处理中...

首页  >  产品百科  >  QS5U33TR

QS5U33TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.25W(Ta) 20V 2.5V@1mA 3.4nC@ 5 V 1个P沟道 30V 135mΩ@ 2A,10V 2A 310pF@10V TSMT-5 贴片安装 2.9mm*1.6mm*850μm
供应商型号: CSJ-ST37814315
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QS5U33TR

QS5U33TR概述

    QS5U33: 4V驱动P沟道MOSFET及肖特基二极管技术手册

    1. 产品简介


    QS5U33 是一款专为高效率和紧凑设计而开发的产品,它集成了一个P沟道功率MOSFET和一个肖特基势垒二极管(SBD)。该器件采用TSMT5封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于负载开关和DC/DC转换等应用。它的主要功能是提供高效可靠的电流控制和电压保护,特别适合用于电池供电设备、工业自动化系统和消费电子产品等领域。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDSS): -30V
    - 最大连续漏极电流 (ID): ±2.0A
    - 最大脉冲漏极电流 (ID, pulse): ±8.0A
    - 最大电源功耗 (PD): 1.25W(总)
    - 最大栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 工作温度范围 (Tj): -55℃至+150℃
    - 储存温度范围 (Tstg): -55℃至+150℃
    - 前向电压 (VF): 0.45V(最大)
    - 反向电流 (IR): 200μA(最大)

    3. 产品特点和优势


    - 集成P沟道MOSFET与肖特基二极管: 在单个TSMT5封装内集成了两个核心组件,节省空间并简化电路设计。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在多种电压条件下的导通电阻最低可达95mΩ,保证高效的电流传输。
    - 快速开关性能: 低电压驱动下具有良好的动态响应能力,确保了在高速开关应用中的表现。
    - 铅-Free和RoHS合规: 符合环保标准,有助于延长产品寿命和提升安全性。
    - 内置低VF肖特基势垒二极管: 具有较低的正向压降,有效减少功率损耗。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 负载开关:适用于需要精确电流控制的应用,如电机控制、照明系统等。
    - DC/DC转换:常用于各种便携式设备中,提供稳定可靠的电源转换。
    使用建议:
    - 确保在使用过程中避免过高的温度上升,特别是当存在大电流流动时。
    - 设计ESD保护电路以防止静电放电对器件造成损坏。
    - 选择合适的散热措施,避免热失控现象的发生。

    5. 兼容性和支持


    该产品与大多数常见的电子元器件兼容,但需注意某些特定条件下可能存在的限制。例如,在高温环境下使用时,需采取额外的散热措施。此外,制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和利用这款产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 使用时出现异常发热现象。
    - 解决方案: 检查散热措施是否足够,必要时增加外部散热片或风扇。
    问题2: 开关过程中出现不稳定。
    - 解决方案: 确认输入信号的稳定性和驱动电压是否符合要求,调整相关参数直至达到最佳状态。

    7. 总结和推荐


    综上所述,QS5U33是一款高度集成、性能卓越的电子元器件,尤其适合需要高效率和紧凑设计的应用场合。其优异的导通电阻、快速的开关速度和良好的兼容性使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐给正在寻找高效、可靠解决方案的设计工程师们。

QS5U33TR参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1.25W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 135mΩ@ 2A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
栅极电荷 3.4nC@ 5 V
通道数量 1
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 310pF@10V
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*850μm
通用封装 TSMT-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS5U33TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS5U33TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS5U33TR QS5U33TR数据手册

QS5U33TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.1502 ¥ 1.2718
库存: 3000
起订量: 331 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 1.27
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336