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71V65603S100BQG8

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 1.125MB 256 k x 36 3.135V 250mA 3.465V 100MHz Parallel CABGA-165 贴片安装,黏合安装 15mm*13mm*1.2mm
供应商型号: Q-71V65603S100BQG8
供应商: 期货订购
标准整包数: 2000
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V65603S100BQG8

71V65603S100BQG8概述

    高质量文章:IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 技术手册解析

    1. 产品简介


    IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 是由 Integrated Device Technology (IDT) 公司生产的高性能同步 SRAM 存储器。这些存储器分别提供两种配置:256K x 36 和 512K x 18 的内存容量,且均采用 3.3V 供电。IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 的主要功能是通过消除读写操作间的死周期来提高系统性能,因此它们被称为 ZBT™(Zero Bus Turnaround)SRAM。这些存储器广泛应用于需要高带宽和高速度的通信、计算和存储系统中。

    2. 技术参数


    - 内存配置:256K x 36, 512K x 18
    - 时钟频率:最高支持 150 MHz(3.8 ns 时钟到数据访问时间)
    - ZBT™ 特性:无读写操作间的死周期
    - 输出缓冲:内部同步输出缓冲,无需手动控制 OE
    - 单读写控制引脚:简化控制逻辑
    - 触发模式:上升沿触发地址、数据和控制信号寄存器
    - 突发能力:4 字突发
    - 字节写选择:独立的字节写选择(BW1-BW4)
    - 芯片使能:三个芯片使能引脚(CE1, CE2, CE2)
    - 电源:3.3V 核心供电,3.3V I/O 供电
    - 封装:JEDEC 标准 100 引脚塑料薄型四方扁平封装(TQFP)、119 球栅阵列(BGA)和 165 细间距球栅阵列(fBGA)

    3. 产品特点和优势


    IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 在性能上具有以下几个显著特点:
    - 高带宽:支持高达 150 MHz 的系统速度,确保数据传输的高速度。
    - 零死周期:通过 ZBT™ 技术,消除了读写操作之间的死周期,提高了系统效率。
    - 低功耗:在睡眠模式下,可以通过 ZZ 输入将时钟门控,降低功耗。
    - 灵活性:具有多个芯片使能引脚和可编程的字节写选择,方便不同应用的需求。
    - 高可靠性:采用最新的高性能 CMOS 工艺制造,保证了产品的稳定性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 通信系统:在无线基站或路由器中,这些 SRAM 可用于高速缓存数据包,以实现更快的数据转发。
    - 计算系统:在高性能计算环境中,如服务器和工作站,这些 SRAM 可以用于加速内存访问,提高整体计算性能。
    - 存储系统:在大容量存储系统中,这些 SRAM 可以用于缓存热点数据,减少对慢速存储介质的访问频率。
    使用建议:
    - 系统设计:在设计系统时,需考虑散热管理,尤其是在高温环境下。
    - 电路板布局:确保电源和地线的布线足够短且直接,以减少噪声干扰。
    - 信号完整性:针对高速信号传输,应选择合适的阻抗匹配网络。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:这些 SRAM 与其他符合相关标准的电子元器件兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持服务:厂商提供详尽的技术文档和支持,帮助用户解决使用过程中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何启用睡眠模式?
    解决方案:通过设置 ZZ 输入为高电平,即可进入睡眠模式,降低功耗。
    - 问题2:如果系统在高负载下出现错误怎么办?
    解决方案:检查电源供应是否稳定,尤其是 VDD 和 VDDQ 的电压,确保其在规定范围内。
    - 问题3:如何正确配置芯片使能引脚?
    解决方案:根据具体需求设置 CE1, CE2 和 CE2 引脚的状态,以实现所需的功能。

    7. 总结和推荐


    IDT71V65603/Z 和 IDT71V65803/Z 作为高性能同步 SRAM 存储器,在许多关键应用领域中表现出色。它们具备高带宽、零死周期和低功耗的特点,非常适合需要高速数据处理的应用。考虑到其强大的功能和广泛应用前景,强烈推荐在系统设计中选用这些存储器。同时,厂商提供的详细技术支持也确保了用户在使用过程中能够获得必要的帮助。

71V65603S100BQG8参数

参数
最大时钟频率 100MHz
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
组织 256 k x 36
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 1.125MB
最大供电电流 250mA
长*宽*高 15mm*13mm*1.2mm
通用封装 CABGA-165
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 商业级
包装方式 卷带包装

71V65603S100BQG8厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V65603S100BQG8数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V65603S100BQG8 71V65603S100BQG8数据手册

71V65603S100BQG8封装设计

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