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HFA3127RZ96

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 5 NPN 150mW 5.5V 12V 12V 65mA QFN(EP) 贴片安装 3mm(长度)*3mm(宽度)
供应商型号: Q-HFA3127RZ96
供应商: 期货订购
标准整包数: 6000
RENESAS ELECTRONICS 三极管(BJT) HFA3127RZ96

HFA3127RZ96概述

    # Ultra High Frequency Transistor Arrays Technical Overview

    产品简介


    HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是由 Intersil 公司基于其互补双极型 UHF-1 工艺开发的超高频晶体管阵列。这些器件包含五个电绝缘的晶体管,并集成在同一单片基板上。其中,NPN 晶体管的高频增益 (fT) 达到 8 GHz,而 PNP 晶体管的 fT 则为 5.5 GHz,两者均具备低噪声特性(3.5 dB),使其成为高频放大器和混频器的理想选择。
    主要特性:
    - 高频 NPN 晶体管:fT = 8 GHz,hFE = 130,VA = 50 V
    - 高频 PNP 晶体管:fT = 5.5 GHz,hFE = 60,VA = 20 V
    - 噪声系数(50 Ω)@ 1.0 GHz:3.5 dB
    - 支持行业标准 3XXX 系列阵列引脚兼容性
    应用领域:
    - VHF/UHF 放大器
    - VHF/UHF 混频器
    - 中频转换器
    - 同步检测器

    技术参数


    以下是 HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 的主要技术规格:
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | NPN 晶体管 fT | - | - | 8 GHz | - | GHz |
    | PNP 晶体管 fT | - | - | 5.5 GHz| - | GHz |
    | NPN 电流增益 hFE | IC = 10 mA, VCE = 2 V | 40 | 130 | - | - |
    | PNP 电流增益 hFE | IC = -10 mA, VCE = -2 V | 20 | 60 | - | - |
    | 噪声系数(50 Ω) | f = 1.0 GHz, VCE = 5 V, IC = 5 mA | - | 3.5 | - | dB |
    | 漏电流 ICEO (NPN) | VCE = 6 V, IB = 0 | - | 2 | 100 | nA |
    | 漏电流 ICEO (PNP) | VCE = -6 V, IB = 0 | - | 2 | 100 | nA |
    工作环境:
    - 温度范围:-55°C 至 +125°C
    - 最大存储温度范围:-65°C 至 +150°C
    - 热阻抗:SOIC 包装:120°C/W(典型值)

    产品特点和优势


    HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 系列器件凭借以下特点在市场上脱颖而出:
    1. 高频性能卓越:NPN 和 PNP 晶体管分别提供 8 GHz 和 5.5 GHz 的高频增益,适用于高频通信和信号处理。
    2. 低噪声特性:3.5 dB 的噪声系数确保信号完整性,适用于对噪声敏感的应用。
    3. 热匹配优异:单片基板上的集成结构保证了各晶体管间的良好热匹配和电气一致性。
    4. 行业标准兼容性:与行业标准 3XXX 系列阵列引脚兼容,便于集成。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - VHF/UHF 放大器:用于无线通信系统中的信号放大。
    - VHF/UHF 混频器:实现频率转换以支持多种通信协议。
    - 同步检测器:用于解调复杂信号。
    使用建议:
    - 在高频应用中,确保良好的散热设计以避免过温现象。
    - 使用高阻抗负载时,需注意匹配阻抗以减少反射损耗。

    兼容性和支持


    HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 可与行业标准 3XXX 系列阵列互换使用,且支持无铅焊接工艺(RoHS 合规)。Intersil 提供详尽的技术文档和支持服务,包括 S-Parameter 和 PSPICE 模型下载。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高频应用中性能下降 | 检查电路设计并优化匹配网络。 |
    | 过热导致设备失效 | 加强散热措施,确保良好通风。 |
    | 输出信号失真 | 调整输入信号幅度以避免饱和。 |

    总结和推荐


    综上所述,HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是高性能、高可靠性的超高频晶体管阵列,特别适合高频放大器和混频器应用。其卓越的高频性能、低噪声特性和热匹配能力使其在市场上具有强大竞争力。我们强烈推荐这些器件用于需要高精度信号处理的应用场合。

HFA3127RZ96参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 12V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCBO-最大集电极基极电压 12V
集电极截止电流 -
VEBO-最大发射极基极电压 5.5V
配置 quint
最大集电极发射极饱和电压 -
集电极电流 65mA
晶体管类型 5 NPN
最大功率耗散 150mW
长*宽*高 3mm(长度)*3mm(宽度)
通用封装 QFN(EP)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

HFA3127RZ96厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

HFA3127RZ96数据手册

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HFA3127RZ96封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
6000+ $ 15.246 ¥ 127.3041
12000+ $ 15.246 ¥ 127.3041
18000+ $ 15.246 ¥ 127.3041
库存: 10000
起订量: 6000 增量: 6000
交货地:
最小起订量为:6000
合计: ¥ 763824.6
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