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UMZ1NTR

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 400mV@ 5mA,50mA,500mV@ 5mA,50mA 1 NPN,1 PNP 150mW 7V@ NPN,6V@ PNP 100nA 60V 50V 150mA 贴片安装
供应商型号: UNP-UMZ1NTR
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) UMZ1NTR

UMZ1NTR概述

    EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A 双晶体管技术手册

    1. 产品简介


    EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A 是一款通用型晶体管(双晶体管),适用于小信号放大应用。这些晶体管具有NPN和PNP两种类型,能够在多种电子产品中提供高效稳定的信号处理能力。它们广泛应用于各种普通电子设备,如音频设备、办公自动化设备、电信设备、家用电器、娱乐设备等。

    2. 技术参数


    以下为 EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A 的主要技术参数,概括如下:
    | 参数 | 型号 | NPN | PNP |
    ||
    | 最大集电极-基极电压 | VCEO | 50V | -50V |
    | 最大集电极电流 | IC | 150mA | -150mA |
    | 最大耗散功率 | PD | 150mW (总) | 300mW (总) |
    | 工作温度范围 | Tj | 150℃ | 150℃ |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55°C至+150°C | -55°C至+150°C |
    电气特性(Ta = 25°C)
    - NPN晶体管
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): IC = 50μA, 60V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): IC = 1mA, 50V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): IE = 50μA, 7V
    - 集电极截止电流 (ICBO): VCB = 60V, -100nA
    - 发射极截止电流 (IEBO): VEB = 7V, -100nA
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): IC = 50mA, IB = 5mA, 400mV
    - 直流电流增益 (hFE): VCE = 6V, IC = 1mA, 120-560
    - 转频 (fT): VCE = 12V, IE = -2mA, f = 100MHz, 180MHz
    - 输出电容 (Cob): VCB = 12V, IE = 0A, f = 1MHz, 2.0-3.5pF
    - PNP晶体管
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): IC = -50μA, -60V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): IC = -1mA, -50V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): IE = -50μA, -6V
    - 集电极截止电流 (ICBO): VCB = -60V, -100nA
    - 发射极截止电流 (IEBO): VEB = -6V, -100nA
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): IC = -50mA, IB = -5mA, -500mV
    - 直流电流增益 (hFE): VCE = -6V, IC = -1mA, 120-560
    - 转频 (fT): VCE = -12V, IE = 2mA, f = 100MHz, 140MHz
    - 输出电容 (Cob): VCB = -12V, IE = 0A, f = 1MHz, 4.0-5.0pF

    3. 产品特点和优势


    - 双重功能:每个芯片内都集成一个NPN和一个PNP晶体管,既节省空间又方便安装。
    - 自动化兼容:可与EMT3或UMT3或SMT3自动安装机兼容,提高生产效率。
    - 独立单元:晶体管元素独立存在,避免干扰。
    - 成本和面积减少:由于采用独立元件设计,可以减少安装成本和占用面积。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 一般用途的小信号放大器,如音频处理、信号调节等。
    - 适用于需要高频响应的应用场景,例如电信设备和计算机接口电路。
    使用建议:
    - 在应用时应确保电路设计合理,避免过载运行,特别是在脉冲负载条件下,建议进行性能测试。
    - 确保操作温度在规定范围内(-55°C至+150°C),以避免性能劣化。
    - 使用时需注意静电保护措施,避免静电损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的表面贴装设备兼容,能够与市面上常见的自动装配设备一起使用。
    - 支持:ROHM公司提供详尽的技术支持和维护服务,包括安装指南和故障排查手册。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管过热损坏
    - 解决方案:适当降低输入功率,避免超出最大允许功率。

    - 问题2:静电损坏
    - 解决方案:采取适当的静电防护措施,如接地和防静电垫。

    7. 总结和推荐


    总结:
    EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A 是一款高性能的双晶体管,具有宽泛的工作温度范围、高可靠性及高效的电流处理能力。特别适合于小信号放大应用和高频响应需求的应用场景。
    推荐:
    鉴于其卓越的功能和广泛的适用性,强烈推荐此款晶体管用于各种普通电子设备中,特别是在需要高效、稳定信号处理的应用场景中。

UMZ1NTR参数

参数
配置
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 400mV@ 5mA,50mA,500mV@ 5mA,50mA
集电极电流 150mA
最大集电极发射极饱和电压 400mV@ 5mA,50mA/0.5 @ 5mA,50mA
最大功率耗散 150mW
晶体管类型 1 NPN,1 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 60V
VEBO-最大发射极基极电压 7V@ NPN,6V@ PNP
集电极截止电流 100nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
2.1mm(Max)
1.35mm(Max)
1mm(Max)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

UMZ1NTR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UMZ1NTR数据手册

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UMZ1NTR封装设计

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