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UPA2452TL-E1-A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W 12V 1.5V 6.5nC@ 4V 1个N沟道 24V 21.5mΩ@ 4.5V 7.8A 390pF@ 10V 贴片安装
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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) UPA2452TL-E1-A

UPA2452TL-E1-A概述

    # µ PA2452 N-Channel MOS Field Effect Transistor for Switching

    产品简介


    µ PA2452 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为开关应用设计。凭借其出色的低导通电阻(RDS(on))和卓越的开关特性,这款MOSFET适用于便携式设备的电源开关和其他需要高能效转换的应用场景。
    主要功能包括:支持2.5V驱动电压、快速开关响应时间以及内置的栅极-源极保护二极管,能够有效防止静电放电(ESD)。其典型应用场景包括但不限于便携式设备的开关电源、直流-直流转换器及通信设备。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS = 4.5 V, ID = 4.0 A | 12.0 | 17.5 | 21.5 | mΩ |
    | 源漏极击穿电压 | VDSS | VGS = 0 V 24.0 | V |
    | 栅源击穿电压 | VGSS | VDS = 0 V ±12.0 | V |
    | 零栅电压下的漏电流 | IDSS | VDS = 24.0 V, VGS = 0 V | 10.0 µA |
    | 前向传递导纳 yfs VDS = 10.0 V, ID = 4.0 A 3 S |
    | 输入电容 | Ciss | VDS = 10.0 V 390 pF |
    | 输出电容 | Coss | VGS = 0 V 130 pF |
    | 反向转移电容 | Crss | f = 1.0 MHz 90 pF |
    其他关键指标:
    - 导通电流(连续):±7.8 A
    - 脉冲电流(峰值):±80.0 A
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 绝对最大功耗:2.5W(陶瓷基板),0.7W(FR-4基板)

    产品特点和优势


    1. 超低导通电阻:RDS(on)仅为17.5mΩ(典型值),显著降低功耗,提升系统效率。
    2. 宽范围工作电压:支持2.5V至24V的输入电压,满足便携式设备的需求。
    3. 高速开关性能:低开关延迟时间和快速上升下降时间,适合高频工作环境。
    4. 内置保护电路:内置栅极-源极保护二极管,提供良好的抗静电能力。
    5. 卓越的可靠性:先进的制造工艺确保高耐久性和长时间运行稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 便携式充电器和电池管理设备
    - USB供电模块
    - LED照明驱动器
    - 汽车电子设备中的开关应用
    使用建议
    1. 在设计电路时,务必考虑散热措施以避免因过热导致的性能下降。
    2. 确保栅极驱动电压范围在规范内,以实现最佳性能。
    3. 当用于脉冲工作模式时,需监控脉冲宽度和占空比,确保不超过额定值。

    兼容性和支持


    µ PA2452 具有广泛的兼容性,可以与主流的控制器和微处理器搭配使用。Renesas Electronics 提供详尽的技术支持,包括应用笔记、参考设计及专业销售团队的支持服务。
    同时,该器件符合RoHS指令,环保且易于回收利用。用户可以通过官方网站 http://www.renesas.com 获取最新的产品资料和技术文档。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关延迟时间较长 | 确认驱动电压和输入信号频率。 |
    | 工作过程中出现异常发热 | 增加散热片或改善电路布局。 |
    | 静态电流过高 | 检查是否存在外部短路或内部损坏情况。 |

    总结和推荐


    µ PA2452 是一款针对现代开关应用优化的高效MOSFET,其低导通电阻、快速开关特性和可靠的保护机制使其成为高性能电源管理的理想选择。对于需要紧凑尺寸、高效能和低功耗的便携式设备,我们强烈推荐此产品。同时,Renesas Electronics 提供的强大技术支持进一步增强了其市场竞争力。
    如果您正在寻找一款可靠且高效的MOSFET,µ PA2452 绝对是一个值得考虑的选择。
    推荐指数:★★★★★

UPA2452TL-E1-A参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 21.5mΩ@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 390pF@ 10V
栅极电荷 6.5nC@ 4V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Id-连续漏极电流 7.8A
配置 -
最大功率耗散 2.5W
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 24V
FET类型 1个N沟道
安装方式 贴片安装

UPA2452TL-E1-A厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

UPA2452TL-E1-A数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS UPA2452TL-E1-A UPA2452TL-E1-A数据手册

UPA2452TL-E1-A封装设计

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