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ISL6609ACBZ-T

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 8ns 2 4.5V 25ns 5.5V 1V,2V Non-Inverting MOSFET,N沟道 8ns 半桥 -,4A SOIC-8 贴片安装,黏合安装
供应商型号: ISL6609ACBZ-T
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
RENESAS ELECTRONICS 栅极电源驱动器 ISL6609ACBZ-T

ISL6609ACBZ-T概述


    产品简介


    ISL6609 和 ISL6609A 是一款高频率同步整流 MOSFET 驱动器,专门设计用于驱动两个 N-Channel 功率 MOSFET,在同步整流降压转换器拓扑结构中实现高效的电源转换。通过与 Intersil 的 ISL63xx 或 ISL65xx 多相 PWM 控制器结合使用,可以形成一个完整的单级核心电压调节解决方案,适用于先进的微处理器,能够在高频条件下实现高效能。

    技术参数


    - 工作电压:
    - VCC: -0.3V 至 7V
    - 输入电压: -0.3V 至 VCC + 0.3V
    - 输出引脚(UGATE, LGATE): 具备快速上升和下降时间,UGATE 最大上升时间为 8.0ns,LGATE 最大上升时间为 8.0ns,LGATE 最大下降时间为 4.0ns。
    - 驱动能力:
    - 下降边沿驱动:4A 沉电流能力,确保在 PHASE 节点上升沿时能够可靠地关断低端 MOSFET,防止因自激现象导致的功率损失。
    - 保护机制:
    - 自适应防短路功能:内置的防短路电路防止上下 MOSFET 同时导通,提高了系统的可靠性。
    - 工作温度范围:
    - 工作温度: -40°C 至 +100°C
    - 存储温度: -65°C 至 150°C
    - 封装形式:
    - 8 引脚 SOIC 和 8 引脚 QFN
    - 热阻:
    - SOIC 封装: 热阻 θJA 为 110°C/W
    - QFN 封装: 热阻 θJA 为 95°C/W

    产品特点和优势


    - 自适应防短路: 高度集成的防短路功能显著提升了系统在高频运行条件下的可靠性。
    - 低阻抗驱动: 0.4Ω 的低内阻和 4A 的最大沉电流能力保证了对 MOSFET 有效可靠的驱动。
    - 增强型性能: 在 ISL6609 基础上进一步改进了 BOOT 电容过充保护功能,增加了低成本高性能选项。
    - 小尺寸封装: 3x3 QFN 封装提供接近芯片级的小巧外形,改善 PCB 效率并减小模块厚度。
    - 无铅环保设计: 符合 RoHS 标准,确保长期使用更加环保。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 该驱动器广泛应用于高端微处理器的电源供应,如 Intel® 和 AMD® 微处理器的核心电压供应系统。
    - 使用建议: 在设计中需注意不要将外部电阻连接到 UGATE 和 LGATE 引脚,因为这会干扰驱动器的工作。在高频应用中要特别注意,确保 PWM 输入端的寄生电容不超过 100pF,以避免增加额外的死区时间影响性能。在选用 MOSFET 时,应注意其门极电荷参数,合理选择 BOOT 电容大小,避免驱动器过载。

    兼容性和支持


    ISL6609 和 ISL6609A 支持与 Intersil 自家的多相 PWM 控制器无缝对接,提供高度集成化和兼容性良好的解决方案。Intersil 提供详尽的技术支持和维护文档,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题一: 如何防止 MOSFET 驱动器出现意外导通?
    - 解决方案: 使用内部集成的自适应防短路保护功能来监测并及时关闭 MOSFET。
    - 问题二: 如何处理电源电压超出规定范围的情况?
    - 解决方案: 确保 VCC 电压维持在 5V ±10% 的范围内,遵循绝对最大额定值规范,以避免驱动器损坏。


    总结和推荐


    ISL6609 和 ISL6609A 是高性能同步整流 MOSFET 驱动器的杰出代表,它们具备优异的电气性能和可靠的保护机制,非常适合应用于需要高效率和稳定性的高性能计算平台。鉴于其强大的功能和广泛的适用范围,我们强烈推荐这些驱动器用于要求严格的工业和商业应用场合。

ISL6609ACBZ-T参数

参数
驱动配置 半桥
最小工作供电电压 4.5V
最大高压侧电压-自举 36V
上升时间 8ns
输入类型 Non-Inverting
最大工作供电电压 5.5V
最大传播延迟时间 25ns
下降时间 8ns
逻辑电压 - VIL,VIH 1V,2V
驱动数量 2
栅极类型 MOSFET,N沟道
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) -,4A
通道类型 -
5mm(Max)
4mm(Max)
1.5mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ISL6609ACBZ-T厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

ISL6609ACBZ-T数据手册

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ISL6609ACBZ-T封装设计

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