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QS5U28TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.25W(Ta) 12V 2V@1mA 4.8nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 125mΩ@ 2A,4.5V 2A 450pF@10V TSMT-5 贴片安装 2.9mm*1.6mm*850μm
供应商型号: QS5U28TR
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ROHM 场效应管(MOSFET) QS5U28TR

QS5U28TR概述

    # QS5U28 技术手册概述

    产品简介


    QS5U28 是一款由 ROHM 公司生产的 2.5V 驱动 P 沟道 MOSFET 和肖特基势垒二极管组合而成的电子元器件。它具有低导通电阻和快速开关能力,非常适合用于负载开关和 DC/DC 转换等应用领域。此产品的封装为 TSMT5,符合无铅标准和 RoHS 规范。

    技术参数


    MOSFET 参数
    - 最大漏源电压(VDSS):-20V
    - 最大栅源电压(VGSS):±12V
    - 持续漏电流(ID):±2.0A
    - 脉冲漏电流(ID, pulse):±8.0A
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):最大 245mΩ(VGS = -2.5V)
    - 功率耗散(PD):0.9W/元件
    肖特基势垒二极管(SBD)参数
    - 反向峰值电压(VRM):25V
    - 反向电压(VR):20V
    - 正向电流(IF):1.0A
    - 正向电流浪涌峰值(IF, SM):3.0A
    - 功率耗散(PD):0.7W/元件
    综合参数
    - 总功率耗散(PD, total):1.25W/总
    - 存储温度范围(Tstg):-55℃ 至 +150℃

    产品特点和优势


    1. 集成度高:将 P 沟道 MOSFET 与肖特基势垒二极管集成在一个 TSMT5 封装内。
    2. 低导通电阻:具有非常低的静态漏源导通电阻(最大 245mΩ),适合于需要高效能的应用。
    3. 低电压驱动:只需 2.5V 即可有效驱动,适用于低电压电路。
    4. 快速开关:提供较快的开关速度,减少开关损耗。
    5. 环保合规:采用无铅电镀工艺,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:在各种负载管理应用中使用,例如电源管理电路。
    - DC/DC 转换:适用于需要高效能 DC/DC 转换的场合。
    使用建议
    1. 散热管理:尽管具有较高的功率耗散能力,但仍需注意散热,避免过热。
    2. 环境温度考虑:鉴于内置肖特基势垒二极管的高反向漏电流特性,建议充分考虑周围环境温度及 MOSFET 产生的热量,以避免热失控。

    兼容性和支持


    - 封装规格:采用 TSMT5 封装,可与多种 PCB 工艺兼容。
    - 供应商支持:ROHM 公司提供详尽的技术支持文档和专业的客户支持服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 热失控:由于肖特基势垒二极管的高反向漏电流特性,可能导致热失控。
    2. ESD 损坏:高电压环境可能对 MOSFET 造成损坏。
    解决方案
    1. 散热设计:确保电路有足够的散热措施,如增加散热片或采用热管理材料。
    2. ESD 保护:设计时考虑加入 ESD 保护电路,如瞬态电压抑制器。

    总结和推荐


    优点

    总结


    1. 高集成度:将两种元件整合在一起,简化电路设计。
    2. 高效性能:低导通电阻和低电压驱动特性,提高电路效率。
    3. 环保设计:符合 RoHS 标准,使用更环保。
    推荐结论
    QS5U28 在负载开关和 DC/DC 转换应用中表现出色,尤其适合那些需要高效能和低功耗的设计。虽然需要考虑散热和 ESD 保护问题,但总体来说,这是一款值得推荐的产品。

QS5U28TR参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 125mΩ@ 2A,4.5V
FET类型 1个P沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 1.25W(Ta)
栅极电荷 4.8nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 450pF@10V
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*850μm
通用封装 TSMT-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS5U28TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS5U28TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS5U28TR QS5U28TR数据手册

QS5U28TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 2.6325
6000+ ¥ 2.592
12000+ ¥ 2.5313
24000+ ¥ 2.4705
库存: 27000
起订量: 12000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:12000
合计: ¥ 30375.6
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