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UMB6NTR

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 300mV@ 500µA,10mA 2 个 PNP 预偏压式(双) 500nA 50V 30mA 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: CSJ-ST31366034
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) UMB6NTR

UMB6NTR概述


    产品简介


    EMB6/UMB6N通用型双数字晶体管(DTr1 和 DTr2)
    EMB6/UMB6N系列是罗姆公司(ROHM)推出的一款小型化、高性能的通用型双数字晶体管,适用于各种需要小体积、高可靠性的电子设计场景。它具有两颗独立且无干扰的DTA144E芯片封装在单一模块中,主要功能为驱动和接口应用。此系列晶体管支持自动装配工艺(如EMT3或UMT3设备),便于高效生产。通过将两组独立的晶体管集成于同一封装中,不仅能够节省电路板空间,还能降低整体成本。
    主要功能:
    - 高可靠性双晶体管配置,每通道支持独立工作。
    - 专用于驱动器、接口电路及逆变器等应用。
    - 适合SMT贴片工艺,易于自动化生产。
    - 高电气性能和良好的稳定性。
    应用领域:
    - 接口电路:如信号放大、电平转换。
    - 驱动器:LED、继电器等负载驱动。
    - 逆变器系统:功率变换电路中控制元件。

    技术参数


    以下是EMB6/UMB6N系列的技术规格概述:
    | 参数 | 典型值 | 单位 |
    |
    | 供电电压(VCC) | -50 | V |
    | 最大集电极电流(IC(MAX)) | -100 | mA |
    | 输入电阻(R1) | 47kΩ | kΩ |
    | 过渡频率(fT) | 250 | MHz |
    | 最大功耗(PD) | 150 | mW/总功耗 |
    | 工作温度范围(Tj) | -55至+150 | °C |
    其他参数:
    - 输入电压范围:-40V 至 +10V
    - 输出电压(Vo):-300 至 -100mV
    - 最大存储温度范围:-55至+150℃
    产品特点与优势
    1. 高集成度: 内置两个独立晶体管,简化电路设计并减少元件数量。
    2. 兼容性强: 支持多种标准封装(SOT-563和SOT-363),方便适配不同PCB布局。
    3. 成本优化: 小型化设计显著降低生产成本,同时实现高效自动化制造。
    4. 高可靠性: 消除内部干扰,保证信号传输质量。
    5. 灵活应用: 可广泛应用于消费电子、工业控制等领域,满足多样化需求。
    应用案例与使用建议
    1. 驱动器应用: 在LED驱动电路中,EMB6/UMB6N可用于调节输出电流,确保LED亮度稳定。推荐使用时结合限流电阻以避免过载现象。
    2. 接口电路: 在RS485通信中作为电平转换器件,提高信号抗噪能力。
    3. 逆变器系统: 作为开关元件控制高频切换操作。注意散热设计,确保不超过额定功率限制。
    使用建议:
    - 为防止静电损伤,在装配前应确保设备处于接地状态。
    - 在恶劣环境下使用时,需添加额外保护电路以增强耐用性。
    - 测试阶段应关注输出电压和电流的平衡性,调整外部电阻阻值以达到最佳性能。
    兼容性与支持
    EMB6/UMB6N系列与主流的SMT工艺完全兼容,适用于市面上常见的贴片机。此外,ROHM提供了全面的技术支持,包括:
    - 完整的设计文档和技术资料。
    - 基于应用场景的模拟工具和应用实例。
    - 专业的客户支持团队,提供故障排查服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 输出电流异常 | 检查电源电压是否在规定范围内,调整外部电阻值。 |
    | 静电损伤导致损坏 | 装配过程中需佩戴防静电手环并确保设备接地。 |
    | 温度过高导致失效 | 改善散热措施,必要时增加散热片或风扇。 |
    总结与推荐
    总体而言,EMB6/UMB6N是一款性能优异且极具性价比的小型化晶体管产品,尤其适合对成本敏感且需要高度集成化的应用场景。其小巧尺寸、卓越的电气特性和易用性使其成为众多电子设计的理想选择。不过需要注意的是,由于已明确标注“不推荐用于新产品设计”,因此在研发全新项目时应谨慎选择替代品,优先考虑最新版本产品。
    推荐指数:⭐️⭐️⭐️⭐️
    建议在现有产品升级或对成本敏感的工业应用中使用。

UMB6NTR参数

参数
集电极截止电流 500nA
配置
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大功率耗散 -
集电极电流 30mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 500µA,10mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双)
最大集电极发射极饱和电压 -
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐

UMB6NTR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UMB6NTR数据手册

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UMB6NTR封装设计

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