处理中...

首页  >  产品百科  >  US6K4TR

US6K4TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1W 10V 1V@1mA 2.5nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 180mΩ@ 1.5A,4.5V 1.5A 110pF@10V SOT-363T-6 贴片安装 2mm*1.7mm*770μm
供应商型号: 30C-US6K4TR TUMT6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) US6K4TR

US6K4TR概述

    # US6K4 1.8V Drive Nch+Nch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    US6K4 是一款1.8V驱动的N沟道MOSFET,采用TUMT6封装形式。它包含两个N沟道MOSFET,专为高速开关和低导通电阻设计。该产品主要用于开关应用,例如电源管理、电机控制等领域。

    2. 技术参数


    以下是US6K4的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS | - | - | 20 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | - | - | ±10 | V |
    | 漏极电流 | ID | - | - | 150 | A |
    | 漏极脉冲电流 | IDP | - | - | 2.4 | A |
    | 源极电流 | IS | - | - | 1.0 | A |
    | 峰值源极电流 | ISP | - | - | 0.7 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 130 | 180 | mΩ |
    | 静态导通电阻 | - | - | 170 | 240 | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | - | 110 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 18 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 5 | - | pF |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 5 | - | ns |
    | 上升时间 | tr | - | 20 | - | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | - | 3 | - | ns |
    | 下降时间 | tf | - | 1.8 | - | ns |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 0.3 | - | nC |
    热阻
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 结到环境热阻 | Rth(ch-a) | - | 125 | 179 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 高集成度:US6K4将两个N沟道MOSFET集成在单个TUMT6封装内,减小电路板空间需求。
    - 低导通电阻:在1.8V驱动电压下,具有较低的导通电阻(典型值为130mΩ),适合高频开关应用。
    - 高可靠性:具备优秀的耐温范围(-55°C至+150°C),适用于各种极端环境条件。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:US6K4可用于DC-DC转换器、负载开关等应用中,实现高效的功率转换和控制。
    - 电机控制:作为H桥逆变器的一部分,用于控制直流电机的正反转和调速。
    使用建议
    - 散热设计:鉴于较高的热阻,需要良好的散热设计以避免器件过热。
    - 保护电路:建议添加ESD保护电路,以防止静电放电对器件造成损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:US6K4与其他标准的1.8V驱动N沟道MOSFET具有良好的兼容性,可以轻松替换传统产品。
    - 支持服务:ROHM公司提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    - 问题1:器件发热严重。
    - 解决方法:增加散热片或采用散热良好的PCB设计。
    - 问题2:电路中出现振荡现象。
    - 解决方法:添加适当的栅极电阻,减少寄生电感的影响。
    - 问题3:开启延迟时间长。
    - 解决方法:适当增加栅极驱动电压,以缩短延迟时间。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    US6K4凭借其出色的低导通电阻、高集成度和广泛的温度适应性,在开关应用中表现出色。其优异的性能使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。
    推荐使用
    鉴于其高效、可靠和灵活的应用特性,我们强烈推荐使用US6K4 MOSFET。在使用过程中,建议关注散热和ESD保护,以充分发挥其性能并延长使用寿命。

US6K4TR参数

参数
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 110pF@10V
栅极电荷 2.5nC@ 4.5V
配置
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 1.5A,4.5V
Vgs-栅源极电压 10V
Id-连续漏极电流 1.5A
最大功率耗散 1W
长*宽*高 2mm*1.7mm*770μm
通用封装 SOT-363T-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

US6K4TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

US6K4TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM US6K4TR US6K4TR数据手册

US6K4TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.9295
200+ ¥ 0.6413
1500+ ¥ 0.583
3000+ ¥ 0.5445
45000+ ¥ 0.5412
60000+ ¥ 0.5346
库存: 30890
起订量: 1 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0.92
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831