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71V35761SA166BQGI

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5Mb (128K x 36) 128 k x 36 3.135V 330mA 3.465V 166MHz Parallel CABGA-165 贴片安装 15mm*13mm*1.2mm
供应商型号: J-RENE-0223058
供应商: Chip1stop
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 71V35761SA166BQGI

71V35761SA166BQGI概述


    产品简介


    IDT71V35761/SA:128K x 36位同步SRAM
    产品类型:IDT71V35761是一款128K x 36位的高速同步SRAM(静态随机存取存储器),具有多种配置选项,适用于商业和工业级应用。
    主要功能:
    - 支持高速系统访问,如商业环境下可达200MHz,访问时间为3.1ns。
    - 支持高容量内存配置,如128K x 36位。
    - 具备自我定时写入周期、线性和交错突发模式选择等功能。
    - 集成地址和控制寄存器,支持片选和全局写入控制。
    应用领域:
    - 高速数据处理系统
    - 大容量缓存控制器
    - 通信基础设施
    - 工业自动化和控制设备

    技术参数


    核心电源电压:
    - 3.3V ± 5%
    输入电压范围:
    - VIH (High Voltage Input): 2.0V 到 VDD + 0.3V
    - VIL (Low Voltage Input): -0.3V 到 0.8V
    最大电容:
    - 输入电容(CIN):5pF
    - I/O电容(CI/O):7pF
    最大电流:
    - 输入泄漏电流(|ILI|):5µA
    - 输出泄漏电流(|ILO|):5µA
    - 输出低电压(VOL):≤ 0.4V
    - 输出高电压(VOH):≥ 2.4V
    功耗:
    - 操作供电电流(IDD):商业环境下的最高值为360mA
    - 待机供电电流(ISB1):商业环境下的最高值为30mA
    - 睡眠模式供电电流(IZZ):商业环境下的最高值为30mA

    产品特点和优势


    主要特点:
    - 支持128K x 36位的高容量内存配置,提供高性能的数据传输。
    - 自带自定时写入周期和全局写入控制,提高系统效率。
    - 提供线性和交错两种突发模式选择,可根据具体应用需求灵活配置。
    - 具备强大的电源管理和节能功能,如可通过ZZ输入控制进入睡眠模式以降低功耗。
    市场竞争力:
    - 在高速数据处理系统和大容量缓存控制器中具有显著优势。
    - 优秀的电源管理能力,有助于提升系统的整体能效。
    - 可靠的硬件设计保证了在工业级环境中的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 数据中心服务器
    - 通信网络交换机
    - 高性能计算设备
    使用建议:
    - 在实际应用中,根据系统要求选择合适的芯片配置和电源管理策略。
    - 使用前仔细校准并测试系统中的时钟和输入信号,确保符合手册中的电气特性要求。
    - 对于需要高速数据传输的应用,考虑利用内部的突发模式计数器进行优化,提升数据处理效率。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品可与多种电子元器件和设备兼容,尤其是在商业和工业级环境中。
    - 提供JEDEC标准封装,包括100针薄型塑料四边扁平封装(TQFP)、119球栅阵列(BGA)和165精细间距球栅阵列(fBGA)。
    支持:
    - 由制造商提供全面的技术支持,包括文档资料、应用指南和技术咨询服务。
    - 可选配边界扫描JTAG接口,方便系统调试和故障诊断。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何设置正确的电源电压?
    2. 如何优化系统的时钟频率?
    解决方案:
    1. 请确保所有电源电压保持在规定的范围内(3.3V ± 5%),并参考手册中的电气特性表进行校准。
    2. 考虑到系统的实际负载情况,适当调整时钟频率以达到最佳性能和功耗平衡。

    总结和推荐


    综合评估:
    - IDT71V35761是一款高度集成且功能丰富的128K x 36位同步SRAM,适用于多种高速数据处理和缓存应用。
    - 其强大的功能、可靠的电源管理和高效的系统设计使其成为市场上同类产品中的佼佼者。
    推荐使用:
    - 强烈推荐在需要高数据吞吐量和可靠性的商业及工业应用中使用IDT71V35761。详细阅读手册并遵循建议的使用方法将确保获得最佳性能。

71V35761SA166BQGI参数

参数
组织 128 k x 36
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 4.5Mb (128K x 36)
最大供电电流 330mA
最大时钟频率 166MHz
最大工作供电电压 3.465V
最小工作供电电压 3.135V
长*宽*高 15mm*13mm*1.2mm
通用封装 CABGA-165
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,托盘

71V35761SA166BQGI厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

71V35761SA166BQGI数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 71V35761SA166BQGI 71V35761SA166BQGI数据手册

71V35761SA166BQGI封装设计

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