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71V65803S133BGG8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 9Mb (512K x 18) 512 k x 18 3.135V 300mA 3.465V 133MHz Parallel PBGA-119 贴片安装,黏合安装 14mm*22mm*2.15mm
供应商型号: Q-71V65803S133BGG8
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V65803S133BGG8

71V65803S133BGG8概述


    产品简介


    产品类型:
    IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 是集成设备技术公司(Integrated Device Technology, Inc.)生产的高速同步SRAM(静态随机存取存储器),具有3.3V供电电压,容量为256K x 36位或512K x 18位。
    主要功能:
    这些SRAM芯片设计用于消除读写操作之间及写读操作之间的“死循环”周期,这归功于它们特有的零总线周转时间(Zero Bus Turnaround, ZBT™)功能。该功能提高了系统的整体速度和效率,特别是在高频率操作下。
    应用领域:
    这类产品广泛应用于需要高性能存储器的系统中,如网络交换机、路由器、无线基站、测试设备、视频处理和存储等领域。

    技术参数


    - 内存配置:
    - 256K x 36 位
    - 512K x 18 位
    - 时钟频率:
    - 最高支持150MHz的系统速度
    - ZBT™ 特性:
    - 零总线周转时间
    - 电源电压:
    - 3.3V核心供电电压(±5%)
    - 输入输出电压:
    - 3.3V I/O供电电压(±5%)
    - 引脚配置:
    - 100引脚塑料扁平封装(TQFP)
    - 119球栅阵列封装(BGA)
    - 165细间距球栅阵列封装(fBGA)

    产品特点和优势


    特点:
    - 支持高达150MHz的高速读写操作
    - 通过ZBT™特性减少无用的等待周期
    - 管理地址、控制信号和数据输入/输出的内部同步
    - 具有单独的字节写选择信号(BW1-BW4),允许部分数据的写入
    - 三个片选信号(CE1, CE2, CE2),方便深度扩展
    - 具备4字节突发模式能力
    优势:
    - 高效的数据传输减少了整体延迟
    - 单一的读写控制信号简化了接口设计
    - 多种封装选项提供灵活性,适应不同应用场景
    - 内置掉电模式控制,进一步节省能源

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 可以应用于要求高性能和低延迟的存储解决方案中,例如在网络通信设备中实现快速数据交换,在存储系统中实现高效数据访问等。
    使用建议:
    - 要充分利用其零总线周转时间特性,确保正确的时序设置,以避免读写操作间的无效等待周期
    - 在设计多模块系统时,应考虑合理的电源管理和片选信号管理,以确保各模块的有效操作
    - 对于需要频繁更新的数据场景,建议使用单独的字节写选择信号,以提高数据写入的灵活性

    兼容性和支持


    这些SRAM芯片与常见的3.3V逻辑电平兼容,支持多种封装形式。厂商提供了详细的技术支持和维护文档,以帮助用户在设计和调试过程中解决问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 无法正确读写数据
    - 解决方法: 检查时钟信号和片选信号是否正确设置,确认读写控制信号和地址信号是否有效。

    2. 数据传输速度慢
    - 解决方法: 确认所有相关引脚满足时序要求,尤其是与CLK相关的时序设置。
    3. 电源问题导致不稳定
    - 解决方法: 确保电源电压稳定在规定的范围内,并检查是否有电源噪声干扰。

    总结和推荐


    IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 的零总线周转时间和高速读写性能使其成为许多高性能存储需求的理想选择。其出色的特性如内部同步、灵活的字节写入和多样的封装形式使其具备显著的市场竞争力。鉴于其优越的功能和可靠性,强烈推荐用于需要高效数据传输的应用场景中。

71V65803S133BGG8参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 9Mb (512K x 18)
最大供电电流 300mA
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 512 k x 18
长*宽*高 14mm*22mm*2.15mm
通用封装 PBGA-119
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

71V65803S133BGG8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V65803S133BGG8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V65803S133BGG8 71V65803S133BGG8数据手册

71V65803S133BGG8封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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2000+ $ 22.44 ¥ 187.374
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