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UPD43256BCZ-70LL

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 256Kbit 4.5V 45mA 5.5V DIP 通孔安装 13.2mm(宽度)
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) UPD43256BCZ-70LL

UPD43256BCZ-70LL概述

    # μPD43256B 256K-bit CMOS Static RAM 技术手册解析

    产品简介


    μPD43256B 是一款高性能、低功耗的 256K-bit(32K-words × 8-bit)CMOS 静态随机存储器(SRAM),适用于高要求的数据处理场景。该芯片具备高速访问能力,支持多种封装形式,包括塑料双列直插封装(DIP)、塑料小外形封装(SOP)和塑料薄型小外形封装(TSOP)。它具有电池备份功能,可确保断电时数据安全。此外,A 和 B 版本分别支持宽电压范围操作,满足不同供电需求。
    主要功能:
    - 32K-words × 8-bit 数据组织结构
    - 快速访问时间:70ns、85ns、100ns 和 120ns(最大值)
    - 支持低电压操作:A 版本为 3.0V 至 5.5V,B 版本为 2.7V 至 5.5V
    - 数据保持电压:最低 2.0V
    应用领域:
    μPD43256B 广泛应用于计算机系统、嵌入式设备、工业控制、通信设备等领域,尤其适合需要高速存取和低功耗特性的应用场景。

    技术参数


    以下为 μPD43256B 的核心技术参数摘要:
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 存储容量 | - | - | 256K-bit | - | - | bit |
    | 接口速度 | - | - | 70ns | - | 120ns | ns |
    | 供电电压范围 | VCC | A版 | 3.0 | 5.5 | - | V |
    B版 | 2.7 | 5.5 | - | V |
    | 数据保持电压 | VCCDR | - | 2.0 | - | 5.5 | V |
    | 数据保持电流 | ICCDR | VCC=3.0V, CS≥VCC-0.2V | 0.5 | - | 20 | μA |
    | 工作温度范围 | TA | - | 0 | 70 | °C |
    其他关键参数包括输入泄漏电流(ILI)、输出泄漏电流(ILO)、功耗(ICC 和 ISB)等,具体数值详见技术手册。

    产品特点和优势


    μPD43256B 的显著特点是其卓越的性能与灵活性:
    1. 高速访问:提供从 70ns 到 120ns 的多种访问时间选项,满足各种高性能应用的需求。
    2. 低功耗设计:即使在较低的工作电压下(如 2.7V),依然能够保持稳定运行,有效降低能耗。
    3. 广泛的电压支持:A 和 B 版本分别支持 3.0V 至 5.5V 和 2.7V 至 5.5V 的工作电压范围,适应多样的电源环境。
    4. 强大的兼容性:提供多种封装形式,便于集成到不同的电路板设计中。
    5. 数据保护机制:具备电池备份功能,在意外断电情况下也能可靠保存数据。
    这些特点使得 μPD43256B 在工业自动化、医疗设备和消费电子产品等领域具有极强的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 工业控制系统:μPD43256B 可用于实时数据采集与处理,确保高效且准确的操作。
    2. 便携式设备:由于其低功耗特性,非常适合应用于笔记本电脑、平板电脑等移动设备。
    3. 嵌入式系统:可用于智能家电、物联网节点等需要高密度存储的应用场景。
    使用建议:
    - 选择合适版本:根据供电电压需求选择 A 或 B 版本。
    - 优化布线:尽量缩短 PCB 上的信号路径长度,减少噪声干扰。
    - 关注散热:对于长时间高负载工作的场景,需注意良好的散热设计以防止过热。

    兼容性和支持


    μPD43256B 具有良好的兼容性,可以轻松与其他主流微控制器和处理器配合使用。NEC Electronics 提供详尽的技术文档和支持服务,包括但不限于:
    - 详细的封装图纸和技术规范
    - 丰富的在线资源和技术论坛
    - 定期的产品更新与维护公告
    客户可以通过联系当地的 NEC 销售代表获取最新版本的产品信息及技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 数据传输速率过慢 | 检查是否符合推荐的时序要求,调整引脚连接 |
    | 设备无法正常启动 | 确认供电电压是否在规定范围内,检查焊接质量 |
    | 温度过高 | 改善散热措施,增加外部风扇或散热片 |
    更多问题及解决方案请参考官方技术手册。

    总结和推荐


    μPD43256B 是一款兼具高性能与高可靠性的小容量 SRAM 芯片,特别适合对功耗敏感或对空间布局有限制的应用场合。通过其出色的访问速度、灵活的供电范围以及多样化的封装选择,它能够在多个领域展现强大的竞争力。
    综上所述,我们强烈推荐 μPD43256B 作为电子设计工程师的选择之一,尤其是在追求性能与成本平衡的设计项目中。如果您正在寻找一款稳定可靠的存储解决方案,μPD43256B 将是一个理想的选择。

UPD43256BCZ-70LL参数

参数
最大工作供电电压 5.5V
最小工作供电电压 4.5V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 -
存储容量 256Kbit
最大供电电流 45mA
最大时钟频率 -
长*宽*高 13.2mm(宽度)
通用封装 DIP
安装方式 通孔安装

UPD43256BCZ-70LL厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

UPD43256BCZ-70LL数据手册

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