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BR25L020FVM-WTR

厂牌: ROHM
产品描述: 2Kb (256 x 8) 1.8V~5.5V 256x8 1.8V EEPROM,Non-Volatile 5.5V 5MHz 70ns SPI 40Year MSOP-8 贴片安装,黏合安装 2.9mm*2.8mm*750μm
供应商型号: CSJ-ST43678739
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 带电可擦可编程只读存储器(EEPROM) BR25L020FVM-WTR

BR25L020FVM-WTR概述


    产品简介


    基本描述
    BR25Lxxx-W 系列是一款采用 SPI(串行外设接口)总线方法的序列EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)。这些EEPROM适用于需要高可靠性、低功耗及广泛应用范围的应用场合。
    主要功能
    - 高速时钟操作:最高可达5MHz
    - 暂停功能通过 HOLD 引脚
    - 部分或全部内存数组可通过编程设置为只读区域
    - 单电源电压1.8V至5.5V,适合电池使用
    - 页写入模式有助于工厂发货时初始值的写入
    - 由金垫片和金线实现高度可靠的连接
    - 支持 SPI 总线接口 (CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)
    - 数据重写时自动擦除和自动结束功能
    - 待机电流极低(典型值为0.1μA)
    - 读取时地址自增功能
    - 写入错误预防功能
    应用领域
    - 通信设备
    - 工业控制
    - 消费电子
    - 医疗设备

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 最大脉冲电压:6.5V
    - 允许耗散功率 (Pd):
    - DIP-T8:800mW
    - SOP8:450mW
    - SOP-J8:450mW
    - SSOP-B8:300mW
    - TSSOP-B8:330mW
    - MSOP8:310mW
    - TSSOP-B8J:310mW
    - 存储温度范围:-65℃ 至 +125℃
    - 工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
    记忆单元特性
    - 数据重写次数:1,000,000次
    - 数据保持年数:40年
    推荐工作条件
    - 电源电压:1.8V 至 5.5V
    - 输入电压:0 至 Vcc
    输入/输出能力
    - 输入电容 (CIN):8pF
    - 输出电容 (COUT):8pF

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高速操作:最高时钟频率可达5MHz,满足高性能需求。
    - 低功耗设计:待机电流低至0.1μA,有助于延长电池使用寿命。
    - 可靠的连接方式:使用金垫片和金线进行连接,确保稳定可靠的信号传输。
    - 多样化容量选择:提供1Kbit至64Kbit不同容量的EEPROM,以满足各种应用需求。
    - 数据保护功能:具备多种数据保护机制,如写保护引脚和状态寄存器。
    优势
    - 广泛适用性:单电源电压范围广(1.8V至5.5V),便于与各种设备接口。
    - 高可靠性:可进行多达1,000,000次的数据重写,且数据保存时间长达40年。
    - 易于集成:采用标准封装,如DIP-T8和SOP8,便于安装和布局。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业自动化:在工业控制系统中用于存储配置参数和传感器数据。
    - 消费电子:作为便携式设备中的存储介质,如移动电话、智能手表等。
    - 医疗设备:在医疗设备中用于存储患者数据和系统参数,确保数据安全。
    使用建议
    - 在使用过程中应注意电源电压范围,确保不超过最大值。
    - 利用HOLD引脚暂停数据传输,避免意外中断。
    - 在初始化时使用页写入模式快速完成数据写入。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 支持SPI总线接口标准,与各种微控制器和处理器兼容。
    - 具备多种封装形式,如DIP-T8和SOP8,适用于不同的应用场景。
    厂商支持
    - ROHM公司提供了详尽的技术文档和用户手册,以及技术支持服务。
    - 用户可以通过官方网站获取最新的产品信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法
    - Q1: 如何正确设置电源电压?
    - A1: 确保电源电压在1.8V至5.5V范围内,避免超出最大额定值。

    - Q2: 如何防止数据写入错误?
    - A2: 使用写使能命令(WREN)并结合状态寄存器确保正确的写入操作。

    - Q3: 如何在读取时启用地址自增功能?
    - A3: 确保在每次读取后继续输入SCK时钟信号,自动将地址递增。

    总结和推荐


    综合评估
    BR25Lxxx-W系列EEPROM具有优异的性能和广泛的适用性。其高可靠性和低功耗特性使其成为多种应用的理想选择。
    推荐使用
    强烈推荐使用BR25Lxxx-W系列EEPROM,特别是对于需要高性能、高可靠性的工业和消费类应用。其广泛的容量选择和良好的兼容性使得它能够满足大多数应用场景的需求。

BR25L020FVM-WTR参数

参数
组织 256x8
接口类型 SPI
最小工作供电电压 1.8V
最大访问时间 70ns
存储器类型 EEPROM,Non-Volatile
存储容量 2Kb (256 x 8)
最大工作供电电压 5.5V
最大时钟频率 5MHz
数据保留时长 40Year
输出使能访问时间 -
编程电压 1.8V~5.5V
长*宽*高 2.9mm*2.8mm*750μm
通用封装 MSOP-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BR25L020FVM-WTR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

BR25L020FVM-WTR数据手册

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ROHM 带电可擦可编程只读存储器(EEPROM) ROHM BR25L020FVM-WTR BR25L020FVM-WTR数据手册

BR25L020FVM-WTR封装设计

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