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UPA2825T1S-E2-AT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.5W(Ta),16.5W(Tc) 20V 57nC@ 10V 1个N沟道 30V 4.6mΩ@ 24A,10V 24A 2.6nF@10V HWSON-8 贴片安装
供应商型号: UPA2825T1S-E2-AT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) UPA2825T1S-E2-AT

UPA2825T1S-E2-AT概述

    μPA2825T1S MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

    1. 产品简介


    μPA2825T1S 是一种 N 沟道 MOS 场效应晶体管(MOSFET),专为笔记本电脑电源管理和锂离子电池保护电路设计。由于其低导通电阻和其他特性,这种器件广泛应用于消费电子、通信设备以及工业机器人等领域。

    2. 技术参数


    - 工作电压:VDSS = 30 V(TA = 25°C)
    - 最大栅源电压:VGSS = ±20 V
    - 最大连续漏极电流:ID(DC) = ±24 A
    - 单脉冲最大电流:ID(pulse) = ±96 A
    - 最大总功耗:PT1 = 1.5 W
    - 最大瞬时总功耗(PW = 10 秒):PT2 = 3.8 W
    - 通道温度:Tch = 150 °C
    - 存储温度范围:Tstg = -55 至 +150 °C
    - 单次雪崩电流:IAS = 18 A
    - 单次雪崩能量:EAS = 32.4 mJ

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) = 4.6 mΩ 最大值(VGS = 10 V, ID = 24 A),这使得μPA2825T1S 在高效率应用中表现出色。
    - 小尺寸封装:采用带有热扩散器的 HWSON-8 封装(0.022 克),适合现代便携式设备的设计要求。
    - 无铅、无卤素:符合环保标准,适用于各种消费电子产品。
    - 4.5 V 栅极驱动:简化了电路设计和降低功耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - 笔记本电脑电源管理:由于μPA2825T1S 的低导通电阻,可以显著减少能量损耗,提高系统效率。
    - 锂离子电池保护电路:利用其高击穿电压和雪崩能力,确保电路安全可靠。
    - 建议使用:在设计电路时,注意散热设计以避免过热。例如,在实际应用中可能需要额外的散热片或 PCB 布局优化来确保热稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与标准表面贴装工艺兼容,可轻松集成到现有设计中。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和技术支持,帮助用户在开发过程中解决潜在问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过热导致的性能下降
    - 解决办法:改善散热设计,如增加散热片或优化 PCB 布局。
    - 问题2:不稳定的开关特性
    - 解决办法:检查电路设计,确保合适的栅极驱动条件和正确的外围电路设计。


    7. 总结和推荐


    μPA2825T1S 是一款出色的 N 沟道 MOSFET,具有高可靠性、低功耗和易集成的特点。它特别适用于笔记本电脑电源管理和锂离子电池保护电路。考虑到其优异的性能和广泛的适用范围,我们强烈推荐将其用于需要高效率和高可靠性的应用场合。

UPA2825T1S-E2-AT参数

参数
Id-连续漏极电流 24A
栅极电荷 57nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.6mΩ@ 24A,10V
通道数量 -
最大功率耗散 1.5W(Ta),16.5W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.6nF@10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 HWSON-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA2825T1S-E2-AT厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

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