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HAT2172N-EL-E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20W(Tc) 20V 32nC@ 10 V 1个N沟道 40V 7.8mΩ@ 15A,10V 30A 2.42nF@10V 贴片安装
供应商型号: 11M-HAT2172N-EL-E
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) HAT2172N-EL-E

HAT2172N-EL-E概述


    产品简介


    HAT2172N 是一款硅基N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电力开关应用。这种类型的MOSFET具有高速开关性能、低导通电阻等特点,适用于多种领域,包括计算机、办公设备、通信设备、测试和测量仪器、音频和视频设备、家用电子产品、机床、个人电子设备和工业机器人等。

    技术参数


    以下为HAT2172N的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 40V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): ±20V
    - 漏极电流 \( ID \): 30A
    - 漏极峰值电流 \( I{D(pulse)} \): 120A(脉冲宽度≤10μs,占空比≤1%)
    - 反向漏极电流 \( I{DR} \): 30A
    - 雪崩电流 \( I{AP} \): 20A
    - 雪崩能量 \( E{AR} \): 20mJ
    - 芯片功耗 \( P{ch} \): 20W
    - 芯片到外壳热阻 \( \theta{ch-C} \): 6.25°C/W
    - 芯片温度 \( T{ch} \): 150°C
    - 存储温度 \( T{stg} \): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 40V
    - 栅源击穿电压 \( V{(BR)GSS} \): ±20V
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \): ±10μA
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1μA
    - 栅源截止电压 \( V{GS(off)} \): 1.5V 至 3.0V
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 6.1mΩ(典型值)(\( V{GS} = 10V \)时)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2420pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 480pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 150pF
    - 前向转移电纳 \( |y{fs}| \): 27至45S

    产品特点和优势


    HAT2172N 具备以下显著特点和优势:
    - 高开关速度:适合需要快速切换的应用。
    - 低导通电阻:典型值为6.1mΩ,使得损耗最小化。
    - 低驱动电流:便于驱动电路设计。
    - 高密度封装:节省空间,提高设计灵活性。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C,适应恶劣环境条件。
    这些特点使HAT2172N 在多种应用场合中表现出色,特别是在需要高效率和可靠性的系统中。

    应用案例和使用建议


    HAT2172N 在以下几个典型应用中表现优异:
    - 开关电源:HAT2172N 作为电源转换电路的关键组件,能够实现高效、可靠的电力传输。
    - 电机驱动:HAT2172N 可用于驱动直流电机或步进电机,确保精确控制和高效能。
    - 工业自动化设备:在各种工业自动化控制系统中,HAT2172N 的高可靠性使其成为理想选择。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其较高的功耗,必须确保良好的散热设计以避免过热。
    - 驱动电路设计:为了获得最佳性能,建议使用适当的栅极电阻(如4.7Ω)来优化开关时间。

    兼容性和支持


    HAT2172N 支持与其他常见的电源管理和驱动电路集成,适用于多种电路布局。Renesas Electronics提供了详尽的技术支持和售后服务,用户可以通过官方渠道获取技术支持和咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何防止电路过热?
    - A:确保安装良好的散热装置,并监控芯片温度,避免超过安全范围。

    - Q:如何优化开关速度?
    - A:适当调整栅极电阻(如4.7Ω),可以有效改善开关时间和减少损耗。

    总结和推荐


    HAT2172N 是一款高性能、高可靠性的硅基N沟道功率MOSFET,特别适合在要求高效率和高可靠性的应用中使用。无论是开关电源还是电机驱动,这款器件都能提供卓越的性能。对于希望提升系统性能的工程师来说,HAT2172N 是一个非常值得考虑的选择。

HAT2172N-EL-E参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 32nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 7.8mΩ@ 15A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.42nF@10V
配置 -
最大功率耗散 20W(Tc)
Id-连续漏极电流 30A
Vgs-栅源极电压 20V
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装

HAT2172N-EL-E厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

HAT2172N-EL-E数据手册

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HAT2172N-EL-E封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 15.6416
10+ ¥ 13.407
30+ ¥ 11.7312
100+ ¥ 9.8789
500+ ¥ 9.3849
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