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UM6K1NTN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ROHM
产品描述: 150mW 20V 1.5V@ 100µA 2个N沟道 30V 8Ω@ 10mA,4V 100mA 13pF@5V 贴片安装
供应商型号: 30C-UM6K1NTN UMT6
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ROHM 场效应管(MOSFET) UM6K1NTN

UM6K1NTN概述

    UM6K31N Nch+Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    UM6K31N 是一款由 ROHM 公司设计生产的 N 沟道增强型 MOSFET,专为中小功率开关应用而开发。它采用了小型贴片封装(UMT6),具有体积小、功耗低、高可靠性等特点,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
    主要特性包括:
    - 电压等级:60V;
    - 连续漏极电流:±250mA;
    - 极低的导通电阻 RDS(on),最大值为 2.4Ω;
    - 紧凑型封装,支持表面贴装工艺;
    - 符合无铅、RoHS 和无卤素标准;
    - 经 AEC-Q101 资格认证,适用于汽车电子领域。

    技术参数


    以下为 UM6K31N 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDSS | V | - | - | 60 |
    | 持续漏极电流 | ID | mA | -250 | -250 | 250 |
    | 最大功率耗散 | PD | mW | - | - | 150 |
    | 栅源电压范围 | VGSS | V | -20 | - | 20 |
    | 工作温度范围 | Tj | ℃ | -55 | 150 | 150 |
    | 热阻抗 | RthJA | ℃/W | - | - | 833 |
    其他特性还包括输入电容 Ciss、输出电容 Coss、反向传输电容 Crss 等,典型值分别为 15pF、4.5pF 和 2pF。这些参数表明 UM6K31N 在高频开关应用中表现出色。

    产品特点和优势


    1. 高性能导通电阻:UM6K31N 的典型 RDS(on) 仅为 1.7Ω(VGS=10V, ID=250mA),能够显著降低电路中的功耗并提高效率。
    2. 紧凑型封装:UMT6 封装尺寸小巧,便于高密度布线,适合便携式设备和空间受限的应用场景。
    3. 环保合规:采用无铅电镀工艺,符合 RoHS 和无卤素要求,适合绿色电子产品设计。
    4. 车规级认证:通过 AEC-Q101 认证,确保其在恶劣环境下的可靠运行。
    5. 优异的热稳定性:即使在高温环境下,UM6K31N 也能保持稳定的性能表现。

    应用案例和使用建议


    UM6K31N 主要用于以下场景:
    1. 开关电源:作为同步整流管使用,降低导通损耗,提升转换效率。
    2. 负载切换电路:快速响应负载变化,实现精确的电压调节。
    3. 电池管理:用于锂电池保护板中,提供过流和短路保护。
    使用建议:
    - 设计时需注意散热问题,尤其是在满载情况下应避免长期工作于高功耗状态。
    - 对于高频开关应用,需考虑寄生电容对系统的影响,并合理优化驱动电路设计。

    兼容性和支持


    UM6K31N 可与同类规格的小信号 MOSFET 互换,例如 IRF540 或 FDN337N。同时,ROHM 提供全面的技术支持和售后服务,包括样品申请、技术文档下载及应用指导。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何防止静电损坏?
    答:在生产过程中务必佩戴防静电手环,避免直接触碰器件引脚;储存时需使用防静电包装袋。

    2. 问:如何判断器件老化?
    答:定期检测导通电阻 RDS(on),若超出典型值范围,则可能需要更换新件。
    3. 问:长时间高温工作是否会影响寿命?
    答:会,建议在高温环境中使用时适当降额使用,并增加散热措施。

    总结和推荐


    总体而言,UM6K31N 是一款性能优越、性价比高的小信号 MOSFET,特别适合需要高集成度和高效能的电路设计。其紧凑的设计、优异的热稳定性和环保特性使其成为众多领域的理想选择。对于追求性能与成本平衡的设计者来说,UM6K31N 是一个值得推荐的产品。
    推荐指数:★★★★☆

UM6K1NTN参数

参数
配置
最大功率耗散 150mW
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 100mA
通道数量 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13pF@5V
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 100µA
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω@ 10mA,4V
2.1mm(Max)
1.35mm(Max)
1mm(Max)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

UM6K1NTN厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UM6K1NTN数据手册

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ROHM 场效应管(MOSFET) ROHM UM6K1NTN UM6K1NTN数据手册

UM6K1NTN封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.5324
200+ ¥ 0.3432
1500+ ¥ 0.2981
3000+ ¥ 0.264
45000+ ¥ 0.2607
60000+ ¥ 0.2585
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