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UMF8NTR

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 300mV@ 500µA,10mA,250mV@ 10mA,200mA 1 NPN,1 NPN 预偏压式 500nA 50V,15V 100mA,500mA 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: CSJ-ST14395406
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) UMF8NTR

UMF8NTR概述

    # UMF8N 双极型晶体管技术手册解读

    1. 产品简介


    基本介绍
    UMF8N 是一种采用 UMT 封装的双极型晶体管(Dual Transistors),由 2SC5585 和 DTC144EE 构成。该产品主要用于电源管理电路中,提供单个封装内的功率切换功能,显著降低电路板的制造成本和占用空间。
    主要功能与应用领域
    - 功能:作为功率开关电路的核心组件,支持高效能的开关操作。
    - 应用领域:广泛应用于电源管理和嵌入式系统中,特别是在需要高效率和小体积的应用场景。

    2. 技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 集电极-基极电压 | VCBO | 15 | - | - | V |
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | 12 | - | - | V |
    | 发射极-基极电压 | VEBO | 6 | - | - | V |
    | 集电极电流 | IC | - | 500 | - | mA |
    | 总功率耗散 | PC | - | 150(TOTAL) | 150 | mW |
    | 结温 | Tj | -55 to +150 | - | - | °C |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 | 条件 |
    ||
    | 转换频率 | fT | - | 320 | - | MHz | VCE=2V |
    | 集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | 12 | - | - | V | IC=1mA |
    | 输出电容 | Cob | - | 7.5 | - | pF | f=1MHz |
    | DC 电流增益 | hFE | 270 | - | 680 | - | VCE=2V |

    3. 产品特点和优势


    - 高集成度:单个封装内集成两个晶体管,大幅减少电路板面积和设计复杂度。
    - 高效能:低功耗设计,能够实现高效的功率开关控制。
    - 可靠性强:具备广泛的温度适应能力,适用于苛刻的工作环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    UMF8N 广泛用于电源管理电路中,特别是在需要高速开关和低功耗的场合。例如,它可以用于开关电源、直流变换器、LED 驱动器等。
    使用建议
    - 确保每根引脚连接到推荐的焊盘上,以保证最佳性能。
    - 在高功率应用中,需注意散热设计,避免过热现象。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:UMF8N 与多种主流电路板设计兼容,可轻松集成到现有系统中。
    - 支持:ROHM 提供全面的技术支持和售后服务,包括样品申请和技术文档下载。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 加强散热措施,如增加散热片或风扇 |
    | 开关速度不足 | 检查电路设计,优化驱动电路参数 |
    | 功率损耗过高 | 选择更低功耗型号或改进电路布局 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    UMF8N 双极型晶体管以其高集成度、高效能和可靠性成为电源管理电路的理想选择。其独特的封装和优良的电气特性使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐结论
    强烈推荐在需要高效功率开关和节省空间的设计中使用 UMF8N,尤其是在消费类电子和工业自动化领域。其卓越的性能和经济性使其成为理想的解决方案。

    版权声明
    本文内容来源于 ROHM 官方技术手册,未经授权不得复制或传播。如需进一步详细资料,请联系当地销售办公室。
    联系方式:
    ROHM 客户支持系统
    官网:www.rohm.com
    电子邮件:webmaster@rohm.co.jp

UMF8NTR参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 500µA,10mA,250mV@ 10mA,200mA
晶体管类型 1 NPN,1 NPN 预偏压式
最大集电极发射极饱和电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
配置
集电极电流 100mA,500mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V,15V
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大功率耗散 -
集电极截止电流 500nA
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐

UMF8NTR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UMF8NTR数据手册

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UMF8NTR封装设计

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