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HIP2106AIRZ-T

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 15ns 2 4.5V 5.5V 1.3V,1.9V MOSFET,N沟道 15ns 半桥 -,4A DFN-10 贴片安装,黏合安装
供应商型号: CY-HIP2106AIRZ-T
供应商: Avnet
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 栅极电源驱动器 HIP2106AIRZ-T

HIP2106AIRZ-T概述


    产品简介


    产品名称: HIP2105 和 HIP2106A
    产品类型: 高频MOSFET驱动器
    主要功能: 这些驱动器旨在驱动两个N通道功率MOSFET,用于同步降压转换器拓扑结构。HIP2105包含HI/LI输入,而HIP2106A则只有一个PWM输入。
    应用领域:
    - 无线充电器
    - 高频低轮廓高效率直流-直流转换器
    - 大电流低压直流-直流转换器
    - 电子烟

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 供应电压(VCC, VCTRL) | -0.3到7V |
    | 输入电压(VEN, VPWM, VHI, VLI)| -0.3到VCC + 0.3V |
    | BOOT电压(VBOOT-GND) | -0.3到25V(直流)或36V(<200ns脉冲) |
    | PHASE电压(GND) | -0.3到25V(直流) |
    | GND电压 | -0.3到8V(<20ns脉冲宽度,10µJ)或30V(<100ns脉冲宽度) |
    | UGATE电压 | VPHASE - 0.3V(直流) |
    | LGATE电压 | GND - 0.3V(直流) |
    | ESD额定值 | 人体模型(测试按JS-001-2017) 2kV
    充电设备模型(测试按JS-002-2014) 2kV
    锁存效应(按JESD78E;2级,A级) 100mA |

    产品特点和优势


    1. 适应性短路保护(仅限HIP2106A):通过内部电路防止上下MOSFET同时导通。
    2. 0.4Ω ON电阻和4A灌电流能力:增强低侧MOSFET的锁定能力,防止自启动导致的损耗。
    3. 低三态保持时间(仅限HIP2106A):20ns的低三态保持时间减少了延迟,提升了系统响应速度。
    4. 支持3.3V和5V的HI/LI或PWM输入:灵活性高,可适用于多种控制信号。
    5. 芯片复位(POR):确保在初始阶段的稳定操作。
    6. 双平面无铅封装(DFN):符合JEDEC标准,提高可靠性和效率。
    7. 几乎芯片级封装足迹:改善PCB效率,使模块更薄。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HIP2105和HIP2106A常用于多相转换器中,例如图2所示的电路配置。其中HIP2106A通过PWM信号控制上下MOSFET,HIP2105通过HI/LI信号进行控制。
    使用建议
    - 电路设计:使用直接源极引脚的低轮廓MOSFET(如直接FETs、SO-8、LFPAK、PowerPAK),以减少寄生电感。
    - 布局考虑:保持VCC-GND和BOOT-PHASE回路尽可能短,减少电流环路路径,使用低阻抗线路。
    - 启动时上管自启动抑制:如果驱动器无法获得足够的偏置电压,可以通过增加上管栅极和源极之间的电阻来抑制米勒耦合效应。常见的电阻值为5kΩ至10kΩ。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他基于Renesas多相PWM控制器的系统兼容。
    - 支持:供应商提供详细的产品文档和技术支持,可在其官网找到相关文献。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 系统在启动时出现上下MOSFET同时导通的情况。
    - 解决方案: 检查电路设计是否有正确的死区时间控制,并确保外部信号源提供合适的死区时间。

    2. 问题: 电路在高频下工作时效率降低。
    - 解决方案: 优化PCB布局,减少电流环路路径长度,使用低阻抗线路并尽量减小寄生电感。

    总结和推荐


    HIP2105和HIP2106A以其高效能、紧凑设计和强大的可靠性在市场上表现出色。它们特别适合于需要高频率、高效率转换的应用场景。考虑到其独特的功能和应用灵活性,强烈推荐使用此产品。

HIP2106AIRZ-T参数

参数
最大高压侧电压-自举 -
驱动配置 半桥
驱动数量 2
下降时间 15ns
通道类型 -
栅极类型 MOSFET,N沟道
最大传播延迟时间 -
最小工作供电电压 4.5V
输入类型 -
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) -,4A
上升时间 15ns
逻辑电压 - VIL,VIH 1.3V,1.9V
最大工作供电电压 5.5V
通用封装 DFN-10
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

HIP2106AIRZ-T厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

HIP2106AIRZ-T数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 栅极电源驱动器 RENESAS ELECTRONICS HIP2106AIRZ-T HIP2106AIRZ-T数据手册

HIP2106AIRZ-T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3217 ¥ 2.7687
500+ $ 0.3187 ¥ 2.7435
1000+ $ 0.3098 ¥ 2.6177
5000+ $ 0.3098 ¥ 2.6177
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起订量: 362 增量: 1
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