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US6K4TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1W 10V 1V@1mA 2.5nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 180mΩ@ 1.5A,4.5V 1.5A 110pF@10V SOT-363T-6 贴片安装 2mm*1.7mm*770μm
供应商型号: 30C-US6K4TR TUMT6
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) US6K4TR

US6K4TR参数

参数
栅极电荷 2.5nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 110pF@10V
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 1.5A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@1mA
Id-连续漏极电流 1.5A
最大功率耗散 1W
Vgs-栅源极电压 10V
配置
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 20V
长*宽*高 2mm*1.7mm*770μm
通用封装 SOT-363T-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

US6K4TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

US6K4TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM US6K4TR US6K4TR数据手册

US6K4TR封装设计

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Symbol
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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.9295
200+ ¥ 0.6413
1500+ ¥ 0.583
3000+ ¥ 0.5445
45000+ ¥ 0.5412
60000+ ¥ 0.5346
库存: 30890
起订量: 1 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:1
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