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QS5U12TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.25W(Ta) 12V 1.5V@1mA 3.9nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 100mΩ@ 2A,4.5V 2A 175pF@10V TSMT-5 贴片安装 2.9mm*1.6mm*850μm
供应商型号: 755-QS5U12TR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QS5U12TR

QS5U12TR概述


    产品简介


    QS5U12 是一款集成N沟道MOSFET和肖特基势垒二极管(SBD)的单片封装器件。该产品适用于负载开关和DC/DC转换器等领域。它具有低导通电阻、快速开关特性和低电压驱动能力,能够显著提高系统的能效和可靠性。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 驱动电压:2.5V
    - 最大漏源电压:30V
    - 最大连续漏电流:±2.0A
    - 最大耗散功率:1.25W(总)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 封装:TSMT5
    - 电气特性:
    - 最小门阈电压(VGS(th)):0.5V
    - 典型门阈电压(VGS(th)):1.5V
    - 最大导通电阻(RDS(on)):154mΩ(VGS=2.5V, ID=2.0A)
    - 最大门泄漏电流(IGSS):10μA
    - 典型反向漏电流(IR):200μA
    - 体二极管特性:
    - 前向压降(VF):0.45V
    - 反向峰值电压(VRM):25V
    - 反向最大电流(IFSM):3.0A

    产品特点和优势


    - 集成化设计:将N沟道MOSFET与肖特基势垒二极管集成于单一封装内,减少了电路板的空间需求。
    - 低导通电阻:最大导通电阻仅为100mΩ(VGS=4.5V, ID=2.0A),适合高效能的电源管理应用。
    - 低电压驱动:仅需2.5V即可有效驱动,降低了对电源的要求。
    - 高可靠性:符合RoHS标准,无铅电镀,确保环保与长期稳定性。
    - 优异的开关特性:低反向漏电流与快速开关特性使其适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:用于控制不同负载的开关状态,如电池管理系统的开关切换。
    - DC/DC转换器:适用于需要高效率、低损耗的直流到直流转换应用。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免由于过热导致的热失控现象。
    - 考虑使用保护电路来应对静电放电(ESD)风险。
    - 在特殊环境下使用时,要预先验证其性能和可靠性,比如高温或高湿度环境。

    兼容性和支持


    - 兼容性:QS5U12可以与其他电子元器件轻松集成,适用于各种电路设计。
    - 支持:ROHM公司提供详尽的技术文档和客户支持服务,确保用户在设计和应用过程中的顺利进行。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何防止因静电放电引起的损坏?
    - A: 使用防静电工具和设备,如接地的人体/设备/焊枪,并在存储和运输过程中注意防静电措施。
    2. Q: 高温环境下如何保证产品的可靠运行?
    - A: 降低输出功率以减小发热,确保工作环境温度不超过规定的最大值,并考虑增加散热措施。
    3. Q: 如何测试和验证产品的性能?
    - A: 使用示波器等专业仪器测量其开关时间和频率响应,确保满足应用需求。

    总结和推荐


    总结:
    - QS5U12是一款高性能的电子元器件,集成了MOSFET和肖特基势垒二极管,具有出色的电气特性和紧凑的设计。
    - 适用于多种应用,特别是负载开关和DC/DC转换器。
    - 具备优异的电气特性,可在严苛环境下稳定工作。
    推荐:
    - 强烈推荐使用QS5U12作为高性能、可靠性的电子元器件选择。它在许多应用场景中表现出色,值得在电源管理和控制系统中推广。

QS5U12TR参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 3.9nC@ 4.5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 175pF@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@1mA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
最大功率耗散 1.25W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 2A,4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*850μm
通用封装 TSMT-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS5U12TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS5U12TR数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS5U12TR QS5U12TR数据手册

QS5U12TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.736 ¥ 6.2192
10+ $ 0.6245 ¥ 5.2766
100+ $ 0.4103 ¥ 3.467
500+ $ 0.3197 ¥ 2.7013
1000+ $ 0.2927 ¥ 2.4731
3000+ $ 0.2365 ¥ 1.9986
6000+ $ 0.2258 ¥ 1.9076
9000+ $ 0.2237 ¥ 1.8898
库存: 3020
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