处理中...

首页  >  产品百科  >  QS8K21

QS8K21

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.5W 20V 5.4nC@ 5V 45V 53mΩ@ 10V 460pF@ 10V
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
ROHM 场效应管(MOSFET) QS8K21

QS8K21概述

    QS8K21 45V Nch + Nch Middle Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    QS8K21 是一款由 ROHM 制造的 45V N 沟道增强型中功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用 SMT8 封装,具有低导通电阻、内置栅源保护二极管等特性,适用于各种高效率开关电源及电机驱动等应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 45 | V |
    | 持续漏极电流 | ±4 | A |
    | 脉冲漏极电流(峰值) | ±12 | A |
    | 栅源电压 | ±20 | V |
    | 总功率耗散(环境温度 25℃) | 1.5 | W |
    | 结温范围 | -55 至 +150 | ℃ |
    | 热阻 | 83.3 | ℃/W |
    | 静态漏源导通电阻 | 38 至 75 | mΩ |
    | 栅电荷 | 5.4 | nC |
    | 逆向传输电容 | 55 | pF |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:确保在高效率应用中表现出色,降低功耗。
    - 内置栅源保护二极管:有效防止电路中的过压现象。
    - 小型表面贴装封装(TSMT8):方便集成到紧凑设计中。
    - 无铅电镀和符合RoHS标准:环保友好。

    4. 应用案例和使用建议


    QS8K21 主要应用于高效率的开关电源系统,如直流-直流转换器、LED驱动电路和马达驱动控制。这些应用场景需要较高的电流稳定性和较低的导通电阻。建议在使用时考虑适当的散热措施以延长器件寿命,特别是在高负载条件下。

    5. 兼容性和支持


    QS8K21 支持通过标准的SMT工艺进行安装,具有较好的兼容性。ROHM 提供详细的技术文档和支持,有助于快速设计并验证电路板布局。此外,还可以通过在线技术支持获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件温度过高 | 确保良好的散热设计,选择合适的散热片或风冷系统。 |
    | 开关时间不一致 | 检查驱动信号是否足够强,并优化电路板布线以减少寄生电容。 |
    | 启动时器件不响应 | 确认栅极信号幅值和频率是否正确,并检查是否有任何短路。 |

    7. 总结和推荐


    总体来看,QS8K21 在其设计规格范围内表现优异,适合需要高可靠性和高效能的应用。其独特的低导通电阻和内置保护功能使其在市场上具有较强的竞争优势。我们强烈推荐在高电流应用中使用这款产品,以实现更佳的性能和可靠性。
    这篇技术手册涵盖了产品的基本介绍、技术参数、优势特点、应用案例、兼容性与支持,以及常见问题解答等内容,旨在为工程师和技术爱好者提供全面详尽的信息,以辅助他们在具体项目中的选型与应用。

QS8K21参数

参数
栅极电荷 5.4nC@ 5V
Rds(On)-漏源导通电阻 53mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 460pF@ 10V
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 45V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1.5W
应用等级 工业级

QS8K21厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS8K21数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS8K21 QS8K21数据手册

QS8K21封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336