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NP180N055TUK-E1-AY

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.8W(Ta),348W(Tc) 20V 4V@ 250µA 294nC@ 10 V 1个N沟道 55V 1.4mΩ@ 90A,10V 180A 16.05nF@25V TO-263-7 贴片安装 10mm*9.15mm*4.45mm
供应商型号: CSJ-ST50794321
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) NP180N055TUK-E1-AY

NP180N055TUK-E1-AY概述

    NP180N055TUK MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

    产品简介


    NP180N055TUK 是一种 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高电流开关应用设计。该晶体管在电源管理和电池管理等领域有着广泛应用,尤其是在需要低电阻和高效能的汽车电子系统中。

    技术参数


    NP180N055TUK 的关键技术参数如下:
    - 漏源电压 (VDSS):55 V
    - 栅源电压 (VGSS):±20 V
    - 直流漏极电流 (ID(DC)):±180 A
    - 脉冲漏极电流 (ID(pulse)):±720 A
    - 总功耗 (TC = 25°C):348 W
    - 通道温度 (Tch):175 °C
    - 重复雪崩电流 (IAR):66 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):435 mJ
    - 热阻 (Rth(ch-C)):0.43 °C/W
    - 热阻 (Rth(ch-A)):83.3 °C/W
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):≤ 1 μA
    - 栅漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0 至 4.0 V
    - 正向转移导纳 (yfs):75 至 150 S
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):1.15 至 1.40 mΩ
    - 输入电容 (Ciss):10700 至 16050 pF
    - 输出电容 (Coss):1200 至 1800 pF
    - 反向转移电容 (Crss):380 至 690 pF
    - 开启动态时间 (td(on)):38 至 90 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):140 至 280 ns
    - 总栅电荷 (QG):196 至 294 nC

    产品特点和优势


    NP180N055TUK 具有以下显著特点和优势:
    - 超低导通电阻:RDS(on) 最大值仅为 1.40 mΩ (VGS = 10 V, ID = 90 A),这使得它非常适合于需要低损耗的应用场景。
    - 低输入电容:Ciss = 10700 pF (VDS = 25 V),这有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 专为汽车应用设计:符合 AEC-Q101 标准,适用于严苛的汽车电子环境。
    - 出色的热性能:具有较低的热阻,保证在高功率下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    NP180N055TUK 可广泛应用于多种场合,例如:
    - 电动汽车:作为逆变器和电机控制器的核心组件。
    - 太阳能逆变器:用于转换太阳能板产生的直流电。
    - 电源管理:在电源管理系统中作为开关器件。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需考虑晶体管的热性能和散热措施,以避免过热损坏。
    - 由于其低导通电阻和低输入电容特性,适合用于高频开关应用,但需要注意匹配合适的驱动电路以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    NP180N055TUK 采用 TO-263-7pin 封装,与大多数标准驱动器和 PCB 都兼容。Renesas Electronics 提供详尽的技术支持和维护服务,包括数据手册、应用指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及其解决方案:
    - 问题:晶体管在使用过程中发热严重
    - 解决方案:检查散热设计,确保足够的散热片面积,并增加强制风冷或液冷措施。

    - 问题:漏极电流不稳定
    - 解决方案:确认电源稳定性,检查电路中的滤波电容和稳压模块。
    - 问题:晶体管损坏
    - 解决方案:检查是否有静电放电导致损坏,采取防静电措施如佩戴防静电手环和使用防静电袋存放。

    总结和推荐


    NP180N055TUK MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,尤其适合于高电流开关应用。其超低导通电阻和良好的热性能使其成为汽车电子和其他高要求领域的理想选择。因此,强烈推荐在需要高性能和高可靠性的应用中使用该产品。

NP180N055TUK-E1-AY参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 -
最大功率耗散 1.8W(Ta),348W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4mΩ@ 90A,10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 55V
栅极电荷 294nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 180A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 16.05nF@25V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10mm*9.15mm*4.45mm
通用封装 TO-263-7
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NP180N055TUK-E1-AY厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

NP180N055TUK-E1-AY数据手册

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NP180N055TUK-E1-AY封装设计

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