处理中...

首页  >  产品百科  >  R6011ENXC7G

R6011ENXC7G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 53W(Tc) 20V 4V@1mA 32nC@ 10 V 1个N沟道 600V 390mΩ@ 3.8A,10V 11A 670pF@25V TO-220FM 通孔安装
供应商型号: CSJ-ST60768948
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) R6011ENXC7G

R6011ENXC7G概述


    产品简介


    R6011ENX 是一款 N 沟道增强型 600V 功率 MOSFET,主要应用于开关电源、逆变器和电机驱动等领域。该器件以其低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和简单驱动电路而闻名。R6011ENX 采用 TO-220FM 封装,符合无铅工艺和 RoHS 标准,适用于绿色环保电子产品设计。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDSS | 600 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | ±11 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | 53 | W |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | 0.39 | Ω |
    | 门极-源极漏电流 | IGSS | ±100 | nA |
    | 工作温度范围 | Tstg | -55 至 +150 | °C |
    | 结温 | Tj | 150 | °C |
    特点和优势
    1. 低导通电阻:典型值为 0.39Ω,有助于降低功耗并提高效率。
    2. 快速开关:非常适合高频应用,如开关电源。
    3. 简单驱动电路:易于实现单片机或数字信号控制器的集成。
    4. 并联使用便捷:多器件并联无需额外设计复杂均流电路。
    5. 环保合规:采用无铅电镀工艺,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    R6011ENX 广泛应用于工业控制领域,例如:
    - 开关电源:适用于高频硬开关拓扑结构,如 LLC 谐振变换器。
    - 逆变器:如光伏逆变器和 UPS 系统,提供高效能源转换。
    - 电机驱动:用于低压直流电机的高效驱动。
    使用建议
    1. 在设计时,建议通过热仿真确保器件的工作温度不超过 150℃,特别是在高功率应用中。
    2. 在高频开关应用中,需要适当降低栅极电荷(Qg)以减少开关损耗。
    3. 使用并联器件时,建议通过电阻或电感实现均流。

    兼容性和支持


    R6011ENX 可与其他标准 TO-220FM 封装器件互换,支持主流焊接工艺。制造商 ROHM 提供全面的技术支持和售后保障,包括样品申请、设计咨询和技术文档下载。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 选择更低 RDS(on) 的器件或降低工作频率。 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,增加外部散热片或风扇。 |
    | 门极驱动不稳定 | 使用专用驱动芯片或优化门极电阻值。 |

    总结和推荐


    R6011ENX 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,适用于多种工业和消费电子领域。其显著优势在于低导通电阻、快速开关特性和环保合规性。总体评价,我们强烈推荐这款器件用于需要高效能、紧凑设计的应用场合。无论是开关电源还是电机驱动,R6011ENX 都是理想的选择。

R6011ENXC7G参数

参数
配置 -
栅极电荷 32nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 390mΩ@ 3.8A,10V
Id-连续漏极电流 11A
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 670pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 53W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
通道数量 -
通用封装 TO-220FM
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

R6011ENXC7G厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

R6011ENXC7G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM R6011ENXC7G R6011ENXC7G数据手册

R6011ENXC7G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.6397 ¥ 22.3583
库存: 970
起订量: 19 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 22.35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336