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NE850R599A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Trans FET 15V 430mA 4-Pin Case 99
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标准整包数: 0
RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) NE850R599A

NE850R599A概述

    高频功率放大器 NE850R599A 技术手册

    产品简介


    NE850R599A 是一款由 California Eastern Laboratories 生产的中功率 GaAs MESFET(高电子迁移率场效应晶体管)。该器件设计用于输出功率高达 0.5 瓦的应用场合,也可作为更高功率设备的驱动器。其频率范围广泛,适用于从超宽带 (UHF) 到 8.5 GHz 的应用领域。NE850R599A 采用行业标准封装,具备出色的线性增益和高效率,特别适合无线通信系统、雷达设备及各种射频应用。

    技术参数


    - 输出功率:25.5 dBm 至 26.5 dBm(固定输入功率条件下)
    - 电源电压:10 V
    - 漏极电流:140 mA
    - 漏极至源极饱和电流:220 mA 至 430 mA(2.5 V 时)
    - 跨导:150 mS(2.5 V 时)
    - 线性增益:9.5 dB(7 dBm 输入时)
    - 功率附加效率:38%(10 V 和 100 mA 漏极电流条件下)
    - 绝对最大额定值:
    - 漏极至源极电压:15 V
    - 栅极至漏极电压:-18 V
    - 栅极至源极电压:-12 V
    - 栅极电流:±3.0 mA
    - 总耗散功率:3.0 W
    - 渠道温度:175 °C
    - 存储温度:-65 °C 至 +175 °C

    产品特点和优势


    - 高输出功率:0.5 瓦,非常适合需要大功率输出的应用。
    - 高线性增益:9.5 dB,有助于减少信号失真,提高系统性能。
    - 高效率:38%,在保证高效能的同时,减少了能源消耗。
    - 卓越的互调失真抑制:确保信号传输的纯净度和稳定性。
    - 标准化封装:易于集成到现有设计中,提供可靠的电气特性和稳定性能。

    应用案例和使用建议


    - 无线通信:可用于基站和移动设备,提供稳定的信号放大能力。
    - 雷达系统:高频段应用中能够提供优异的射频性能。
    - 医疗设备:适用于高频诊断设备,如MRI和超声波成像设备。
    使用建议:
    - 确保电路设计时充分考虑热管理,避免超过最大额定值。
    - 使用匹配网络以优化增益和效率。
    - 在实际使用前,进行详细的设计验证和测试。

    兼容性和支持


    NE850R599A 支持多种电路布局和系统配置,可与其他标准电子元件兼容。制造商提供了详细的文档和技术支持,帮助用户实现最佳性能和可靠性。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免因过载而导致的永久性损坏?
    答:遵循绝对最大额定值操作,并安装适当的保护电路。

    2. 问:如何优化线性增益?
    答:正确设计输入匹配网络,确保器件在工作点处具有良好的线性性能。
    3. 问:如何解决散热问题?
    答:确保良好的热设计,使用散热片或强制风冷,减少温度上升对器件性能的影响。

    总结和推荐


    NE850R599A 是一款性能优异、可靠且广泛应用的中功率GaAs MESFET。其高输出功率、高线性增益和高效率使其成为许多无线通信和射频应用的理想选择。经过仔细的电路设计和测试,可以充分发挥其潜力。因此,我们强烈推荐此产品。

NE850R599A参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
长*宽*高 5.2mm(长度)*4mm(宽度)
通用封装 CASE 99
安装方式 螺纹安装

NE850R599A厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

NE850R599A数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 场效应管(MOSFET) RENESAS ELECTRONICS NE850R599A NE850R599A数据手册

NE850R599A封装设计

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