处理中...

首页  >  产品百科  >  70V631S12BFGI8

70V631S12BFGI8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5Mb (256K x 18) 3.15V 3.45V Parallel CABGA-208 贴片安装,黏合安装 15mm*15mm*1.4mm
供应商型号: Q-70V631S12BFGI8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 70V631S12BFGI8

70V631S12BFGI8概述

    高速3.3V 256K x 18 异步双端口静态RAM

    产品简介


    IDT70V631是一款高速3.3V异步双端口静态RAM。它设计用于独立的4608K位双端口RAM或作为主/从双端口RAM组合使用,适用于36位或更宽字系统的应用。这款设备的特点是每个端口都具有独立的控制、地址和I/O引脚,使得可以对内存中的任何位置进行独立的、异步的读写访问。

    技术参数


    - 核心电压: VDD = 3.15V ~ 3.45V
    - I/O电压: 可选3.3V或2.5V
    - 输入高电平电压(VIH): VDDQ + 100mV(I/O), 2.0V ~ VDDQ + 150mV(地址和控制输入)
    - 输入低电平电压(VIL): -0.3V ~ 0.8V
    - 输出低电压(VOL): 3.3V时为0.4V,2.5V时也为0.4V
    - 输出高电压(VOH): 3.3V时为2.4V,2.5V时为2.0V
    - 功耗: 3.3V时最大电流为500mA,2.5V时为440mA
    - 工作温度范围: 商业级0°C ~ +70°C,工业级-40°C ~ +85°C
    - 封装: 128针TQFP、208球细间距BGA、256球BGA

    产品特点和优势


    1. 真双端口存储单元: 支持同一内存位置的同时访问
    2. 高速访问: 商业级最高可达10/12/15ns,工业级为12ns
    3. 双重芯片使能: 深度扩展无需额外逻辑
    4. 支持串行线测试(JTAG): 符合IEEE 1149.1标准,但128针TQFP封装不支持JTAG

    应用案例和使用建议


    IDT70V631在许多高性能计算系统中广泛使用,例如数据通信、图像处理、网络交换机等。建议在选择供电电压时,根据实际应用需求合理设置VDDQ,以达到最佳性能和稳定性。

    兼容性和支持


    此设备支持多种封装选项,用户可以根据具体需求选择适合的封装。此外,制造商提供全面的技术支持和文档资料,确保用户能够顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 电源电压选择不当导致功耗过高
    - 解决方案: 确认VDDQ的选择与实际需求一致,避免不必要的功耗增加。

    - 问题2: 数据传输过程中出现不稳定现象
    - 解决方案: 检查并确认所有信号线连接正确无误,特别是电源和地线的连接情况。

    总结和推荐


    IDT70V631具备优异的性能和广泛的适用范围,适用于多种高性能计算应用场景。尽管存在一定的初始设置复杂度,但一旦配置妥当,该产品能够提供卓越的数据处理能力,非常值得推荐使用。

70V631S12BFGI8参数

参数
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 4.5Mb (256K x 18)
最大供电电流 -
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.45V
最小工作供电电压 3.15V
长*宽*高 15mm*15mm*1.4mm
通用封装 CABGA-208
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

70V631S12BFGI8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

70V631S12BFGI8数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 70V631S12BFGI8 70V631S12BFGI8数据手册

70V631S12BFGI8封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 183.843 ¥ 1535.0891
2000+ $ 183.843 ¥ 1535.0891
3000+ $ 183.843 ¥ 1535.0891
库存: 10000
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 1535089.1
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
23A256-I/ST ¥ 12.5204
23A256T-I/SN ¥ 13.974
23A512T-E/SN ¥ 18.496
23K256-I/SN ¥ 6.6105
23K640-E/P ¥ 8.7458
23K640-E/SN ¥ 7.9684
23K640-I/ST ¥ 8.1313
23K640T-I/ST ¥ 7.774
23LC512-I/P ¥ 17.7269
23LCV1024-I/SN ¥ 26.4827