处理中...

首页  >  产品百科  >  H5N3011P-E

H5N3011P-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 150W 30V 95nC@ 10V 300V 48mΩ@ 10V 5nF@ 25V TO-3P 通孔安装 15.6mm*4.8mm*18.9mm
供应商型号: CSJ-ST69009463
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) H5N3011P-E

H5N3011P-E参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 48mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 95nC@ 10V
最大功率耗散 150W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5nF@ 25V
配置 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 300V
长*宽*高 15.6mm*4.8mm*18.9mm
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装

H5N3011P-E厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

H5N3011P-E数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS H5N3011P-E H5N3011P-E数据手册

H5N3011P-E封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.8556 ¥ 32.6569
库存: 9239
起订量: 13 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 32.65
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336