产品特点和优势


    - 集成设计:将N沟道MOSFET与肖特基二极管结合在一个TSMT5封装中,简化电路设计。
    - 低功耗:低导通电阻(典型值为170mΩ)及低功耗特性,适合低功耗应用场景。
    - 快速开关:具有快速开关能力,可减少能量损耗,提高效率。
    - 低电压驱动:最低驱动电压仅为1.8V,适用于需要低电压驱动的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 负载开关:利用其快速开关特性,可以有效管理电源切换,减少电路中的能量损失。
    2. DC/DC转换:适用于需要高效能量转换的场合,例如便携式设备中的电源管理系统。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,应考虑额外的散热措施,以避免过热问题。
    - 注意MOSFET和肖特基二极管的逆向电流,以免产生过大的热量而导致设备故障。
    - 设计时应注意布局,确保信号线和电源线分离,避免电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:QS5U34与多种标准电源管理和控制电路兼容,适用于多种应用场景。
    - 支持和服务:ROHM公司提供详尽的技术文档和在线支持服务,确保用户能够充分利用产品性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理高温环境下的过热问题?
    答:在设计时应增加散热片或其他冷却措施,确保器件处于安全工作温度范围内。

    2. 问:逆向电流如何影响性能?
    答:逆向电流会导致功耗增加和温度升高,影响整体效率。因此,选择合适的外围电路及冷却系统至关重要。
    3. 问:在极端条件下使用时应注意什么?
    答:在极端条件下(如高温或高压),请务必使用额外的安全措施,如防过热保护和防雷击装置。

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:QS5U34 具有集成化设计、低功耗、快速开关等特点,适用于多种电源管理和控制应用。
    - 缺点:需注意高温环境下肖特基二极管的逆向电流问题。
    推荐
    QS5U34是一款高性能、低成本的晶体管,适用于多种电力管理和控制系统。如果您需要一款具有低功耗、快速响应和易于集成的解决方案,我们强烈推荐使用这款产品。

QS5U34TR参数

参数
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 1.5A,4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 1.5A
最大功率耗散 1.25W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 110pF@10V
栅极电荷 2.5nC@ 4.5 V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 20V
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*850μm
通用封装 TSMT-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS5U34TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS5U34TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS5U34TR QS5U34TR数据手册

QS5U34TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.1893
100+ ¥ 2.9995
库存: 100
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 5.18
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336