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R6030KNZ1C9

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 305W(Tc) 20V 5V@1mA 56nC@ 10 V 1个N沟道 600V 130mΩ@ 14.5A,10V 30A 2.35nF@25V TO-247 通孔安装 15.9mm*5.03mm*20.95mm
供应商型号: CSJ-ST33624114
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9概述

    R6030KNZ1 N沟道600V 30A功率MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    R6030KNZ1 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),适用于各种高电压、大电流的应用场合。其典型应用领域包括电源转换、电机驱动、太阳能逆变器和通信设备等。该器件以其低导通电阻、超快开关速度以及卓越的并联使用能力而著称。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDSS):600V
    - 持续漏极电流(Tc = 25°C):±30A
    - 脉冲漏极电流(IDP):±90A
    - 门极-源极电压(静态):±20V
    - 门极-源极电压(交流):±30V
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):5.2A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):636mJ
    - 功耗(Tc = 25°C):305W
    - 结温(Tj):150°C
    - 操作结温和存储温度范围(Tstg):-55°C至+150°C
    - 热阻
    - 结-壳热阻(RthJC):≤0.41°C/W
    - 结-环境热阻(RthJA):≤30°C/W
    - 电特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):600V(VGS = 0V,ID = 1mA)
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):≤100μA(VDS = 600V,VGS = 0V,Tj = 25°C)
    - 门极-源极漏电流(IGSS):≤±100nA(VGS = ±20V,VDS = 0V)
    - 门阈值电压(VGS(th)):3-5V(VDS = 10V,ID = 1mA)
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):0.130Ω(VGS = 10V,ID = 14.5A,Tj = 25°C)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:低至0.130Ω,能有效降低功耗。
    - 超快开关速度:快速响应,适用于高频开关电路。
    - 易于并联使用:支持多个器件并联使用以增加电流承载能力。
    - 无铅镀层,符合RoHS标准:环保材料,满足国际环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源转换:作为开关元件用于DC-DC转换器。
    - 电机驱动:应用于电机驱动系统,提供高效能量传输。
    - 太阳能逆变器:用作逆变器的关键元件,实现高效的能量转换。
    - 使用建议:
    - 确保电路设计中考虑散热需求,特别是在高功率运行时。
    - 并联使用时,需确保每颗器件的电流均匀分布。
    - 注意避免过压情况,确保电路稳定可靠。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:R6030KNZ1适用于各种标准封装和连接器。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和应用指南,支持工程师进行设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确保R6030KNZ1在高电流环境下稳定运行?
    - 解决办法:设计适当的散热系统,如散热片和风扇,以保持结温低于150°C。

    - 问题2:在并联使用R6030KNZ1时,电流分布不均怎么办?
    - 解决办法:确保每个并联器件之间良好的电气连接,并尽量选择相同批次的器件以减少差异。

    7. 总结和推荐


    R6030KNZ1以其出色的低导通电阻、超快开关速度和环保特性,在多种高电压、大电流应用场景中表现出色。尽管它不推荐用于新设计,但其卓越的性能使其成为现有设计的理想选择。对于需要高性能功率MOSFET的应用,R6030KNZ1是一个值得信赖的选择。

R6030KNZ1C9参数

参数
栅极电荷 56nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 14.5A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.35nF@25V
Id-连续漏极电流 30A
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
最大功率耗散 305W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@1mA
Vds-漏源极击穿电压 600V
长*宽*高 15.9mm*5.03mm*20.95mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

R6030KNZ1C9厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

R6030KNZ1C9数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM R6030KNZ1C9 R6030KNZ1C9数据手册

R6030KNZ1C9封装设计

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