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EMX18T2R

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: ROHM NPN低饱和度双极晶体管, SOT-563封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流500 mA, 最大集电极-发射电压12 V
供应商型号: EMX18T2R
供应商: 国内现货
标准整包数: 8000
ROHM 三极管(BJT) EMX18T2R

EMX18T2R概述

    #

    产品简介


    EMX18 / UMX18N 双通用晶体管
    EMX18 和 UMX18N 是由 ROHM 公司生产的双通用晶体管(Dual Transistors)。这些晶体管主要应用于低频放大器和驱动电路,具备高性能和可靠的电气特性。该系列产品包含两个独立的晶体管芯片,可以在不同的封装类型(如 SOT-563 和 SOT-363)下使用,适用于多种电子设备。

    技术参数


    主要技术规格
    - 工作电压
    - 集电极-基极击穿电压 (VCBO): 15V
    - 集电极-发射极击穿电压 (VCEO): 12V
    - 发射极-基极击穿电压 (VEBO): 6V
    - 最大集电极电流 (IC): 500mA
    - 脉冲条件下最大集电极电流 (ICP): 1.0A
    - 功率耗散 (PD):
    - EMX18: 150mW
    - UMX18N: 150mW
    - 工作温度范围 (Tj): 150℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55℃ 至 +150℃
    电气特性
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 在 IC = 200mA, IB = 10mA 时, 最小值为 90mV,最大值为 250mV
    - 直流电流增益 (hFE): 在 VCE = 2V, IC = 10mA 时, 最小值为 270,最大值未定义
    - 截止电流
    - 集电极截止电流 (ICBO): VCB = 15V 时, 最大值为 100nA
    - 发射极截止电流 (IEBO): VEB = 6V 时, 最大值为 100nA
    - 过渡频率 (fT): 在 VCE = 2V, IE = -10mA, f = 100MHz 时, 最小值为 320MHz
    - 输出电容 (Cob): 在 VCB = 10V, IE = 0A, f = 1MHz 时, 最大值为 7.5pF

    产品特点和优势


    1. 双晶体管设计: 每个封装内有两个独立的晶体管芯片,分别为 EMT 或 UMT 包装。
    2. 自动化安装: 支持使用 EMT3 或 UMT3 自动安装机进行安装,极大地提高了生产效率。
    3. 独立晶体管元素: 使得晶体管之间的干扰减少,从而提高整体系统的稳定性。
    4. 成本和空间优化: 由于采用双晶体管设计,安装成本和面积可以减半,适合高密度组装需求。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    EMX18 和 UMX18N 广泛应用于低频放大器和驱动电路。典型的应用包括音频放大器、通信设备以及汽车电子系统中的信号处理。
    使用建议
    1. 散热管理: 由于功率耗散较大,确保适当的散热措施,避免长时间过载。
    2. 静电防护: 处理和安装时务必注意静电防护,防止损坏晶体管。
    3. 环境适应性: 确保工作环境温度和湿度在规定的范围内,避免极端条件导致性能下降。

    兼容性和支持


    兼容性
    EMX18 和 UMX18N 可以与市场上主流的自动安装设备兼容,支持 EMT3 或 UMT3 自动安装机,便于大规模生产和集成。
    厂商支持
    ROHM 公司提供了详尽的技术文档和售后服务,客户可以通过其官方网站获取更多技术支持和最新信息。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何防止静电损害?
    - A: 在制造过程中应采取防静电措施,例如接地人体和设备、使用离子风机等。
    2. Q: 如何保证最佳工作温度?
    - A: 确保工作环境温度在 -55℃ 至 +150℃ 范围内,并在极端温度下采取必要的热管理措施。
    3. Q: 何时需要更换设备?
    - A: 定期检查设备的工作状态,特别是功耗和温度,以确保长期稳定运行。

    总结和推荐


    EMX18 和 UMX18N 是出色的双晶体管产品,适用于各种低频放大器和驱动电路。其独特的优势包括独立的晶体管设计、高可靠性以及便捷的自动化安装。此外,ROHM 提供全面的技术支持和保障,使其成为市场上极具竞争力的产品。
    综上所述,我们强烈推荐使用 EMX18 和 UMX18N 这两款晶体管,特别是在需要高性能、高可靠性的低频放大和驱动电路中。

EMX18T2R参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 15V
晶体管类型 2 NPN (Dual)
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 10mA,200mA
VEBO-最大发射极基极电压 6V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 10mA,200mA
集电极电流 500mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 12V
配置
集电极截止电流 100nA
最大功率耗散 150mW
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*500μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

EMX18T2R厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

EMX18T2R数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 三极管(BJT) ROHM EMX18T2R EMX18T2R数据手册

EMX18T2R封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
8000+ ¥ 0.7051
16000+ ¥ 0.6943
32000+ ¥ 0.678
64000+ ¥ 0.6617
库存: 56000
起订量: 48000 增量: 8000
交货地:
最小起订量为:32000
合计: ¥ 21696
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