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QS8M51FRATR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.5W 20V 2.5V 4.7nC@ 5V @ NChannel,17nC@ 5V @ PChannel 100V 325mΩ@ 10V @ N Channel,470mΩ@ 10V @ P ChannelmΩ 290pF@ 25V @ N Channel,950pF@ 25V @ P Channel 贴片安装
供应商型号: QS8M51FRATR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
ROHM 场效应管(MOSFET) QS8M51FRATR

QS8M51FRATR概述

    # QS8M51FRA MOSFET 技术手册

    产品简介


    QS8M51FRA 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要用于电源转换、电机驱动、照明系统和各种需要高电流开关控制的应用场合。它以其出色的开关速度、低导通电阻和高击穿电压特性而闻名。

    技术参数


    热阻参数
    - RthJA1 (陶瓷板):2 - 83.3 °C/W
    - RthJA2 (FR4 板):2 - 113 °C/W
    电气特性(Ta = 25°C)
    - 击穿电压 (V(BR)DS):100 V
    - 击穿电压温度系数 (V(BR)DSS):-116.9 mV/°C
    - 零栅源漏电流 (IDSS):-1 AT
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):-10 A
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):1.0 - 2.5 V
    - 栅阈值电压温度系数 (VGS(th)):-3.6 mV/°C
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):240 - 325 mΩ @ VGS = 10V, ID = 2A
    - 栅极电阻 (RG):8.2 - 8.5 Ω
    - 正向转移导纳 (|Yfs|):1.5 - 1.9 S
    输入输出电容
    - 输入电容 (Ciss):290 pF (VGS = 0V)
    - 输出电容 (Coss):30 pF (VDS = 25V)
    - 反向传输电容 (Crss):20 pF (f = 1 MHz)
    开关时间参数
    - 导通延迟时间 (td(on)):10 ns
    - 上升时间 (tr):10 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):30 ns
    - 下降时间 (tf):15 ns

    产品特点和优势


    QS8M51FRA MOSFET 具有以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻:具有较低的 RDS(on),使得功率损耗减少,提高整体效率。
    - 快速开关:短的开关时间和小的延迟,有助于提升系统响应速度。
    - 高可靠性:具有良好的热稳定性及可靠的击穿电压特性。
    - 广泛的适用范围:适用于多种工业应用场景,包括电源转换和电机驱动等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    QS8M51FRA MOSFET 通常应用于电源转换器、逆变器和电机驱动系统。例如,在直流电机调速系统中,它可用于高效地控制电机的转速和方向。
    使用建议
    - 由于其快速的开关特性,应特别注意电路设计,避免出现高频振荡等问题。
    - 在设计散热方案时,需要考虑其较高的热阻,确保 MOSFET 的工作温度在安全范围内。

    兼容性和支持


    QS8M51FRA 与市场上常见的电源管理 IC 和微控制器具有良好兼容性。制造商提供了详细的技术支持文档和测试报告,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 高温下性能下降:如何有效降低热阻?
    - 解决方案:选用合适的散热器,并根据应用环境调整 PCB 设计,增加散热片面积或采用热管散热等方式。
    2. 过冲现象:在高速切换时出现电压过冲现象。
    - 解决方案:在电源路径上添加适当的去耦电容和缓冲电路来抑制电压过冲。

    总结和推荐


    QS8M51FRA MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适合用于高要求的电源管理和电机控制应用。它的低导通电阻和快速开关性能使其在市场上具备显著的竞争优势。我们强烈推荐使用 QS8M51FRA MOSFET,特别是在需要高效率和高可靠性的工业应用中。

QS8M51FRATR参数

参数
栅极电荷 4.7nC@ 5V @ NChannel,17nC@ 5V @ PChannel
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 290pF@ 25V @ N Channel,950pF@ 25V @ P Channel
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1.5W
Rds(On)-漏源导通电阻 325mΩ@ 10V @ N Channel,470mΩ@ 10V @ P ChannelmΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
通道数量 -
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

QS8M51FRATR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS8M51FRATR数据手册

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QS8M51FRATR封装设计

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