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HP8MA2TB1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 7W 20V 2.5V 22nC@ NChannel,25nC@ PChannel N+P沟道 30V 9.6mΩ@ 10V @ N Channel,17.9mΩ@ 10V @ P ChannelmΩ 15A,18A 1.1nF@ 15V @ N Channel,1.25nF@ 15V @ P Channel SOP 贴片安装 1.1mm(高度)
供应商型号: HP8MA2TB1
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ROHM 场效应管(MOSFET) HP8MA2TB1

HP8MA2TB1概述

    HP8MA2 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HP8MA2 是一款由 ROHM 制造的双通道中功率 MOSFET(N 沟道和 P 沟道),适用于开关电源、电机驱动和其他需要高效功率控制的应用场景。这款器件采用 HSOP8 封装,体积小巧且易于焊接安装,非常适合紧凑型设计需求。

    2. 技术参数


    以下是 HP8MA2 的主要技术规格和电气特性:
    - 电压参数
    - VDSS(漏源击穿电压):30V (N沟道),-30V (P沟道)
    - 连续漏极电流(ID):±18A (N沟道),±15A (P沟道)
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):18A (N沟道),-15A (P沟道)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):11mJ (N沟道),8.3mJ (P沟道)
    - 功耗
    - 功耗(PD):7.0W (总功率),3.0W (单通道)
    - 热阻抗
    - 热阻抗(RthJA):41.7℃/W
    - 其他
    - 闸源电压(VGSS):±20V
    - 结温(Tj):150℃
    - 工作温度范围(Tstg):-55℃ 至 +150℃

    3. 产品特点和优势


    HP8MA2 的主要特点包括:
    - 低导通电阻:静态漏源导通电阻(RDS(on))在不同工作条件下的值为 7.5mΩ 至 16.5mΩ (N沟道),13.2mΩ 至 29.0mΩ (P沟道)。
    - 小型化封装:HSOP8 封装适合表面贴装,节省空间。
    - 无铅和 RoHS 合规:符合环保标准。
    - 无卤素材料:对环境友好。

    4. 应用案例和使用建议


    HP8MA2 在多个应用场景中表现出色,例如开关电源和电机驱动。以下是一些建议:
    - 开关电源:由于其高耐压能力和大电流处理能力,适用于各类开关电源。
    - 电机驱动:其低导通电阻使得电流损失小,提高电机效率。
    - 使用注意事项:确保电路板设计符合标准,避免极端环境(如高温、高压等)下工作,以延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    HP8MA2 与标准 HSOP8 封装兼容,可以方便地与其他标准元件集成。ROHM 提供详细的技术支持文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。如有需要,用户可以直接联系 ROHM 获取更多技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下几个常见问题及其解决方案提供如下:
    - 问题:启动时导通电阻过高。
    - 解决方案:确保 VGS 电压高于阈值电压(VGS(th))。
    - 问题:在高频工作条件下温度上升过快。
    - 解决方案:增加散热片或改进散热系统。
    - 问题:导通延迟时间过长。
    - 解决方案:适当降低栅极电阻(RG),加快开关速度。

    7. 总结和推荐


    总体而言,HP8MA2 是一款性能优异、适用广泛的产品,尤其适合需要高效功率控制的应用。它的低导通电阻、小型化封装和环保特性使其在市场上具有较强的竞争力。因此,对于寻找高效能、可靠且易于使用的 MOSFET 的用户,强烈推荐使用 HP8MA2。

HP8MA2TB1参数

参数
栅极电荷 22nC@ NChannel,25nC@ PChannel
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 15A,18A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 9.6mΩ@ 10V @ N Channel,17.9mΩ@ 10V @ P ChannelmΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@ 15V @ N Channel,1.25nF@ 15V @ P Channel
通道数量 -
FET类型 N+P沟道
最大功率耗散 7W
长*宽*高 1.1mm(高度)
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

HP8MA2TB1厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

HP8MA2TB1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM HP8MA2TB1 HP8MA2TB1数据手册

HP8MA2TB1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 8.8205
5000+ ¥ 8.6848
10000+ ¥ 8.4813
20000+ ¥ 8.2777
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5000
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