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UPA2826T1S-E2-AT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20W(Ta) 12V 1.5V@1mA 37nC@ 4 V 1个N沟道 20V 4.3mΩ@ 13.5A,8V 27A 3.61nF@10V 贴片安装
供应商型号: UNP-UPA2826T1S-E2-AT
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) UPA2826T1S-E2-AT

UPA2826T1S-E2-AT概述

    电子元器件产品技术手册:μPA2826T1S N-channel MOSFET

    产品简介


    μPA2826T1S是一款专为便携式设备电源管理应用设计的N沟道MOS场效应晶体管(MOSFET)。它具有高效率、小尺寸和易于表面安装的特点,适用于多种高性能电子设备,特别是在电池驱动的应用中。

    技术参数


    - 工作电压范围:VDSS = 20 V(环境温度TA = 25°C)
    - 最大漏电流:ID(DC) = ±27 A(环境温度TA = 25°C)
    - 最大总功率消耗:PT1 = 1.5 W;PT2 = 3.8 W(脉冲宽度PW = 10秒)
    - 门极击穿电压:VGSS = ±12 V
    - 开关特性:
    - 开启延时时间:td(on) = 50 ns
    - 上升时间:tr = 94 ns
    - 关闭延时时间:td(off) = 120 ns
    - 下降时间:tf = 120 ns
    - 总门极电荷:QG = 37 nC
    - 小尺寸与薄型封装,具有散热片,可有效降低热阻
    - 无铅无卤素材料

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在VGS = 8.0 V,ID = 13.5 A下,RDS(on) 最大值为4.3 mΩ,显著减少功耗并提高效率。
    - 适用于多种门极驱动:最小2.5 V的门极驱动使得其应用更为广泛。
    - 高可靠性和安全性:无铅无卤素的设计,适合对环境要求较高的应用场合。
    - 优异的热性能:Rth(ch-A) = 83.3°C/W,Rth(ch-C) = 6.25°C/W,确保良好的散热效果。

    应用案例和使用建议


    - 便携式电源管理:适用于便携式电子设备的充电电路中,如智能手机和平板电脑。
    - 高效转换器:在需要高效能功率转换的设备中,例如服务器电源和汽车电源系统。
    - 建议使用:选择适当的散热措施,保证良好的工作环境温度(如使用散热片或风扇),以避免过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用标准HWSON-8封装,便于与多种PCB布局兼容。
    - 技术支持:Renesas Electronics提供全面的技术支持和维护服务,包括在线资源和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题:启动延迟时间长。
    - 解决方案:检查电源电压和负载条件,适当调整门极电阻以缩短延迟时间。
    - 问题:热阻过高。
    - 解决方案:确保使用适当的散热措施,如加装散热片或增加风扇散热。

    总结和推荐


    μPA2826T1S作为一款高性能N沟道MOSFET,凭借其卓越的电气特性和低功耗特性,在众多电源管理和转换应用中表现出色。其优越的热性能和无铅无卤素的设计使其成为高端电子设备的理想选择。因此,强烈推荐此产品给需要高效能和可靠性保障的用户。

UPA2826T1S-E2-AT参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 27A
最大功率耗散 20W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@1mA
Vgs-栅源极电压 12V
配置 -
栅极电荷 37nC@ 4 V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3mΩ@ 13.5A,8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.61nF@10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装,托盘

UPA2826T1S-E2-AT厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

UPA2826T1S-E2-AT数据手册

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