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QS5W1TR

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 400mV@ 50mA,1A 2 NPN (Dual) Common Emitter 1.25W 6V 1μA 30V 30V 3A TSMT-5 贴片安装
供应商型号: CSJ-ST40593509
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) QS5W1TR

QS5W1TR概述


    产品简介


    QS5W1 中功率晶体管是一款由 ROHM 公司生产的 NPN 硅外延平面晶体管,适用于低频放大器等领域。它具有以下基本特征:
    - 电压范围:集电极-基极电压 (VCBO) 和集电极-发射极电压 (VCEO) 都为 30V。
    - 电流容量:集电极电流 (IC) 最大为 3A。
    - 电源消耗:最大功耗为 0.5W/总计,1.25W/总计,0.9W/单元。
    - 工作温度范围:储存温度 (Tstg) 在 -55℃ 到 150℃ 之间。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 30V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 30V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 6V
    - 集电极电流 (IC): 3A(直流)
    - 脉冲电流 (ICP): 6A
    - 功率消耗 (PD): 0.5W/总计,1.25W/总计,0.9W/单元
    - 结温 (Tj): 150℃
    - 储存温度范围 (Tstg): -55℃ 至 150℃
    电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): 30V
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): 30V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): 6V
    - 集电极截止电流 (ICBO): -1μA @ VCB=30V
    - 发射极截止电流 (IEBO): -1μA @ VEB=4V
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 0.4V (典型值) @ IC=1A, IB=50mA
    - 直流电流增益 (hFE): 200-500 @ VCE=2V, IC=500mA
    - 开启时间 (ton): 25ns (典型值)
    - 存储时间 (tstg): 300ns (典型值)
    - 下降时间 (tf): 20ns (典型值)

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 低饱和电压: VCE(sat) 最大值为 0.4V (IC/IB=1A/50mA)。
    - 高速开关: 开启时间为 25ns,存储时间为 300ns,下降时间为 20ns,适合高速应用。
    优势:
    - 高电流处理能力(最高可达 3A),适合多种应用需求。
    - 优秀的饱和电压和快速的开关性能,使其在高频和低频应用中表现优异。
    - 广泛的工作温度范围 (-55℃ 到 150℃),确保在极端条件下也能稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 低频放大器: 该晶体管在低频放大器中表现出色,适用于音频电路和其他需要低频信号放大的场合。
    使用建议:
    - 由于其出色的饱和电压和高电流处理能力,建议用于需要快速响应和高可靠性要求的应用场合。
    - 在设计电路时需考虑其工作温度范围,尤其是在极端环境中,确保合适的散热措施。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该晶体管适用于大多数标准电路板设计,并能与各种常见的 PCB 材料兼容。
    支持:
    - ROHM 提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用这款晶体管的优势。

    常见问题与解决方案


    问题1: 集电极-发射极电压 (VCEO) 达到最大值时的性能如何?
    - 解决方案: 可以通过合理的设计和散热措施来避免电压过高导致的性能下降。
    问题2: 开启时间和存储时间会影响哪些方面?
    - 解决方案: 通过调整基极电流和驱动电路的设计,可以优化这些参数,提高整体系统的性能。

    总结和推荐


    综上所述,QS5W1 中功率晶体管凭借其低饱和电压和高速开关特性,在低频放大器等应用中表现出色。它的广泛工作温度范围和可靠的设计使其成为许多电子项目的理想选择。总体而言,我非常推荐这款产品给需要高性能低频晶体管的工程师和技术人员。

QS5W1TR参数

参数
最大功率耗散 1.25W
集电极截止电流 1μA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 400mV@ 50mA,1A
VEBO-最大发射极基极电压 6V
集电极电流 3A
配置
VCEO-集电极-发射极最大电压 30V
晶体管类型 2 NPN (Dual) Common Emitter
最大集电极发射极饱和电压 400mV@ 50mA,1A
VCBO-最大集电极基极电压 30V
3mm(Max)
1.8mm(Max)
950μm(Max)
通用封装 TSMT-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS5W1TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS5W1TR数据手册

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ROHM 三极管(BJT) ROHM QS5W1TR QS5W1TR数据手册

QS5W1TR封装设计

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