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NE3510M04-T2-A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Trans RF FET 4V 0.097A 4-Pin Case M04 T/R
供应商型号: CY-NE3510M04-T2-A
供应商:
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A概述

    NE3510M04 Hetero Junction Field Effect Transistor: A Comprehensive Guide

    1. 产品简介


    NE3510M04是一款高可靠性、低噪声的异质结场效应晶体管(Hetero Junction Field Effect Transistor,HJ-FET),适用于L至S波段的低噪声放大器。其独特的结构使其在卫星无线电通信(如SDARS、DMB)、微波通信系统等领域具有卓越的表现。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压:4.0 V
    - 栅极-源极电压:-3.0 V
    - 漏极电流:IDSS mA
    - 栅极电流:140 μA
    - 总功率耗散:125 mW
    - 频率范围:最高可达4 GHz
    - 推荐操作条件
    - 漏极-源极电压:-2至3 V
    - 漏极电流:-15至30 mA
    - 输入功率:-至0 dBm
    - 电气特性
    - 栅极-源极漏电流:IGSO(典型值)0.5 μA
    - 饱和漏极电流:IDSS(典型值)42 mA
    - 噪声系数:NF(典型值)0.45 dB
    - 关联增益:Ga(典型值)16 dB

    3. 产品特点和优势


    NE3510M04的主要特点包括:
    - 低噪声系数:典型的噪声系数为0.45 dB,确保信号的纯净度。
    - 高关联增益:典型值达到16 dB,提供卓越的信号放大能力。
    - 扁平引脚设计:采用4针超小型模具封装,易于安装和集成。

    4. 应用案例和使用建议


    - 卫星无线电通信:例如SDARS、DMB等系统中的低噪声前置放大器。
    - 微波通信系统:广泛应用于各种微波通信系统,以提升整体通信质量。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保漏极-源极电压不超过4.0 V,避免损坏晶体管。
    - 尽量保持栅极-源极电压在安全范围内,避免过高的电压导致电流异常。

    5. 兼容性和支持


    NE3510M04具有广泛的兼容性,可以与各种常见的电子组件配合使用。对于更详细的兼容性信息,可联系Renesas Electronics销售办公室。
    - 订购信息:可通过附近销售办公室申请评估样品。
    - 支持和服务:Renesas Electronics提供全方位的技术支持,帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理静电敏感问题?
    - A: 严格遵守静电防护措施,如佩戴防静电手环,并在操作时确保设备接地。
    - Q: 使用时如何保证温度稳定?
    - A: 使用时要避免过高或过低的环境温度,特别是在高温环境下需采取散热措施,确保设备在正常温度范围内运行。

    7. 总结和推荐


    NE3510M04凭借其卓越的低噪声系数和高增益性能,在L至S波段的低噪声放大器应用中表现优异。对于需要高信号纯净度和可靠性的场合,如卫星无线电和微波通信系统,NE3510M04是理想的选择。强烈推荐此款产品用于相关领域,其优越的性能将大大提升系统的整体性能。
    本指南详细介绍了NE3510M04的核心技术和使用方法,希望对您的项目有所帮助。如有更多问题,请联系Renesas Electronics获取技术支持。

NE3510M04-T2-A参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 2mm*1.25mm*590μm
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装

NE3510M04-T2-A厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

NE3510M04-T2-A数据手册

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NE3510M04-T2-A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.7236 ¥ 6.2264
300+ $ 0.7169 ¥ 6.1703
500+ $ 0.7103 ¥ 6.1142
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5000+ $ 0.6904 ¥ 5.8337
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