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US6M2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1W 12V 1.6nC@ 4.5V @ NChannel,2.1nC@ 4.5V @ PChannel 30V@ N Channel,20V@ P Channel 240mΩ@ 4.5V @ N Channel,390mΩ@ 4.5V @ P ChannelmΩ 80pF@ 10V @ N Channel,150pF@ 10V @ P Channel
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标准整包数: 0
ROHM 场效应管(MOSFET) US6M2

US6M2概述

    US6M2:2.5V驱动N沟道+P沟道MOSFET

    产品简介


    US6M2 是一款集成了N沟道和P沟道MOSFET的电子元器件,采用TUMT6封装。它具有高开关速度、低导通电阻的特点,并支持2.5V的低电压驱动。内置的G-S保护二极管可以有效保护电路免受静电放电的损害。此款产品广泛应用于各种开关应用中,如音频视觉设备、办公自动化设备、通信设备、家用电器和电子玩具等。

    技术参数


    基本规格
    - 封装代码:TUMT6
    - 基本订购单位(件):3000
    - 封装类型:Taping
    绝对最大额定值
    - 栅源电压(VGSS):±1.5V
    - 漏极电流(ID):12A(连续),0.6A(脉冲)
    - 源电流(IS):±4A(连续),0.7A(脉冲)
    - 功耗(PD):1.0W(总功率),0.7W(单个元件)
    - 工作温度范围(Tch):-20°C到+150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C到+150°C
    热阻抗
    - 栅源泄漏电流(IGSS):≤10μA
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):30V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):≤1mA
    - 导通电阻(RDS(on)):170mΩ(典型值)
    电气特性
    - 输入电容(Ciss):240pF(典型值)
    - 输出电容(Coss):13pF(典型值)
    - 反向转移电容(Crss):7pF(典型值)
    - 开启延迟时间(td(on)):9ns(典型值)
    - 上升时间(tr):15ns(典型值)
    - 关断延迟时间(td(off)):6ns(典型值)
    - 下降时间(tf):1.6ns(典型值)
    - 总栅极电荷(Qg):1.6nC(典型值)

    产品特点和优势


    US6M2具有以下显著特点和优势:
    1. 高开关速度:可以快速切换,提高系统的整体性能。
    2. 低导通电阻:降低功耗并减少发热,延长设备寿命。
    3. 低电压驱动:2.5V驱动使其在低电压应用中表现出色。
    4. 内置G-S保护二极管:提供额外的保护,确保电路稳定运行。
    这些特点使US6M2在市场上具有很强的竞争力,特别适合于需要高效率和高可靠性的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:US6M2可应用于多种场景,例如音频放大器中的开关电源、家庭自动化系统中的控制电路以及通讯设备中的信号调理电路。其低导通电阻和高开关速度有助于提升系统性能。
    使用建议:
    1. 注意工作条件:确保工作温度在-20°C到+150°C范围内,避免过热或过冷导致损坏。
    2. 合理布局:电路板设计时应注意散热设计,确保良好的散热效果。
    3. 选择合适的栅极电阻:适当调整栅极电阻值以确保MOSFET的正常工作,避免电流过大。

    兼容性和支持


    US6M2在结构和引脚定义上与标准MOSFET相兼容,可直接替换使用。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,还提供了在线技术支持平台,用户可以通过该平台咨询和解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备启动时出现异常噪音。
    解决办法:检查栅极电阻值是否正确设置,并确保电容和电感等无损元件的安装正确。

    2. 问题:设备功耗过高。
    解决办法:确认导通电阻是否正常,适当增加栅极驱动电压或优化电路设计。

    总结和推荐


    US6M2是一款性能优异的N沟道+P沟道MOSFET,具备高开关速度、低导通电阻和内置保护二极管等特点。它适用于多种应用场景,特别是在需要高效能和高可靠性的设备中表现突出。因此,强烈推荐在相关项目中使用US6M2,以获得更好的性能和用户体验。

US6M2参数

参数
FET类型 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 1.6nC@ 4.5V @ NChannel,2.1nC@ 4.5V @ PChannel
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ@ 4.5V @ N Channel,390mΩ@ 4.5V @ P ChannelmΩ
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 30V@ N Channel,20V@ P Channel
最大功率耗散 1W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 80pF@ 10V @ N Channel,150pF@ 10V @ P Channel
Vgs-栅源极电压 12V
配置 -

US6M2厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

US6M2数据手册

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US6M2封装设计

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