处理中...

首页  >  产品百科  >  US6M2TR

US6M2TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 1W 12V 1.5V@1mA 2.2nC@ 4.5V 2N+2P沟道 30V,20V 240mΩ@ 1.5A,4.5V 1.5A,1A 80pF@10V 贴片安装
供应商型号: SNN-US6M2TR
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
ROHM 场效应管(MOSFET) US6M2TR

US6M2TR概述

    US6M2 Nch+Pch MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    类型:
    US6M2 是一种 Nch(N沟道)和 Pch(P沟道)混合型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高速开关电路的应用。
    主要功能:
    - 高速开关能力
    - 低导通电阻
    - 2.5V 低压驱动
    - 内置栅极-源极保护二极管
    应用领域:
    广泛应用于各种开关电源和功率转换电路中。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 30V
    - 栅源电压 (VGSS): ±1.5V
    - 漏电流 (ID): ±6A
    - 总功率耗散 (PD): 0.7W/元件(安装在陶瓷基板上)
    - 工作温度 (Tch): 150°C
    - 存储温度 (Tstg): -55到+150°C
    热阻抗:
    - 通道到环境热阻 (Rth(ch-a)): 125°C/W(总), 179°C/W(元件)
    电气特性(Ta=25°C):
    - 输入电容 (Ciss): 8pF
    - 输出电容 (Coss): 12pF
    - 反向转移电容 (Crss): 7pF
    - 导通延迟时间 (td(on)): 9ns
    - 上升时间 (tr): 15ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 6ns
    - 下降时间 (tf): 1.6ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 2.2nC
    体二极管特性(源漏极):
    - 正向电压 (VSD): 1.2V
    Nch 和 Pch 的电气特性类似。

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 内置保护二极管:内置栅极-源极保护二极管,防止损坏。
    - 高效率:低导通电阻(低至170mΩ)和快速开关速度,实现高效能转换。
    - 低电压驱动:仅需2.5V即可正常工作,适应更广泛的驱动电源。
    市场竞争力:
    US6M2 在开关电源和功率管理中表现出色,尤其适合便携式设备和对空间要求较高的场合。其独特的设计使其在竞争激烈的市场中脱颖而出。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 用于电源转换器和开关电源,如笔记本电脑充电器、电池管理系统等。
    - 在通信设备和音频设备中的高频开关应用。
    使用建议:
    - 确保栅极-源极电压不超过额定值(±1.5V),以避免过压损坏。
    - 设计时应注意散热问题,确保良好的热管理以延长使用寿命。
    - 使用适当的驱动电路,避免过高的栅极信号造成不必要的能耗。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    US6M2 可与大多数标准 MOSFET 驱动器兼容。建议与制造商联系以获取具体的技术支持。
    厂商支持:
    - 罗姆公司提供详尽的技术文档和支持服务。
    - 保修政策:具体细节请咨询销售代表。

    6. 常见问题与解决方案


    问题一:如何避免栅极损坏?
    - 解决方法: 使用外部电阻限制栅极电流,并确保栅极电压在安全范围内。
    问题二:如何有效管理发热?
    - 解决方法: 使用合适的散热片或散热器,或者将器件安装在具有良好散热特性的基板上。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    US6M2 是一款高性能的混合型 MOSFET,具备多种独特的设计特点,非常适合高速开关和功率转换应用。其低导通电阻和快速开关速度使其在现代电子设备中大放异彩。
    推荐结论:
    鉴于其优异的性能和广泛的适用性,强烈推荐在需要高效能、紧凑设计的电源管理和开关应用中使用 US6M2。

US6M2TR参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
FET类型 2N+2P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ@ 1.5A,4.5V
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 30V,20V
最大功率耗散 1W
栅极电荷 2.2nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 1.5A,1A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@1mA
配置
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 80pF@10V
2.1mm(Max)
1.8mm(Max)
820μm(Max)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

US6M2TR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

US6M2TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM US6M2TR US6M2TR数据手册

US6M2TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.0715 ¥ 0.6099
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 1829.7
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504