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AT25DF041B-SSHN-T

产品分类: 闪存(Flash)
产品描述: 512KB 512 k x 8 1.65V 15mA 3.6V 104MHz SPI 8bit SOIC-8 贴片安装,黏合安装
供应商型号: AT25DF041B-SSHN-T
供应商: 国内现货
标准整包数: 4000
RENESAS ELECTRONICS 闪存(Flash) AT25DF041B-SSHN-T

AT25DF041B-SSHN-T概述

    AT25DF041B 4-Mbit, 1.65 V Minimum SPI Serial Flash Memory with Dual I/O Support

    1. 产品简介


    AT25DF041B是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的4兆位串行外设接口(SPI)闪存芯片,支持单电源操作(1.65 V至3.6 V),并具备双输入/输出(Dual-I/O)功能。这款闪存内存主要用于代码和数据存储的应用场合,如嵌入式系统、物联网设备和移动计算设备等领域。

    2. 技术参数


    - 供电范围: 单一电源(1.65 V 至 3.6 V)
    - 温度范围:
    - -40°C 到 +85°C
    - -40°C 到 +125°C
    - 接口: SPI 兼容(支持 SPI 模式 0 和模式 3)
    - 最高时钟频率: 104 MHz
    - 最小输出延迟: 6 ns
    - 块擦除大小:
    - 小(256 字节)页擦除
    - 均匀(4 kByte)块擦除
    - 均匀(32 kByte)块擦除
    - 均匀(64 kByte)块擦除
    - 整片擦除
    - 编程速度:
    - 256 字节页编程时间:1.25 ms
    - 4 kByte 块擦除时间:35 ms
    - 32 kByte 块擦除时间:250 ms
    - 64 kByte 块擦除时间:450 ms
    - 低功耗特性:
    - 超深功耗降低模式:200 nA(典型值)
    - 深度功耗降低模式:5 μA(典型值)
    - 待机模式:25 μA(典型值)
    - 活动读模式:5 mA(典型值)
    - 耐久性:
    - -40°C 至 +85°C 条件下:100,000 程序/擦除周期
    - -40°C 至 +125°C 条件下:20,000 程序/擦除周期
    - 数据保留: 20 年
    - 环保标准: 铅/卤素免费、RoHS 合规

    3. 产品特点和优势


    AT25DF041B 的特点使其在市场上具有显著的竞争优势。以下是其独特的功能和优势:
    - 灵活的擦除架构: 可以选择不同的块擦除大小,这为代码和数据存储提供了高度的灵活性。
    - 高频率操作: 最高时钟频率可达 104 MHz,可以实现快速数据传输和响应。
    - 低功耗设计: 包括超深功耗降低模式,使设备在低功耗状态下长时间运行。
    - 高可靠性: 经过认证符合工业级标准,并具备优秀的数据保留能力和程序/擦除循环耐久性。

    4. 应用案例和使用建议


    AT25DF041B 广泛应用于各种嵌入式系统和物联网设备中。例如,它可以作为微控制器的外部闪存,用于存储应用程序代码、配置数据或固件更新。
    - 使用建议: 在进行高速数据传输时,确保供电电压稳定,并且注意时钟信号的时序,以避免数据错误。
    - 优化方案: 在使用该芯片时,可采用双重输入/输出模式以提升数据传输速率,但需注意对时序控制的要求更高。

    5. 兼容性和支持


    AT25DF041B 兼容多种标准封装,包括:
    - 8-lead SOIC (150-mil)
    - 8-pad Ultra Thin DFN (2 x 3 x 0.6 mm)
    - 8-pad Ultra Thin DFN (5 x 6 x 0.6 mm)
    - 8-lead TSSOP
    - 8-ball WLCSP
    - Die in Wafer Form (DWF)
    瑞萨电子提供全面的技术支持和维护服务,用户可通过官方网站获取详细的技术文档和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 系统在启动时无法正确读取数据。
    - 解决方案: 检查供电电压是否稳定,确认 SPI 接口连接无误,并尝试重新编程数据。
    - 问题: 写入速度较慢。
    - 解决方案: 检查是否在写入过程中启用了安全保护功能,这些功能可能会影响写入速度。另外,也可以考虑将数据分成较小的数据包进行写入。
    - 问题: 数据在长时间使用后丢失。
    - 解决方案: 确认系统在合适的温度范围内运行,并定期备份数据以防丢失。

    7. 总结和推荐


    综上所述,AT25DF041B 是一款高性能、高可靠性的串行闪存芯片,适用于多种嵌入式系统和物联网设备。其独特的功能和优势使其成为这些应用领域的理想选择。鉴于其广泛的兼容性、丰富的功能以及强大的技术支持,强烈推荐在需要高性能存储解决方案的应用中使用该产品。

AT25DF041B-SSHN-T参数

参数
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 1.65V
组织 512 k x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 SPI
存储容量 512KB
最大供电电流 15mA
最大时钟频率 104MHz
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AT25DF041B-SSHN-T厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

AT25DF041B-SSHN-T数据手册

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AT25DF041B-SSHN-T封装设计

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8000+ ¥ 2.784
16000+ ¥ 2.736
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