处理中...

首页  >  产品百科  >  QS6J1TR

QS6J1TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1.25W 12V 2V@1mA 3nC@ 4.5V 2个P沟道 20V 215mΩ@ 1.5A,4.5V 1.5A 270pF@10V SOT 贴片安装 2.9mm*1.6mm*850μm
供应商型号: CSJ-ST49019831
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) QS6J1TR

QS6J1TR概述


    产品简介


    TSMT6型QS6J1是一款硅P通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电路的设计中。这类元器件以其高效能、低功耗和高可靠性而著称,特别适用于各种电力管理和控制应用。

    技术参数


    - 最大绝对额定值
    - 漏源电压(VDSS): -20V
    - 栅源电压(VGSS): ±12V
    - 漏极连续电流(ID): ±1.5A
    - 脉冲漏极电流(IDP): ±6.0A(脉宽≤10µs,占空比≤1%)
    - 源极连续电流(IS): -0.75A(反向恢复二极管)
    - 源极脉冲电流(ISP): -6.0A(脉宽≤10µs,占空比≤1%)
    - 总功率消耗(PD): 1.25W/总 0.9W/单个(安装于陶瓷板上)
    - 结温(Tch): 150°C
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C 至 150°C
    - 热阻抗
    - 结到环境热阻(Rth(ch-a)): 100°C/W(总)139°C/W(单个)
    - 电气特性
    - 栅泄漏电流(IGSS): - - ±10µA(栅源电压为±12V/漏源电压为0V)
    - 击穿电压(V(BR)DSS): -20V(漏极电流为-1mA/栅源电压为0V)
    - 漏源饱和电压(IDSS): -1µA(漏源电压为-20V/栅源电压为0V)
    - 栅阈值电压(VGS(th)): -0.7V - -2.0V(漏极电流为-1.5A/栅源电压为-4.5V)
    - 导通电阻(RDS(on)): 155mΩ - 215mΩ(漏极电流为-1.5A/栅源电压为-4.5V)
    - 传输导纳(Yfs): 1.0S(漏源电压为-10V/漏极电流为-0.75A)
    - 输入电容(Ciss): 270pF
    - 输出电容(Coss): 40pF
    - 反向传输电容(Crrs): 35pF(漏源电压为-10V/栅源电压为0V/f=1MHz)
    - 开启延迟时间(td(on)): - 10ns
    - 上升时间(tr): - 12ns
    - 关闭延迟时间(td(off)): - 45ns
    - 下降时间(tf): - 20ns(漏极电流为-0.75A/漏源电压为-15V/栅源电压为-4.5V/负载电阻为20Ω/栅极电阻为10Ω)
    - 总门极电荷(Qg): - 3.0nC
    - 栅源电荷(Qgs): - 0.8nC
    - 栅漏电荷(Qgd): - 0.85nC(漏极电流为-1.5A/负载电阻为10Ω/栅极电阻为10Ω)
    - 体二极管特性
    - 正向电压(VSD): - - -1.2V(源极电流为-0.75A/栅源电压为0V)

    产品特点和优势


    TSMT6型QS6J1具有高耐压能力和低导通电阻,这使其在高功率开关应用中表现出色。此外,它的低门极电荷使得开关速度快,非常适合高频应用。由于这些特性,它在电力转换和逆变器设计中表现尤为突出。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 高效率开关电源:利用其低导通电阻和快速开关特性,可以显著提高电源转换效率。
    - 电机驱动器:适用于直流电动机调速控制,确保高效稳定的运行。

    - 使用建议
    - 确保正确配置栅极电阻,以保证稳定且快速的开关操作。
    - 使用适当的散热措施,避免过热影响器件寿命。

    兼容性和支持


    根据手册提供的信息,该产品与其他MOSFET类似型号具有良好的兼容性。厂商提供了详细的电气特性和测试条件,用户可以根据需要进行定制化设计。另外,技术支持和服务热线也方便用户在使用过程中遇到问题时寻求帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确配置栅极电阻?
    - A: 选择合适的栅极电阻是确保稳定开关操作的关键。通常,栅极电阻的选择应根据器件数据手册中的建议,并结合实际应用条件来确定。

    - Q: 如何避免过热损坏?
    - A: 正确的散热设计至关重要。在设计中加入散热片或采用风扇等散热措施,可以有效防止过热。同时,应注意不要超过器件的最大允许结温。

    总结和推荐


    综上所述,TSMT6型QS6J1凭借其优异的技术参数和出色的性能,成为开关应用中的优选产品。其高效的开关速度、低导通电阻及卓越的稳定性,使其在多种电力管理应用中脱颖而出。对于需要高性能、高可靠性的应用场合,强烈推荐使用TSMT6型QS6J1。

QS6J1TR参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 2个P沟道
最大功率耗散 1.25W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
栅极电荷 3nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 215mΩ@ 1.5A,4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 270pF@10V
Id-连续漏极电流 1.5A
通道数量 2
配置
Vgs-栅源极电压 12V
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*850μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

QS6J1TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

QS6J1TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM QS6J1TR QS6J1TR数据手册

QS6J1TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.3602 ¥ 3.0505
库存: 383
起订量: 138 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 3.05
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336